Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Для нового макета ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2
Порядок выполнения первой части работы.
В ходе выполнения лабораторных исследований определите зависимость разности потенциалов UБЭ от тока IЭ, при этом сопоставьте ход данной зависимости с аналогичной, описываемой соотношением (1) для случая m =1 и IОЭ, вычисленного по формуле IОЭ = IЭ exp(-UБЭ ∕ φ T), (3) где IЭ, UБЭ – значения тока и напряжения, отвечающие начальному участку измеренной зависимости UБЭ = f(IК), когда m =1 (ток IЭ = 1мА). В ходе исследований также оцените ход зависимости m от тока IЭ0, при этом текущие значения m при различных IЭ и UБЭ вычислите по формуле m= UБЭ ∕ ( φ T ln(IЭ ∕ IОЭ)), где IЭ = UЭ0 ∕ R8. (4) 1. Исследуйте зависимость постоянных напряжений на выводах транзистора от тока эмиттера IЭ, для этого при ряде значений IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) измерьте значения потенциалов UБ0, UК0, UЭ0. Регулировка эмиттерного тока осуществляется изменением напряжения смещения на базе транзистора (ручка ЕСМ). Измерения осуществите при S3 – 4, S2 – 1, S4 – 2 (для установки тока 11 мА использовать S4 – 1). Положение остальных переключателей произвольное. 2. По результатам измерений п.1 вычислите значения тока IЭ = UЭ0 ∕ R8 (или IЭ = UЭ0 ∕ R6) и разности потенциалов UБЭ= UБ0 - UЭ0. Результаты измерений представьте в виде графика зависимости UБЭ = f(IЭ), а также графиков, соответствующих проведённым по формулам (1), (3) и (4) вычислениям.
Порядок выполнения второй части работы.
В ходе выполнения исследований по второй части для включения транзистора по схеме ОЭ (S5 – 1) необходимо определить значения параметров g21, g11 и g22 и оценить характер их зависимости от IЭ0. Измерение следует выполнить на частоте 1кГц при относительно небольших значениях входного сигнала (UВХ ≈ 10мВ). При измерениях необходимо иметь в виду, что Y – параметры транзистора соответствуют режиму короткого замыкания входных и выходных зажимов транзистора. Поэтому измерение параметров необходимо осуществлять в условиях, когда внешние по отношению к транзистору цепи имеют по возможности малое сопротивление. Для всех схем S2 – 1. 1. Исследуйте зависимость параметра g21 транзистора схемы ОЭ от тока IЭ0. Для этого при низкоомном источнике синусоидального сигнала (S1 – 2) на частоте 1кГц в режиме, близком к режиму короткого замыкания на выходе (S3 – 1, S6 – 3), измерьте при ряде значений тока IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) переменное напряжения UВЫХ на коллекторе транзистора. Перед началом измерений установите на входе UБ = UВХ ≈ 10мВ. По результатам измерений вычислите значения параметра g21 по формуле g21 = UВЫХ(1 ∕ R9 + 1 ∕ R19) ∕ UВХ. (10) Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков зависимостей g21 = f(IЭ0), один из которых построен по результатам измерений, а другой – на основании вычислений по формуле (7) с подстановкой в неё значений IЭ и m, найденных при вычислениях по п.2 (порядок выполнения первой части работы). 2. Исследуйте зависимость входной проводимости g11 от тока IЭ0. Измерения необходимо осуществлять при UВЫХ = 0 (S3 – 3), заземлённых по сигнальной составляющей, эмиттере (S5 – 1), коллекторе (S3 – 3) и при источнике сигнала с выходным сопротивлением R1 = 330 Ом (S1 – 3) и ЭДС UГ ≈ 20 - 30мВ. В ходе измерений необходимо для ряда значений тока IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) определить значения сигнального напряжения UВХ на базе транзистора (UВХ = UБ). По результатам измерений UВХ и UГ вычислите значения параметров g11 и h21 по формулам: g11 = (UГ - UВХ) ∕ R1 UВХ – gдел; h21 = g21 ∕ g11, (11) где gдел – полная проводимость цепи делителя, шунтирующего вход транзистора на переменном токе. Проводимость gдел = 1∕ R4. Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков зависимостей g11 = f(IЭ0) и h21 = f(IЭ0), где g11, h21, IЭ0 – значения, вычисленные в соответствии с (11) и (2). 3. Исследуйте зависимость выходной проводимости g22 транзистора от положения исходной рабочей точки. Измерения необходимо осуществить при низкоомном источнике сигнала (S1 – 2) и высокоомной коллекторной нагрузке (S3 – 4). В ходе измерений для ряда значений тока IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) определите относительные изменения N = UВЫХ ∕ U`ВЫХ сигнального напряжения на выходе каскада (на коллекторе), возникающие при шунтировании его выхода дополнительным сопротивлением R18 = 910Ом (S6 - 2). В начале измерений рекомендуется установить уровень входного сигнала UБ = UВХ ≈ 10мВ. Значения параметра g22 вычислите по формуле . (12) С помощью соотношения (9), результатов вычислений g22 по формуле (12) и полученных в п.1 (порядок выполнения первой части работы)данных о IЭ, UКЭ оцените значение потенциала Эрли.
Порядок выполнения третьей части работы.
Измерения выполняются на частоте 1кГц. 1. Исследуйте свойства каскада ОЭ при RН = 910 Ом (S1 – 2 и 3, S4 – 2, S2 – 1, S5 – 1, S6 - 1), входном сигнале ≈10мВ и IЭ0 по заданию преподавателя. Измерение и вычисление основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами: К = UВЫХ ∕ UВХ; gВХ = (UГ – UБ) ∕ R1 UБ; gВЫХ = [R18(UВЫХ ∕ U`ВЫХ - 1)]-1, где R1 = 330 Ом (S1 – 3), UВХ = UБ, UВЫХ = UК; UВЫХ ∕ U`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R18 (S6 – 2). Измерение gВЫХ проводите при RС ≈ 0 (S1 – 2) и RС ≈ 330 Ом (S1 – 3). 2. Исследуйте свойства каскада ОК при RН = 500 Ом (S2 – 1, S3 – 3, S4 – 2, S5 – 3, S6 - 1), входном сигнале ≈50-100мВ и IЭ0 по заданию преподавателя. Измерение и вычисление основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами: К = UВЫХ ∕ UВХ; gВХ = (UГ – UВХ) ∕ R1 UВХ; gВЫХ = [R12 (UВЫХ ∕ U`ВЫХ - 1)]-1, где R1 = 330 Ом (S1 – 3), UВХ = UБ, UВЫХ = UЭ; UВЫХ ∕ U`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R12 (S5 – 2). Измерение gВХ проводите при двух вариантах построения каскада ОК (S2 – 1 и S2 – 2). При изменении положения переключателя S2 не забудьте отрегулировать ток IЭ0. Измерение gВЫХ проводите при RС ≈ 0 (S1 – 2) и RС ≈ 20кОм (S1 – 4) при этом S2 – 2. 3. Исследуйте свойства каскада ОБ при RН = 910 Ом (S1 – 5, S2 – 1, S4 – 2, S5 – 5, S6 - 1), входном сигнале ≈10мВ и IЭ0 по заданию преподавателя. Измерение и вычисление основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами: К = UВЫХ ∕ UВХ; gВХ = (UГ – UВХ) ∕ R16 UВХ; gВЫХ = [R18(UВЫХ ∕ U`ВЫХ - 1)]-1, где UВХ = UЭ, UВЫХ = UК; UВЫХ ∕ U`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R18 (S6 – 2). 4. С помощью (13) и (5) и полученных в п.1…3 (порядок выполнения второй части работы) данных о параметрах транзистора при соответствующем токе IЭ0 вычислите значения параметров K, KI, KP, gВХ и gВЫХ. При расчётах полагайте, что g12 = 0.
Порядок выполнения четвёртой части работы.
1. Исследуйте влияние на параметры транзистора дополнительного резистора Rf, включённого в его эмиттерную цепь. Для этого при IЭ0 по заданию преподавателя и Rf = 24 Ом (S5 – 2) определите значение параметров g21f, g11f, g22f. Измерение указанных параметров осуществите по методикам, аналогичным методикам пп.1…3 (порядок выполнения второй части работы). Сопоставьте относительные различия соответствующих параметров, измеренных в данном пункте и пп.1…3 (порядок выполнения второй части работы) (порядок выполнения второй части работы) и между собой, а также с глубиной обратной связи, вычисленной по формуле F = 1 + g21R12. 2. Исследуйте стабилизирующее влияние на коэффициент усиления каскада ОЭ дополнительного резистора, включённого в эмиттерную цепь транзистора. Для этого при отсутствии (S5 – 1) и наличии (S5 – 2) обратной связи измерьте относительные изменения Δ К ∕ К и Δ Кf ∕ Кf коэффициентов К и Кf, вызванные изменениями эмиттерного тока от IЭ01 = 3мА до IЭ02 = 5мА. Измерения значений К и Кf выполните при UВХ = 10 мВ и сопротивлении нагрузки 91 Ом (S3 – 1) при RС ≈ 0 Ом (S1 – 2). S2 – 1 и S4 – 2. По результатам измерений и вычислений определите по формуле (14) и сравните между собой значения чувствительностей SKIk0 и SKfIk0. Сопоставьте результат сравнения со значением глубины обратной связи F, считая, что F = K ∕ Kf.
|