Осылуы (р-n - ауысуы)

Біреуі – электрондық, енді біреуі – кемтіктік өткізгіші бар, екі жартылай өткізгіштің жанасу шекарасы электрондық-кемтіктік ауысу (р-n – ауысуы) деп аталады.

Әдетте р-n – ауысуы кристалдардың арнайы өңдеуінен құралады, мысалы, вакуумда (а) тығыз қысылған германий (n -типті) және индий кристалдарын 500⁰ С кезінде ұстағанда, өткізгіштігі р -типті (б) индиймен байытылған германийдің аралық қабатын түзе отырып, индий атомы германий атомының біраз тереңдігіне дейін енеді.

Концентрациялары жоғары электрондар n- жартылай өткізгіштен р- жартылай өткізгішке өтеді. Кемтік диффузиясы қарсы бағытта өтеді. n- жартылай өткізгіште шекара жанындағы электрондардың кетуі әсерінен жылжымайтын иондалған донорлық атомның теңестірілмеген оң көлемді заряды қалады. р- жартылай өткізгіште шекара жанындағы кемтіктердің кетуі әсерінен жылжымайтын иондалған акцептордың теріс көлемді заряды түзіледі. Бұл көлемдік зарядтар электрондар мен кемтіктердің ары қарай ауысуына кедергі келтіретін бекітілген тепе-тең түйісу қабатын құрайды.

Бекітілген қабаттың кедергісін сыртқы электрлік өрістің көмегімен өзгертуге болады. Егер сыртқы өріс бағыты түйісу қабатының өрісінің бағытымен сәйкес келсе (а), онда бекітілген қабат кеңейтіледі және оның кедергісі жоғарылайды – бұндай бағыт бекітілген (кері) деп аталады. Егер сыртқы өріс бағыты түйісу қабатының (б) өрісінің бағытына қарама-қарсы болса, онда электрондар мен кемтіктердің орын ауыстыруының таралуына әкеліп соғылуы және оның кедергісі төмендейді – бұндай бағыт өткізгіш (тура) деп аталады.