Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Обработка результатов. 1. По формуле (3) вычисляют фототок и строят вольт-­амперную характеристику полупроводника





1. По формуле (3) вычисляют фототок и строят вольт-­амперную характеристику полупроводника.

2. Вычислив величины фототока и световых потоков, стро­ят график Iф (Ф) (см. форму 1).

3. Освещенность Е и лучистый поток Ф вычисляют так же, как в работе «Изучение внешнего фотоэффекта».

4. Рассчитать удельную и интегральную чувствительности по формулам (5), (6) и, используя данные из формы 2.

5. Определить среднее значение интегральной и удельной чувствительностей и границу доверительного интервала и (см. раздел «Обработка результатов измерений» и [7]).

 

Таблица измерений

Вольт-амперная характеристика (снимается при расстоянии r между ФС и лампой) r =... см.

 

Форма 1

  U, B          
  Темновой ток iт, мкА          
  Световой ток i, мкА          
  Фототок iф = iiт, мкА          
  Фотопроводимость , Ом-1          

.

Световая характеристика (снимается при постоянном напряжении).

U = … В

Форма 2

  Расстояние r, м  
  Световой ток , мкА  
  Темновой ток т, мкА  
  Фототок ф = т, мкА  
  Облученность Е, лк  
  Лучистый поток Ф, лм  
  Интегральная чувствительность ,  
  Удельная чувствительность ,  

Площадь ФС: S = 0,27.10-42).

Сила света источника I = 60 (кд).

Е = I/ r2, лк (не путать «I» с током ФС): Ф = ЕS, лм

, ; , .

 

Контрольные вопросы

1. Чем отличается внутренний фотоэффект от внешнего?

2. В каких единицах измеряется сила света и лучистый поток?

3. Начертите зонные схемы собственного и примесного полупровод­ников. Укажите положение уровня Ферми.

4. Возможен ли внутренний фотоэффект под действием монохрома­тического света с частотой n0: в электронном полупроводнике, если:

а) h n0 > D E 0, б) D E 0 > h n0 > D EД, в) h n0 > D EД; в дырочном полупроводнике, если: а) h n0 > D E 0, б) D E 0 > h n0 > D EА, в) h n0 > D EА?

5. Собственный полупроводник (германий) имеет при некоторой тем­пературе удельное сопротивление r = 0,48 Ом.м. Определите концентра­цию носителей тока, если подвижность электронов un = 0,36 м2/), под­вижность дырок uP = 0,16 м2/ (В ).

Литература: [1]; [2]; [6].

РАБОТА 87. ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ

Date: 2015-05-18; view: 620; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию