Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Результаты полученных измерений и расчетов

⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 3




Результаты эксперимента для выбранной партии светодиодов представлены в таблице 3.1.

 

Таблица 3.1 Результаты испытаний при ступенчато возрастающей нагрузке

До испытаний (Фср = 21,76 Лм)
№                    
Uпр, В 2,95 2,95 2,95 3,1 2,94 2,95 2,95 2,96 3,11 3,11
Ф, Лм 22,08 22,02 21,87 21,07 21,97 21,94 21,87 22,56 21,04 21,18
После 1- ой ступени (T = 85 0C, I = 60 мА) (Фср = 21,81 Лм)
Uпр, В 2,92 3,09 2,95 3,1 2,94 2,95 2,95 2,96 2,98 2,96
Ф, Лм 22,11 21,25 21,7 21,04 21,95 22,03 21,86 22,64 21,68 21,85
После 2- ой ступени (T = 85 0C, I = 66 мА) (Фср = 21,54 Лм)
Uпр, В 2,95 2,95 2,96 3,1 2,95 2,95 2,95 3,12 2,99 2,96
Ф, Лм 20,29 21,39 21,51 20,94 21,88 22,04 21,93 21,91 21,64 21,93
После 3- ой ступени (T = 85 0C, I = 72 мА) (Фср = 21,58 Лм)
Uпр, В 2,95 2,95 2,96 3,1 2,94 2,95 2,95 2,96 2,96 2,95
Ф, Лм 20,79 21,71 21,31 20,54 21,74 21,89 21,86 22,57 21,54 21,83
После 4- ой ступени (T = 85 0C, I = 78 мА) (Фср = 21,45 Лм)
Uпр, В 2,95 2,95 2,95 2,96 2,95 2,95 2,95 2,96 2,96 2,95
Ф, Лм 20,77 21,85 20,59 21,2 21,55 21,39 21,69 22,58 21,31 21,55
После 5- ой ступени (T = 85 0C, I = 84 мА) (Фср = 21,56 Лм)
Uпр, В 2,95 2,94 2,95 2,95 2,94 2,94 2,94 2,96 2,95 2,95
Ф, Лм 20,98 21,91 21,31 21,46 21,51 21,81 21,5 22,63 21,22 21,31
После 6- ой ступени (T = 85 0C, I = 96 мА) (Фср = 21,19 Лм)
Uпр, В 2,95 3,08 2,95 2,95 2,94 2,95 2,95 2,96 2,96 2,95
Ф, Лм 21,07 20,36 20,59 20,56 21,8 21,7 21,29 22,53 20,59 21,39
После 7- ой ступени (T = 100 0C, I = 102 мА) (Фср = 20,87 Лм)
Uпр, В 2,95 2,94 2,95 2,95 2,94 2,94 2,95 2,96 2,96 2,95
Ф, Лм   20,63 20,53 19,28 21,10 20,86 21,22 22,41 20,14 21,48
После 8- ой ступени (T = 100 0C, I = 112 мА) (Фср = 20,49 Лм)
Uпр, В 2,95 2,94 2,95 2,95 2,94 2,94 2,95 2,96 2,96 3,1
Ф, Лм 20,91 20,45 19,97 18,68 21,02 21,28 21,11 21,92 19,82 19,76
После 9- ой ступени (T = 100 0C, I = 160 мА) (Фср = 19,06 Лм)
Uпр, В 3,1 3,08 2,95 2,95 2,94 2,94 3,08 3,47 2,96 3,09
Ф, Лм 19,02 18,86 18,76 17,74 19,65 20,18 19,05 17,94 20,59 18,82
После 10- ой ступени (T = 100 0C, I = 200 мА) (Фср = 14,67 Лм)
Uпр, В 3,09 2,94 2,95 3,08 3,46 2,96 3,21 - 4,59 4,38
Ф, Лм 18,78 15,53 17,38 11,2 17,23 10,24 17,26 -   9,49

 

По полученным данным была построена зависимость снижения светового потока от времени испытаний. Полученная зависимость представлена на рисунке 3.1.

Рисунок 3.1 Снижение величины светового потока от времени испытаний

По формулам, 1.1-1.3 сначала определяем долю снижения светового потока при испытаниях со ступенчато возрастающей нагрузкой

 

,

 

,

 

,

 

Затем по формулам 1.4 и 1.5 рассчитываем параметр формы распределения отказов во времени и энергию активации

 

 

 

 

Заключение

 

В результате проделанной работы были проведены испытания при ступенчато-возрастающей нагрузке светодиодов корейской фирмы «Seoul Semiconductor» марки STW8T36B. И проведен анализ полученных результатов.

Для исследуемых полупроводниковых источников света доминирующим механизмом деградации является уменьшение светового потока. В ходе ускоренных испытаний при ступенчато возрастающей нагрузке было определено, что существенное снижение светового потока происходит при токах более 100 мА и температуре окружающей среды 100 оС. Это может быть связано с резким увеличением температуры кристалла, в результате чего происходят изменения в кристалле, взаиммодиффузия в области p-n перехода.

По результатам испытаний была определена энергия активации механизма деградации, которая составила Ea = 0,562 эВ. Что хорошо совпадает с теоретическими данными представленными в таблицы для GaAlAs, она составляет 0,56 – 0,65 эВ.

⇐ Предыдущая123

Date: 2015-07-01; view: 259; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...


mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию