Исследование принципов построения и свойств резистивных уси­лительных каскадов при их работе в режиме малого сигнала

Часть 1. Исследование принципов обеспечения требуемого начального значения тока I_К0.

Общие сведения.

Важнейшими требованиями, предъявляемыми к усилительным каскадам любого типа, являются стабильность и опредёленность их основных свойств, малая зависимость этих свойств от характеристик конкретного усилительного прибора и от уровня воздействия на схему усилительного каскада дестабилизи­рующих факторов. В качестве дестабилизирующих факторов могут выступать температурные изменения, технологический или другой разброс параметров транзистора.

Основные свойства усилительного каскада при данном схемном построе­нии, в первую очередь, обусловливаются режимом работы его усилительного прибора. Этот режим характеризуется положением исходной рабочей точки (ИРТ), которое определяется средним значением I_К0 коллекторного тока и сред­ним значением U_КЭ0 напряжения коллектор-эмиттер. Транзистор в каскадах усиления обычно работает в режиме, при котором I_К0 практически не зависит от U_КЭ0, а I_К0 = I_Э0. Этот режим работы соответствует условию U_КЭ0 > U_нач, где U_нач – протяжённость начального участка выходных вольт-амперных характеристик транзистора (рис.1). Здесь и в дальнейшем полярности напряжений и направле­ний токов указываются применительно к транзисторам n-p-n типа.

В процессе усиления сигналов в результате их воздействия на вход тран­зистора значения тока I_К и напряжения U_КЭ изменяются. Точка плоскости вы­ходных вольт-амперных характеристик, связывающая текущие значения I_К и U_КЭ, называется рабочей точкой (РТ). Считается, что транзистор работает в усилительном режиме, если в процессе усиления сигналов траектория движе­ния РТ не соприкасается с линиями насыщения и отсечки, а именно, выполня­ются условия U_КЭmin >1.1 … 1.2 U_нач; I_Кmin >1.1 …1.2 I_нач Линия или траектория, по которой движется рабочая точка в процессе воздействия на кас­кад усиливаемых сигналов, называется нагрузочной линией, или нагрузочной характеристикой. При чисто резистивном характере нагрузки эта линия пред­ставляет собой прямую, проходящую через исходную рабочую точку. Требуемое значение тока I_Э0 обычно задаётся по так называемой схеме эмит­терно-базовой стабилизации (рис.2). При ней потенциал базы U_Б0 фиксиру­ется за счёт питания базового вывода транзистора от низкоомной цепи, например с помощью делителя, в котором выполняется условие I_дел >> I_Б0. (Здесь и в даль­нейшем индексация элементов схем осуществляется в соответствии со схемой лабораторного макета (рис.3)). В эмиттерной цепи транзистора с помо­щью ре­зистора R8 и протекающего через него тока I_Э0 создаётся разность потенциалов U_R8 = I_Э0R8.

С точки зрения обеспечения в этой схеме стабильного и определенного тока I_Э0, существенным является то, что в транзисторах разность потенциалов база-эмиттер U_БЭ0 в малой степени зависит от тока I_Э0, поскольку эта зависи­мость приближается по характеру к логарифмической:

U_БЭ = m φ _T ln(I_K ∕ I_ОЭ), (1)

где m – параметр, значение которого близко к 1 при малых I_К и достигает 3…5 при I_К, приближающихся к максимально допустимым; I_ОЭ – обратный ток на­сыщения перехода база-эмиттер; φ _T = 0,026В. Для кремниевых транзисторов, работающих в режиме усиления U_БЭ0 = 0,7В, где U_БЭ0 – разность потенциалов U_БЭ, отвечающая усилительному режиму работы транзистора. Таким образом, можно считать, что в усилительной схеме, организованной на базе кремниевого транзистора, потенциал U_Б0 передаётся (транслируется) в эмиттер транзистора за вычетом фиксированного значения U_БЭ0 = 0,7В. Благодаря этому разность потенциалов U_R8 на эмиттерном резисторе R8 независимо от свойств конкрет­ного и значения тока I_К0 определяется соотношением

. (2)

Отклонения ∆ I_К0 коллекторного тока от ожидаемого значения I_К0 опреде­ляются возможными вариациями ∆ U_БЭ из-за температурных изменений и тех­нологического разброса параметров; при этом ∆ I_К0 = ∆ U_БЭ ∕ R8, а

∆ I_К0 ∕ I_К0 = ∆ U_БЭ ∕ U_БЭ.

Таким образом, с точки зрения обеспечения стабильности и определённо­сти тока I_К0, малой зависимости этого тока от свойств конкретного транзистора и возможных температурных изменений, желательно, чтобы в схеме рис.2 вы­полнялись следующие соотношения U_Э0 >> ∆ U_БЭ, I_дел >> I_Б0, I_Б0R19 << U_Б0.

Порядок выполнения первой части работы.

В ходе выполнения лабораторных исследований определите зависимость разности потенциалов U_БЭ от тока I_Э, при этом сопоставьте ход данной зависи­мости с аналогичной, описываемой соотношением (1) для случая m =1 и I_ОЭ, вы­численной по формуле

I_ОЭ = I_Э exp(-U_БЭ ∕ φ _T), (3)

где I_Э, U_БЭ – значения тока и напряжения, отвечающие начальному участку из­меренной зависимости U_БЭ = f(I_К), когда m =1 (S3 – 1). В ходе исследований также оцените ход зависимости m от тока I_Э0, при этом текущие значения m при раз­личных I_Э и U_БЭ вычислите по формуле

m= U_БЭ ∕ ( φ _T ln(I_Э ∕ I_ОЭ)), где I_Э = U_R8 ∕ R8. (4)

1. Исследуйте зависимость постоянных напряжений на выводах транзи­стора от тока эмиттера I_Э, для этого при ряде значений резистора R4 (положениях 1…7 переключателя S3) схемы рис.3 с помощью цифрового вольтметра постоянного тока измерьте значения потенциалов U_Б0, U_К0, U_Э0 в точках а, б и в (S6 – 1, 2 и 3). Измерения осущест­вите при S4 – 5, S7 – 1. Поло­жение остальных переключателей произвольное.

2. По результатам измерений п.1 вычислите значения тока I_Э = U_R8 ∕ R8 и разности потенциалов U_БЭ= U_Б0 - U_Э0. Результаты измерений представьте в виде графика зависимости U_БЭ = f(I_Э), а также графиков, соответствующих проведён­ным по формулам (1), (3) и (4) вычислениям.

Часть 2. Измерение низкочастотных Y – параметров транзистора и их зависимости от положения исходной рабочей точки.

Общие сведения.

Биполярный транзистор как трёхполюсный элемент может быть подклю­чен к схеме шестью способами. На практике используются только три из них. Эти способы иллюстрирует рис.4, на котором изображены эквивалентные схемы каскадов для переменного тока. Во всех схемах рис.4
один электрод тран­зистора является общим для входных 1 – 1` и выходных

2 – 2` зажимов, в связи с чем схема рис.4,а называется схемой с общим эмитте­ром (ОЭ), рис.4,б – с общим коллектором (ОК), рис.4,в с общей базой (ОБ). Схемы рис.4 являются эквивалентными схемами исследуемого лабораторного макета (рис.3) для области основных, так называемых средних частот (СЧ). Каскады организуются таким образом, что в этой области частот оказываются справедливыми следующие допущения:

а) блокирующие и разделительные конденсаторы (С7, С2, С3, С9, С4, С6) имеют пренебрежимо малое сопротивление;

б) проводимости паразитных ёмкостей, шунтирующих пути прохождения сигнала, малы;

в) инерционные свойства транзистора не проявляются, в результате чего Y -параметры транзистора выражаются вещественными числами. Такие пара­метры транзистора называют низкочастотными g -параметрами.

При составлении эквивалентных схем для переменного тока источники питания заменяются коротким замыканием.

Наибольшее усиление K_P по мощности обеспечивает включение по схеме ОЭ (см. рис.4,а). Это включение называется основным. При основной схеме включения имеют место не только наибольшее усиление по мощности, но и существенные усиления по напряжению и току. Параметры основной схемы используются в качестве исходных при расчётах. Связи Y -параметров и, соот­ветственно, g -параметров транзистора при включениях ОБ и ОК с Y -параметрами включения ОЭ определяются соотношениями:

Y_11ОК = Y_11ОЭ; Y_11ОБ = Y_11ОЭ + Y_21ОЭ + Y_12ОЭ + Y_22ОЭ;

Y_21ОК = - Y_11ОЭ - Y_21ОЭ; Y_21ОБ = - Y₂₁;

Y_22ОК = Y_11ОЭ + Y_21ОЭ + Y_12ОЭ + Y_22ОЭ; Y_22ОБ = Y₂₂; (5)

Y_12ОК = - Y_11ОЭ - Y_12ОЭ; Y_12ОБ = - Y_12ОЭ - Y_22ОЭ.

Одним из распространённых описаний вольт-амперных характеристик транзистора, используемых при анализе свойств усилительных схем, является модель Эберса-Молла. Согласно этой модели,

I_К = I_Э = I_ОЭ exp (U_БЭ ∕ m φ _T); (6)

g₂₁ = ∂ I_K ∕ ∂ U_БЭ = I_Э0 ∕ m φ _T; (7)

g₁₁ = ∂ I_Б ∕ ∂ U_БЭ = I_Э0 ∕ m φ _T h_21Э; g₁₂ = 0, (8)

где h_21Э – коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмитте­ром. Соотношения (7) и (8) вытекают из (6).

Известно также, что значение выходной проводимости g₂₂ как функции положения ИРТ приближённо со­ответствует формуле

g₂₂ = I_Э ∕ (| U_ЭР | + | U_КЭ |), (9)

где U_ЭР – потенциал Эрли.

Влияние потенциала Эрли на вид выходных вольт-амперных характеристик транзистора иллю­стрирует рис.5. На нём приведены построенные в соответствии с (9) графики зависимостей I_К от U_КЭ, аппроксимирующие указанные характеристики при U_КЭ0 > U_нач.

Порядок выполнения второй части работы.

В ходе выполнения исследований по второй части для включения транзи­стора по схеме ОЭ (S5 – 1) необходимо определить значения параметров g₂₁, g₁₁ и g₂₂ и оценить характер их зависимости от I_Э0.

Измерение следует выполнить на частоте 1кГц при относительно не­больших значениях входного сигнала (U_ВХ = 10мВ). При измерениях необхо­димо иметь в виду, что Y – параметры транзистора соответствуют ре­жиму короткого замыкания входных и выходных зажимов транзистора. Поэтому из­мерение параметров необходимо осуществлять в условиях, когда внешние по отношению к транзистору цепи имеют по возможности малое со­противление. В ходе выполнения исследований измерение переменных потенциалов произво­дится с помощью цифрового вольтметра. Точки подклю­чения входов вольтметра и осциллографа определяются положениями переключателя S6.

1. Исследуйте зависимость параметра g₂₁ транзистора схемы ОЭ от тока I_Э0. Для этого при низкоомном источнике синусоидального сигнала (S1 – 1, S2 – 1) на частоте 1кГц в режиме, близком к режиму короткого замыкания на выходе (S4 – 1, S7 – 3), измерьте при ряде положений переключателя S3 (положениях 1…7) значения переменного напряжения U_ВЫХ на коллекторе транзистора (S6 – 2). Перед началом измерений установите на входе U_ВХ = 10мВ (S6 – 1, S7 – 1). По результатам измерений вычислите значения параметра g₂₁ по формуле

g₂₁ = U_ВЫХ(1 ∕ R6 + 1 ∕ R17) ∕ U_ВХ. (10)

Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков зависимостей g₂₁ = f(I_Э0), один из которых построен по результатам измерений, а другой – на основании вычислений по формуле (7) с подстановкой в неё значений I_Э и m, найденных при вычислениях по п.2 (порядок выполнения первой части работы).

2. Исследуйте зависимость входной проводимости g₁₁ от тока I_Э0. Измерения необходимо осуществлять при U_ВЫХ = 0 (S4 – 3), заземлённых по сигнальной составляющей, эмиттере (S5 – 1), коллекторе (S4 – 3) и при источнике сигнала с выходным сопротивлением R1 = 240 Ом (S2 – 2) и ЭДС U_Г = 20мВ (S6 – 4, S7 – 1).

В ходе измерений необходимо для ряда значений тока I_Э0 (положения 1…7 переключателя S3) определить значения сигнального напряжения U_ВХ на базе транзистора (S6 – 1) и U`<sub>ВХ</sub> в точке “г” схемы рис.3. По результатам измерений U<sub>ВХ</sub> и U`_ВХ вычислите значения параметров g₁₁ и h₂₁ по формулам:

g₁₁ = (U`_ВХ - U_ВХ) ∕ R1 U_ВХ – g_дел; h₂₁ = g₂₁ ∕ g₁₁, (11)

где g_дел – полная проводимость цепи делителя, шунтирующего вход транзистора на переменном токе. Проводимость g_дел при различных положениях переключателя S3 принимает значения: 1 – 0.55, 2 – 0.65, 3 – 0.7, 4 – 0.75, 5 – 0.8, 6 – 0.9, 7 – 1.0 мСм.

Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков зависимостей g₁₁ = f(I_Э0) и h₂₁ = f(I_Э0), где g₁₁, h₂₁, I_Э0 – значения, вычисленные в соответствии с (11) и (2).

3. Исследуйте зависимость выходной проводимости g₂₂ транзистора от положения исходной рабочей точки. Измерения необходимо осуществить при низкоомном источнике сигнала (S2 – 1) и высокоомной коллекторной нагрузке (S4 – 5).

В ходе измерений для ряда значений тока I_Э0 (положения 1…7 переключателя S3) определите относительные изменения N = U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ сигнального напряжения на выходе каскада (S6 – 2), возникающие при шунтировании его выхода дополнительным сопротивлением R18 = 1кОм

(S7 - 2). В начале измерений (S3 – 1) рекомендуется установить уровень входного сигнала, при котором U_ВЫХ = 0.1В (S6 – 2). Значения параметра g₂₂ вычислите по формуле

. (12)

С помощью соотношения (9), результатов вычислений g₂₂ по формуле (12) и полученных в п.1 (порядок выполнения первой части работы)данных о I_Э, U_КЭ оцените значение потенциала Эрли.

Часть 3. Исследование свойств усилительного каскада при различных способах включения транзистора в его схему.

Общие сведения.

Из трёх используемых на практике способов включения транзистора в схему усилительного каскада наибольшее распространение получила схема ОЭ (рис.4,а), поскольку при ней в каскаде наилучшее сочетание таких основных параметров каскада как его усиление по мощности K_P, току K_I и напряжению K, значений входной g_ВХ и выходной проводимостей g_ВЫХ. Поэтому при построении усилительных трактов в первую очередь ориентируются на использование схемы ОЭ, считая её основной схемой включения. В каскаде ОК (рис.4,б) коэффициент передачи схемы по напряжению близок к единице, в результате чего выходной сигнал U_ВЫХ по значению и фазе повторяет входной U_ВХ, поэтому каскад ОК называют повторителем напряжения. Достоинством повторителя типа ОК является то, что он обладает малой входной и большой выходной проводимостями.

В схеме ОБ (рис.4,в) выходной ток I_ВЫХ приблизительно равен входному I_ВХ, поэтому каскад можно рассматривать как повторитель тока с коэффициентом передачи по току K_I = 1. Схема ОБ обладает большой входной проводимостью, отсутствием усиления по току, пониженным, по сравнению со схемой ОЭ, усилением по мощности. По сравнению с каскадами ОЭ, в каскадах ОБ в малой степени проявляется действие паразитных обратных связей через паразитные ёмкости, поэтому схемное построение ОБ часто применяют в усилительных трактах, работающих на повышенных частотах.

Основные параметры каскадов ОЭ, ОК и ОБ могут быть выражены через Y -параметры соответствующих схем включения транзистора с помощью следующих соотношений:

K = Y₂₁ ∕ (Y₂₂ + Y_Н); K_I = K Y_ВЫХ ∕ Y_ВХ; K_P = K K_I;

Y_ВЫХ = Y₂₂ + Y₁₂ Y₂₁ ∕ (Y₁₁ + Y_С); Y_ВХ = Y₁₁ + Y₁₂ K, (13)

где Y_С – выходная проводимость источника сигнала.

Порядок выполнения третьей части работы.

Измерения выполняются на частоте 1кГц.

1. Исследуйте свойства каскада ОЭ при R_Н = 900 Ом (S1 – 1, S2 – 1 и 2, S4 – 5, S5 – 1, S7 - 1), I_Э0 = 5мА (S3 – 3) и входном сигнале ≈10мВ. Измерение и вычисление основных параметров К, g_ВХ, g_ВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = U_ВЫХ ∕ U_ВХ; g_ВХ = (U_Г – U_а) ∕ R1 U_а; g_ВЫХ = [R18(U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ - 1)]^-1,

где R1 = 240 Ом (S2 – 2), U_ВХ = U_Б или U_а, U_ВЫХ = U_К или U_б; U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ – относительное уменьшение напряжения U_ВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R18 (S7 – 2). Измерение g_ВЫХ проводите при R_С ≈ 0 (S2 – 1) и R_С ≈ 240 Ом (S2 – 2).

2. Исследуйте свойства каскада ОК при R_Н = 510 Ом (S4 – 3, S5 – 6 или 8, S7 - 1), I_Э0 = 5мА (S3 – 3) и входном сигнале ≈50-100мВ. Измерение и вычисление основных параметров К, g_ВХ, g_ВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = U_ВЫХ ∕ U_ВХ; g_ВХ = (U_Г – U_а) ∕ R1 U_а; g_ВЫХ = [R17 (U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ - 1)]^-1,

где R1 = 240 Ом (S2 – 2), U_ВХ = U_Б или U_а, U_ВЫХ = U_Э или U_в; U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ – относительное уменьшение напряжения U_ВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R17 (S7 – 3).

Измерение g_ВХ проводите при двух вариантах построения каскада ОК (S5 – 6 и S5 – 8). При сравнительном анализе результатов измерений g_ВХ следует иметь в виду, что в схеме с S5 – 6 практически исключено влияние на значение входной проводимости низкоомного делителя в цепи базы за счёт подключения с помощью конденсатора С6 выхода этого делителя не к входу схемы, а к её выходу.

Измерение g_ВЫХ проводите при R_С ≈ 0 (S2 – 1) и R_С ≈ 18кОм (S2 – 3) при этом S5 – 6.

3. Исследуйте свойства каскада ОБ при R_Н = 900 Ом (S1 – 1, S2 – 5, S4 – 5, S5 – 5, S7 - 1), I_Э0 = 5мА (S3 – 3) и входном сигнале ≈10мВ. Измерение и вычисление основных параметров К, g_ВХ, g_ВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = U_ВЫХ ∕ U_ВХ; g_ВХ = (U_Г – U_в) ∕ R16 U_в; g_ВЫХ = [R18(U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ - 1)]^-1,

где U_ВХ = U_Э или U_в, U_ВЫХ = U_К или U_б; U_ВЫХ ∕ U`_ВЫХ – относительное уменьшение напряжения U_ВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R18 (S7 – 2).

4. С помощью (13) и (5) и полученных в п.1…3 (порядок выполнения второй части работы) данных о параметрах транзистора при S3 – 3 вычислите значения параметров K, K_I, K_P, g_ВХ и g_ВЫХ. При расчётах полагайте, что

g₁₂ = 0.

Часть 4. Исследование свойств каскадов ОЭ, ОК, ОБ при их работе в условиях отсутствия заземлённости общего провода.

Общие сведения.

Часто активный прибор умышленно или помимо желания разработчика оказывается включённым в схему каскада таким образом, что в цепях заземления общих для входных и выходных электродов схем рис.4 оказывается включённым дополнительный двухполюсник Z_f, как это показано на рис.6.

Схемы рис.6 можно рассматривать как разновидности соответствующих схем рис.4, отличающиеся от последних наличием дополнительного сопротивления Z_f ≠ 0. Включение в схему сопротивления Z_f вызывает появление внутрикаскадной отрицательной обратной связи, которая понижает входную проводимость, повышает устойчивость параметров каскада по отношению к воздействию дестабилизирующих факторов, но при этом снижает коэффициент усиления по напряжению. В дальнейшем параметры,
соответствующие случаю Z_f ≠ 0, будем отмечать дополнительным индексом “ f “. Относительное влияние отрицательной обратной связи характеризуют её глубиной – числом F, показывающим, во сколько раз уменьшается коэффициент усиления схемы при введении в неё обратной связи.

Сопротивление Z_f удобно рассматривать как составную часть самого транзистора, имеющего другие изменённые значения Y -параметров – значения Y_f. Эти значения для всех схем включения транзистора в каскад определяются соотношениями:

где ∆ _ОЭ = ∆ _ОК = ∆ _ОБ = Y₁₁ Y₂₂ - Y₁₂ Y₂₁;

F_ОЭ = 1 + (Y₁₁ + Y₂₁ + Y₁₂ + Y₂₂) Z_f ≈ 1 + (Y₁₁ + Y₂₁) Z_f;

F_ОБ = 1 + Y₁₁ Z_f; F_ОК = 1 + Y₂₂ Z_f.

В условиях, когда Z_f ≠ 0 (F > 1) происходит стабилизация параметров каскада, уменьшение чувствительности этих параметров к проявлению дестабилизирующих факторов. Например, чувствительность S^Kf_Ik0 коэффициента усиления K_f в схеме рис.6,а к изменениям ∆ I_К (∆ I_К ≈ ∆ I_Э) коллекторного тока I_К (I_К ≈ I_Э) меньше соответствующей чувствительности S^K_Ik0 в схеме рис.4,а в F раз. Значение чувствительности параметра K к дестабилизирующему фактору ∆ I_К определяется соотношением

, (14)

где I_К0 = √(I_К01 I_К02) - усреднённое значение тока I_К на интервале его изменения от I_К01 до I_К02; K = √(K1 K2) – усреднённое значение коэффициента усиления на интервале, соответствующем изменениям тока I_К на ∆ I_К0 = I_К02 - I_К01.

Порядок выполнения четвёртой части работы.

1. Исследуйте влияние на параметры транзистора дополнительного ре­зистора R_f, включённого в его эмиттерную цепь. Для этого при I_Э0 ≈ 5мА (U_R8 ≈ 2.5В, S3 – 3) и R_f = 11 Ом (S5 – 2) определите значение параметров g_21f, g_11f, g_22f. Измерение указанных параметров осуществите по методикам, аналогич­ным методикам пп.1…3 (порядок выполнения второй части работы). Сопоставьте относительные различия соответствующих параметров, изме­ренных в дан­ном пункте и пп.1…3 (порядок выполнения второй части работы) и между собой, а также с глубиной обрат­ной связи, вычисленной по формуле F = 1 + g₂₁R14.

2. Исследуйте стабилизирующее влияние на коэффициент усиления каскада ОЭ дополнительного резистора, включённого в эмиттерную цепь транзистора. Для этого при отсутствии (S5 – 1) и наличии (S5 – 2) обратной связи измерьте относительные изменения Δ К ∕ К и Δ К_f ∕ К_f коэффициентов К и К_f, вызванные изменениями эмиттерного тока от I_Э01, соответствующего S3 – 3, до I_Э02, соответствующего S3 – 4. Определите значения токов I_Э01 и I_Э02 по падению постоянного напряжения на R8, считая, что I_Э = U_R8 ∕ R8. Измере­ния значений К и К_f выполните при U_ВХ = 10 мВ и сопротивлении нагрузки 100 Ом (S4 – 1) при R_С ≈ 10 Ом (S2 – 1).

По результатам измерений и вычислений определите по формуле (14) и сравните между собой значения чувствительностей S^K_Ik0 и S^Kf_Ik0. Сопоставьте результат сравнения со значением глубины обратной связи F, считая, что

F = K ∕ K_f.

Контрольные вопросы.

1. Объясните. почему в схемах рис.2 и 3 в условиях когда U_КЭ > U_нач, зна­чение I_К0 практически не зависит от R_К, но изменяется пропорционально изменениям R8?

2. Почему для обеспечения малой зависимости I_К0 от свойств конкретного транзистора необходимо в схеме рис.2 выполнить условие I_дел >> I_Б0?

3. Выделите общие и различающиеся принципы, используемые при орга­низации схем ОЭ, ОБ, ОК, предназначенных для усиления переменных сигналов.

4. На схеме рис.3 укажите положения переключателей, соответствующие следующим схемам включения транзистора в каскад ОЭ, ОЭ _f, ОБ, ОБ _f, ОК, ОК _f.

5. Какие допущения используют при составлении эквивалентных схем каскада для области средних частот?

6. Что такое низкочастотные Y – параметры транзистора?

7. Какова методика измерения параметров g₂₁, g₁₁ и g₂₂? Почему в схемах ОЭ и ОБ измерение g₂₂ проводится с помощью резистора 1кОм, а в схеме ОК – 30 Ом?

8. Почему при больших значениях I_К0 (S3 – 7) измеренные значения g -па­раметров существенно отличаются от вычисленных по формулам (10), (11) и (12)?

9. Каково соотношение между g_ВХ схемы ОБ и g_ВЫХ схемы ОК?

10. Почему схема ОК с S5 – 6 обладает повышенным входным сопротив­лением по сравнению со схемой ОК с S5 – 8 (см. рис.3)?

11. Дайте сравнительный анализ схем ОЭ, ОБ и ОК по параметрам g_ВХ и g_ВЫХ.

12. Дайте сравнительный анализ схем ОЭ И ОЭ _f по параметрам K, K_I и K_P.

13. Каково назначение резистора R14 в лабораторной установке и как от­ражается его включение в схему на свойствах каскада ОЭ?

14. Каково назначение резистора R3 и как отражается его включение в схему на свойствах каскада ОБ?

15. Каково назначение резистора С3 и как отразится его исключение из схемы на свойствах каскада ОК?