Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
КМОП – фотодиодные СБИС
В настоящее время помимо соверщенствания ФПЗС проводятся интенсивные разработки КМОП – ФД с внутрикристальными схемами управления и обработки изображения. Рассмотрим принцип работы КМОП – ФД СБИС. Фотоприемное устройство содержит матрицу активных фоточувствительных элементов (активных пикселов), схемы управления, аналоговые усилители считывания на выходе каждого столбца, АЦП и ряд других цифровых блоков, в соответствии с рисунком 7.3. В таких матрицах схемы управления могут реализовывать произвольную координатную выборку сигналов, что значительно расширяет возможности фильтрации и обработки (в том числе параллельной) сигналов изображения. Задачи выделения окна интереса (ОИ), в котором расположена цель, и слежения за ней решаются путем считывания сигналов только требуемых элементов. А поскольку ОИ занимает небольшую часть кадра, скорость считывания, по сравнению с ФПЗС, в которых необходимо считывать весь кадр, может быть значительно увеличена. Рисунок 7.3 – Структурная схема КМОП – ФД СБИС
Активный элемент образован фотодиодом (ФД) и четырьмя транзисторами, в соответствии с рисунком 7.4, которые выполняют функции считывания заряда, накопленного фотодиодом. Рисунок 7.4 – Электрическая схема активного пиксела
На транзисторе VT3 выполнен истоковый повторитель, транзистор VT4 является элементом выборки строк. В режиме интегрирования сигналов изображения импульс R, подаваемый на транзистор VT2 равен 0. Фотодиод накапливает фотогенерируемые электроны. По мере их накопления потенциал диода уменьшается. В результате потенциал общего узла – соединения транзисторов VT1,VT2, VT3 оказывается плавающим. В режиме выборки на транзистор VT2 поступает импульс восстановления R = 1, транзистор VT2 открывается и потенциал плавающего узла восстанавливается до исходного уровня. Затем на все активные элементы выбранной строки подается импульс S1 = 1, который поступает на затвор транзистора VT1, открывая его. Накопленный фотодиодом сигнальный заряд передается на плавающий узел. После прихода импульса выборки строки RS = 1 открывается транзистор VT4. Транзисторы VT3, VT4 и общий нагрузочный транзистор столбца образуют истоковый повторитель, и на шину столбца поступает усиленный по мощности сигнал ФД. Коэффициент передачи по напряжению истокового повторителя близок к единице. На шины столбцов подаются считанные сигналы всех элементов выбранной строки. Дешифратор столбцов последовательно выбирает сигналы шин и передает их на схему аналоговой обработки сигналов отдельных активных элементов матрицы. После окончания режима считывания сигнал RS = 0 и транзистор VT4 закрывается. Начинается накопление зарядов следующего кадра изображения. Основное достоинство КМОП – ФД в сравнении с ФПЗС - возможность интеграции на одном кристалле функций приема и обработки изображения (возможна реализация однокристальной камеры с цифровым выходом). Другим достоинством КМОП – ФД является низкая потребляемая мощность, возможность программирования интересующих пользователя окон и высокая скорость считывания данных. Основные недостатки – высокий шум, обусловленный тем, что активный элемент содержит несколько МОП – транзисторов и несколько шин, низкая фоточувствительность, более высокий темновой ток, большие размеры активного элемента, меньшая чем у ФПЗС разрешающая способность. Для устранения шума процесса восстановления в КМОП – ФД было предложено заменить фотодиод фоточувствительным затвором, в потенциальной яме которого накапливаются фотогенерируемые сигнальные заряды, в соответствии с рисунком 7.5. Рисунок 7.5 – Электрическая схема элемента с совмещённым элементом
В режиме считывания на затвор транзистора VT1 подается отпирающий его импульс восстановления R1. Потенциал плавающего затвора восстанавливается до исходного уровня. Потенциальный импульс передачи открывает дополнительный затвор, накопленный сигнальный заряд перетекает в плавающий узел, и потенциальная яма фоточувствительного затвора освобождается, Потенциал узла понижается на величину заряда. Такая схема позволяет выполнить двойную корреляционную выборку (ДКВ), которая практически и устраняет шум процесса восстановления. В этом случае после восстановления плавающего потенциального узла, на затвор транзистора VT3 передается открывающий его импульс выборки строки RS1. Начальное напряжение на затворе транзистора VT2 (в которое входит и шум восстановления) через истоковый повторитель передается на шину столбца и запоминается на её выходе. При поступлении на плавающий затвор сигнального заряда напряжение на транзисторе VT2 понижается на величину поступившего заряда, и это напряжение также передается на выход шины столбца. В результате выходной сигнал представляет собой разность значений напряжения транзистора VT2, что и позволяет устранить шум восстановления. Недостаток схемы с фоточувствительным затвором – снижение фоточувствительности из-за меньшей, в сравнении с фотодиодом прозрачности затвора. Основные параметры ФПЗС и КМОП – ФД приведены в таблице 7.1.
Таблица 7.1 – Основные параметры ФПЗС и КМОП – ФД
|