Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Обработка результатов. 1. По формуле (3) вычисляют фототок и строят вольт-амперную характеристику полупроводника1. По формуле (3) вычисляют фототок и строят вольт-амперную характеристику полупроводника. 2. Вычислив величины фототока и световых потоков, строят график Iф (Ф) (см. форму 1). 3. Освещенность Е и лучистый поток Ф вычисляют так же, как в работе «Изучение внешнего фотоэффекта». 4. Рассчитать удельную и интегральную чувствительности по формулам (5), (6) и, используя данные из формы 2. 5. Определить среднее значение интегральной и удельной чувствительностей и границу доверительного интервала и (см. раздел «Обработка результатов измерений» и [7]).
Таблица измерений Вольт-амперная характеристика (снимается при расстоянии r между ФС и лампой) r =... см.
Форма 1
. Световая характеристика (снимается при постоянном напряжении). U = … В Форма 2
Площадь ФС: S = 0,27.10-4 (м2). Сила света источника I = 60 (кд). Е = I/ r2, лк (не путать «I» с током ФС): Ф = ЕS, лм , ; , .
Контрольные вопросы 1. Чем отличается внутренний фотоэффект от внешнего? 2. В каких единицах измеряется сила света и лучистый поток? 3. Начертите зонные схемы собственного и примесного полупроводников. Укажите положение уровня Ферми. 4. Возможен ли внутренний фотоэффект под действием монохроматического света с частотой n0: в электронном полупроводнике, если: а) h n0 > D E 0, б) D E 0 > h n0 > D EД, в) h n0 > D EД; в дырочном полупроводнике, если: а) h n0 > D E 0, б) D E 0 > h n0 > D EА, в) h n0 > D EА? 5. Собственный полупроводник (германий) имеет при некоторой температуре удельное сопротивление r = 0,48 Ом.м. Определите концентрацию носителей тока, если подвижность электронов un = 0,36 м2/ (В ), подвижность дырок uP = 0,16 м2/ (В ). Литература: [1]; [2]; [6]. РАБОТА 87. ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ
|