Герметизація мікросхем

Для зменшення механічних і кліматичних впливів на роботу та з метою підвищення надійності мікросхем застосовують їх корпусний і безкорпусний захист, тобто герметизацію. Під герметичністю конструкції розуміють здатність будь-якого замкнутого об'єму не пропускати через себе рідину або газ. Відомо, що абсолютно непроникних конструкцій не існує, тому герметичність іноді характеризують натіканням кількості потоку рідини або газу. Герметизація - одна з останніх операцій технологічного процесу виробництва, отже, повинна забезпечувати максимальний вихід придатних ІМС та безвідмовну роботу їх в умовах експлуатації. Відомо декілька методів герметизації ІМС.

Корпусна герметизація передбачає застосування металічних, керамічних, склокерамічних і пластмасових корпусів. Для такої герметизації використовуються уніфіковані стандартні корпуси, перевагою яких є можливість автоматизації процесів складання, що знижує вартість мікросхеми.

Стандартні корпуси для герметизації напівпровідникових ІМС мають круглу форму (модифікований варіант корпусу транзистора) або прямокутну.

Безкорпусна герметизація здійснюється спеціальними захисними лаками і компаундами методами лиття під тиском або заповненням у вакуумі і застосовується лише для захисту напівпровідникових мікросхем при незначній зміні зовнішніх впливів.

Метод лиття і пресування полягає у використанні пластмасових матеріалів, які мають високу текучість при порівняно низьких температурах і тисках, а також погану адгезію до стінок форми.

Для герметизації невеликих партій виробів застосовують заливання під вакуумом. Змонтовані кристали завантажують в спеціальні литтєві форми, які переміщаються вздовж операційної ділянки заливного автомата. У форми дозовано подається старанно перемішаний герметизуючий компаунд, потім проводять відкачування повітря для усунення бульбашків повітря з компаунда. Після заливання при певних температурних режимах проводиться затвердіння компаунда.

Після завершення всіх операцій проводиться контроль на герметичність корпусу чи захисного покриття та функціонування ІМС.

Список рекомендованої літератури

1. Парфёнов О.Д. Технология микросхем. – М.: Высшая школа, 1986 – 320 с.

2. Березин А.С., Молчалина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1992 – 320 с.

3. Закалик Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектроніки. – Тернопіль. ТДТУ ім.. Пулюя, 1998, - 352с.

4. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы, приборы, материалы, изготовление. – М.: Мир, 1985 - 504 с.

5. Проценко І.Ю., Чумакова Н.І. Основи матеріалознавства наноелектроніки. Суми: СумДУ, 2004.-108 с.

6. Однодворець Л.В. Основи мікроелектроніки. Суми: СумДУ, -2005.-112 с.

7. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Електроніка і мікросхемо- техніка – К.: Каравела, 2007.-389 с.

8. Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. Частина 1. Елементи мікроелектроніки. –К.: Вища школа, 2004 - 308 с.

9. Васильєва Л.Д., Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. Напівпровідникові прилади. –К: Кондор, Політехніка, 2003 – 388 с.

10. Основи електроніки: функціональні елементи та їх застосування. – Львів: Новий світ 2000, Магнолія плюс, 2003.

11. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы..- М.: Высшая школа, 1986 -304 с.

12. Моро У. Микролитография – М.: Мир 1990.-1240 с.

13. Малышева И.А. Технология производства микроэлектронных устройств, М.:: Энергия, 1980 -448 с.

14. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. Учебник для вузов.- М.: Радио и связь, 1987.

15. Бер А.Ю., Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых и интегральных микросхем. – М.: 1986 – 279 с.

16. Ефимов И.Е., Козыр И.Я., Горбунов Ю.И. Микроелектроника. Физические и технологические основы, надежность. – М.: Высшая школа, 1986 – 464 с.

17. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем – М.: Высшая школа, 1986 – 328 с.

18. Гуськов Г.Я., Блинов Г.А., Азаров А.А. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь 1986. - 174 с.

19. Констуирование и технология сикросхем – М.: Высшая школа, 1984. - 232 с.

Date: 2015-06-07; view: 520; Нарушение авторских прав