Порядок выполнения экспериментов

• Соберите цепь согласно схеме (рис. 2.6.1, 2.6.2). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Регулирование напряжения U _КЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения. Для предотвращения подачи обратного напряжения на транзистор в цепь коллектора включён диод. Переход эмиттер база также защищён шунтирующим диодом. Измерение тока базы I _Б и напряжения U _БЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно, Пределы измерения тока коллектора I _К и напряжения U _КЭ изменяются в ходе работы по мере необходимости. При сборке схемы предусмотрите перемычки для переключения амперметра из одной ветви в другую.
• Установите первое значение тока базы 20 μА, переключите миллиамперметр в цепь коллектора и, изменяя напряжение U _КЭ согласно значениям, указанным в табл. 2.6.1, снимите зависимости I _К (U _КЭ) и U _БЭ (U _КЭ). Повторите эти измерения при каждом значении I _Б, указанном в таблице.

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения I_БЭ и U_КЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Рис. 2.6.1

Рис. 2.6.2

Таблица 2.6.1

• На рис. 2.6.3 постройте графики семейства выходных характеристик I _К (U _КЭ) и семейство характеристик обратной связи U _БЭ (U _КЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.
• Установите U _КЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 5.3.2, снимите зависимость U _БЭ (I _Б), Увеличьте напряжение U _КЭ до 5 В и снова снимите зависимость U _БЭ (I _Б), а также и I _К (I _Б). Повторите этот опыт также при U _КЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).
• На рис. 5.3.3 постройте графики входных I _Б (U _БЭ) и регулировочных I _К (I _Б) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения U _КЭ.

Таблица 2.6.2

Рис. 5.3.3

Контрольные вопросы

1. Что такое область отсечки, область активного усиления и область насыщения на семействе выходных характеристик транзистора?
2. Какое явление в транзисторе отражает характеристика обратной связи?
3. Как можно построить характеристику управления по семейству выходных характеристик?