Материал подложки: Si

Исходные данные по проекту:

Размер кристалла (чипа) 10х10 мм²

Минимальная проектная норма элемента ИС 0,3мкм

Плотность дефектов на слой 0,1деф/см²

Число слоев металлизации 1

Вычисление процента выхода годных структур на пластине (Y) производится по следующей формуле:

,

где D₀ – удельная плотность дефектов, приходящихся на одну фотолитографию, деф/см²; A – активная площадь кристалла, см²; F – число фотолитографических процессов в полном технологическом цикле изготовления ИС.

Расчет общего объема выпуска годных изделий проводится по исходным данным. Выход годных структур на пластине: ,

где A_пл – активная площадь пластины диаметром 100 мм, A – площадь элемента, см².

29

Годовой объем производства при запуске Z=300 пластин в сутки при условии, что процент выхода годных изделий на сборочных операциях W=95%:

Таблица. Расчет порогового напряжения МОП транзистора.

0,347 В

=8,6∙10^-4 Ф/м

=

где, - поверхностный потенциал.

где, - падение напряжения на слое оксида.

31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной дипломной работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных полупроводниковых интегральных микросхем достигают мм², чем больше площадь кристалла, тем более многоэлементную ИС можно на ней разместить. При одной и той же площади кристалла можно увеличить количество элементов, уменьшая их размеры и расстояния между ними.

При использовании другого типа подзатворного диэлектрика, других металлов при формировании контактов с кремнием, других изолирующих слоев возможно получение более сложных схем с еще меньшим размером элементов.
Полупроводниковые материалы, обладающие высокой твердостью и хрупкостью, не поддаются механической обработке с применением большинства обычных методов, таких, как точение, фрезерование, сверление, штамповка и т.п. Практически единственным методом, применимым для механической обработки полупроводниковых материалов, является обработка с применением связанных или свободных абразивов.

Слитки полупроводниковых материалов режутся на пластины проволочными пилами, бесконечными ленточными алмазными пилами, кругами с наружной режущей кромкой, кругами с внутренней режущей кромкой АКВР. Наиболее эффективным инструментом являются алмазные круги с внутренней режущей кромкой, которые позволяют с высокой производительностью, точностью и значительной экономией материала разрезать слитки на пластины минимальной толщины.

Перед резанием слитков полупроводникового материала на пластины нужно определить расположение в нем основных кристаллографических плоскостей. Это необходимо для последующей точной ориентации слитков перед резанием.

Несоблюдение этого условия приведет к невоспроизводимости электрофизических параметров полупроводниковых приборов и микросхем в процессе последующей обработки на операциях диффузии, эпитаксии и некоторых других.