Электрическое поле барьера при равновесном сост-ии p-n перехода.

При образовании p-n перехода, электрон начинает переходить в p- область и встречается с дыркой, они рекомбинируют. В некоторой приграничной области p- типа будет почти отсутствовать свободные носители заряда. В области р возникает огранич слой отриц ионов. В области p-n перехода возникает внутреннее эл поле, которое препятствует переходу основных носит заряда через p-n переход.

В равновесном состоянии через p-n переход будет проходить маленькая доля основных носит заряда, этим будет обуславл дифузионный ток основных носителей. Также через p-n переход беспрепятственно будет переходить не основн носитель. Ток основн и не основн носителей зарядов одинаков. . С изменением Т концентрация е и дырок способных преодолеть p-n переход изменяется по след закону: ; n1, p1 концентрация n и p типа. p-n переход обладает вентильным свойством след-но в одну сторону пропускает носителей в другую сторону нет.

22) Прямое включение. Вольт-Амперные харак-ки p-n перехода.

При прямом включении диода, поле от внешнего источника уменьшает величину потенциального барьера для основных носителей заряда, т.е. через p-n переход увелич поток основных носителей заряда.