Кремневые лавинные диоды

Кремниевые лавинные диоды по сравнению с обычными по­лупроводниковыми диодами обладают тем преимуществом, что при превышении напряжения пробоя р—п- переходом не разруша­ется, а пропускает большой ток в обратном направлении. До тех пор, пока допустимая термическая мощность потерь в закрытом состоянии или при импульсной нагрузке допустимый интеграл квадрата тока не превышаются, не наступает разрушения запорного слоя (контролируемый пробой). Диоды Зенера находят применение дли защиты от перенапряжений в электрон­ных схемах. Для обеспечения ЭМС были разработаны спе­циальные кремниевые лавинные диоды с большим по площади р—п- переходом для высокого допустимого тока в обратном на­правлении (ограничительные диоды, стабилитроны, диоды-по­глотители и т. д.). Кремниевые лавинные диоды имеют, как и варисторы, время срабатывания в субнаносекундном диапазоне которое, однако, на практике из-за индуктивности токопроводов перемешается в наносекундньгй диапазон. Аналогично варисторам они имеют сравнительно большие емкости (до 15000 пФ), что препятствует их применению в высокочастотных системах (исключение: последовательное включение с малоемкостными диодами).

Кремниевые лавинные диоды являются обычно однополярными конструктивными элементами. Путем встречного последо­вательного включения двух диодов получают симметричную ха­рактеристику. Выбор кремниевых лавинных диодов происходит аналогично выбору варисторов на основании характеристик или предельных данных, даваемых изготовителем.