Жартылай өткізгішті диодтар мен триодтар (транзисторлар)

р-n – ауысуының біржақты (вентильді) өткізгіштігі бір р-n – ауысуы бар жартылай өткізгішті диодтарда қолданылады. Құрылысына байланысты олар нүктелі және жазықтықты болып бөлінеді.

Нүктелі диодтарда р-n – ауысуы металдық түйісуі 1 мен жартылайөткізгіштің 2 жанасуынан түзіледі (мысалы, нүктелі германий диодында аллюминий диффузиясы) n- герменийде германийдің р- қабатын түзеді). Германийлі жазықтықты диодтың жасалу технологиясы жоғарыды бейнеленген.

р-n – ауысуылар тек қана тамаша түзетілген қасиеттерге ғана ие емес, сонымен қатар күшейту үшін де қолданылады, егер схемаға кері байланысты енгізетін болсақ, онда электрлік тербелістердің генерациясы үшін де енгізу керек. Осы мақсаттарды жүзеге асыруға арналған приборлар жартылай өткізгішті триодтар немесе транзисторлар деп аталады. 1949 жылы ойлап табылған транзисторлар XX ғасырдағы ең мәнді ойлап табылған болып есептеледі және 1956 жылы Нобель премиясымен мараппатталған болатын.

Әртүрлі өткізгіштермен алмасу облысына байланысты транзисторлар немесе типті болуы мүмкін. Мысал үшін типті триодты қарастырайық. База (транзистордың ортаңғы бөлігі), эмиттер және коллектор (өткізгіштері басқа типті базаның екі жағында жатады) болып есептелетін, триодтың жұмысшы «электродтары» схемаға түзетілмейтін түйісулер – металдық өткізгіштер арқылы қосылады. Эмиттер мен база арасына тұрақты ығыстыратын кернеу тура бағытта, ал база мен коллектор арасына - тұрақты ығыстыратын кернеу кері бағытта тіркеледі. Күшейтілетін ауыспалы кернеу R_кір кіріс кедергісіне беріледі, ал күшейтілген – R_шығ шығыс кедергісінен алынады.

Эмиттер тізбегіндегі токтың өтуіне негізінен кемтіктердің (олар ток тасушының негізі) қозғалысы себепші болады және база облысына - «дәрі жіберумен» - инжекциямен – шығарылып салынады. Базаға енген кемтіктер коллектор бағыты бойынша диффундируют, және де базаның біраз қалыңдау кезінде инжектірленген кемтіктердің біраз бөлігі коллекторға жетеді. Мұнда ауысудың ішінді қозғалатын (теріс зарядталатын коллекторға тартылады) өріс кемтіктерді алып қалады, соның салдарынан коллектордың тогы өзгереді. Осыдан, эмиттер тізбегіндегі токты қалай өзгертсе, коллектор тізбегіндегі ток солай өзгереді.

Эмиттер мен база арасына ауыспалы кернеуді тіркеу арқылы, коллектор тізбегінде - ауыспалы ток, ал шығыс кедергісінде – ауыспалы кернеу аламыз.

Кернеу шамасы р-n – ауысуының қасиеттеріне, жүктелген кедергісіне және Б_к батарея кернеуіне тәуелді. Әдетте R_шығ >> R_кір, сондықтан U_шығ >> U_кір (күшейту 10000-ға жетуі мүмкін). R_шығ ерекшеленген ауыспалы токтыңқуаты эмиттер тізбегіне жұмсалатыннан үлкен болуы мүмкін, онда транзистор қуаттың күшейтілуін береді.