Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Интегральные драйверы управления модулями силовых транзисторов фирмы Mitsubishi
Силовые ключи на MOSFET-транзисторах (рис. 2.1, е)представляют собой приборы с вертикальной структурой, состоящей из сотен параллельно включенных полевых структур. Это позволяет получать высоковольтные транзисторы с минимальным значением сопротивления в открытом состоянии. Для работы в ключевом режиме выпускаются транзисторы с диапазоном токов до 200 А на напряжения до 1200 В при сопротивлении канала от 0,0055 до 3 Ом. В MOSFET-транзисторах используется структура (рис. 3.1, а), состоящая из металла и полупроводника, разделённых слоем окисла (SiO2). При подаче на затвор напряжения, положительного относительно подложки, электрическое поле отталкивает дырки, находящиеся близко к поверхности затвора, и притягивает электроны из глубины p-области. При достижении напряжением на затворе пороговой величины происходит инверсия проводимости приповерхностного слоя полупроводника и образование между стоком и истоком свободного канала для протекания тока (рис. 3.1, б). Индуцированный (наведенный) канал может быть n-типа или p-типа. Силовые ключи на MOSFET-транзисторах управляются напряжением (электрическим полем), а не током. Управление напряжением снижает мощность и упрощает схему драйверов MOSFET-ключей, так как ток в цепи затвора протекает лишь в короткие моменты зарядки-разрядки емкостей транзисторов и прекращается по завершении коммутационных переходных процессов. Оптимальный уровень управляющего напряжения составляет 12…15 В, а величина порогового напряжения от 2 до 5 В. Силовые MOSFET-ключи значительно превосходят по быстродействию ключи на биполярных транзисторах и могут коммутироваться на частотах дo 100 кГц и выше. Кроме того, параметры MOSFET-ключей меньше зависят температуры, чем параметры ключей на биполярных транзисторах (табл. 3.3), что позволяет эффективнее использовать MOSFET-ключи
а б Рис. 3.1. Структура MOSFET-транзисторов (а), MOSFET-транзистор Таблица 3.3
|