Характеристики КМДП

Характеристика прямой передачи имеют вид в соответствии с рисунком 3.25. При подаче низкого потенциала на вход, как было показано выше, на выходе будет высокий потенциал (логическая «1»). Увеличивая напряжения на входе (при достижении порогового напряжения) открываются транзисторы VT3 и VT4 и начинают закрываться транзисторы VT1 и VT2, напряжение на выходе падает до нуля. Аналогично можно и объяснить характеристику тока потребления от входного напряжения, т.е. при напряжении от 3 до 7 вольт все транзисторы «приоткрыты» и в этом случае через схему протекает ток. Это приводит к тому, что при увеличении частоты переключения средний ток, потребляемый схемой, увеличивается в соответствии с рисунком 3.26 и на высоких частотах он может сравняться с током потребления ТТЛ и ТТЛШ.

Рисунок 3.26 – Зависимость тока потребления от скорости переключения элемента КМДП

Параметры некоторых серий микросхем КМДП приведены в таблице 3.13. Средний ток потребления от источника питания I_{ПОТ СР} приведен в статическом режиме. Из таблицы видно, что с совершенствованием технологии растут энергетические показатели.

Таблица 3.13 – Энергетические показатели микросхем КМДП

Интегральная инжекционная логика (И²Л)

Элементы интегральной инжекционной логики появились позднее и очень перспективны для интегрального исполнения. Схема базового элемента, выполняющего операцию И-НЕ, имеет вид в соответствии с рисунком 3.27.

Рисунок 3.27 – Базовый элемент И²Л

Принцип действия аналогичен принципу действия элемента ДТЛ. Здесь базовый ток выходного транзистора VT2 обеспечивается транзистором VT1, работающего в режиме источника тока инжектора, а обычные диоды заменены диодами Шоттки. Особенностью элементов семейства И²Л является широкое использование многоколлекторных транзисторов.

Комбинация p-n-p и n-p-n транзисторов, реализуемая с помощью специального технологического процесса, занимает на кристалле очень малую площадь.

Ток, инжектируемый транзистором VT1, может меняться в широких пределах применительно к различным потребностям. Чем больше его величина, тем меньше среднее время задержки.