Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






КМОП – фотодиодные СБИС





 

В настоящее время помимо соверщенствания ФПЗС проводятся интенсивные разработки КМОП – ФД с внутрикристальными схемами управления и обработки изображения.

Рассмотрим принцип работы КМОП – ФД СБИС. Фотоприемное устройство содержит матрицу активных фоточувствительных элементов (активных пикселов), схемы управления, аналоговые усилители считывания на выходе каждого столбца, АЦП и ряд других цифровых блоков, в соответствии с рисунком 7.3.

В таких матрицах схемы управления могут реализовывать произвольную координатную выборку сигналов, что значительно расширяет возможности фильтрации и обработки (в том числе параллельной) сигналов изображения. Задачи выделения окна интереса (ОИ), в котором расположена цель, и слежения за ней решаются путем считывания сигналов только требуемых элементов. А поскольку ОИ занимает небольшую часть кадра, скорость считывания, по сравнению с ФПЗС, в которых необходимо считывать весь кадр, может быть значительно увеличена.

Рисунок 7.3 – Структурная схема КМОП – ФД СБИС

 

Активный элемент образован фотодиодом (ФД) и четырьмя транзисторами, в соответствии с рисунком 7.4, которые выполняют функции считывания заряда, накопленного фотодиодом.

Рисунок 7.4 – Электрическая схема активного пиксела

 

На транзисторе VT3 выполнен истоковый повторитель, транзистор VT4 является элементом выборки строк. В режиме интегрирования сигналов изображения импульс R, подаваемый на транзистор VT2 равен 0. Фотодиод накапливает фотогенерируемые электроны. По мере их накопления потенциал диода уменьшается. В результате потенциал общего узла – соединения транзисторов VT1,VT2, VT3 оказывается плавающим. В режиме выборки на транзистор VT2 поступает импульс восстановления R = 1, транзистор VT2 открывается и потенциал плавающего узла восстанавливается до исходного уровня. Затем на все активные элементы выбранной строки подается импульс S1 = 1, который поступает на затвор транзистора VT1, открывая его. Накопленный фотодиодом сигнальный заряд передается на плавающий узел. После прихода импульса выборки строки RS = 1 открывается транзистор VT4. Транзисторы VT3, VT4 и общий нагрузочный транзистор столбца образуют истоковый повторитель, и на шину столбца поступает усиленный по мощности сигнал ФД. Коэффициент передачи по напряжению истокового повторителя близок к единице. На шины столбцов подаются считанные сигналы всех элементов выбранной строки. Дешифратор столбцов последовательно выбирает сигналы шин и передает их на схему аналоговой обработки сигналов отдельных активных элементов матрицы. После окончания режима считывания сигнал RS = 0 и транзистор VT4 закрывается. Начинается накопление зарядов следующего кадра изображения.

Основное достоинство КМОП – ФД в сравнении с ФПЗС - возможность интеграции на одном кристалле функций приема и обработки изображения (возможна реализация однокристальной камеры с цифровым выходом). Другим достоинством КМОП – ФД является низкая потребляемая мощность, возможность программирования интересующих пользователя окон и высокая скорость считывания данных. Основные недостатки – высокий шум, обусловленный тем, что активный элемент содержит несколько МОП – транзисторов и несколько шин, низкая фоточувствительность, более высокий темновой ток, большие размеры активного элемента, меньшая чем у ФПЗС разрешающая способность.

Для устранения шума процесса восстановления в КМОП – ФД было предложено заменить фотодиод фоточувствительным затвором, в потенциальной яме которого накапливаются фотогенерируемые сигнальные заряды, в соответствии с рисунком 7.5.

Рисунок 7.5 – Электрическая схема элемента

с совмещённым элементом

 

В режиме считывания на затвор транзистора VT1 подается отпирающий его импульс восстановления R1. Потенциал плавающего затвора восстанавливается до исходного уровня.

Потенциальный импульс передачи открывает дополнительный затвор, накопленный сигнальный заряд перетекает в плавающий узел, и потенциальная яма фоточувствительного затвора освобождается, Потенциал узла понижается на величину заряда. Такая схема позволяет выполнить двойную корреляционную выборку (ДКВ), которая практически и устраняет шум процесса восстановления. В этом случае после восстановления плавающего потенциального узла, на затвор транзистора VT3 передается открывающий его импульс выборки строки RS1. Начальное напряжение на затворе транзистора VT2 (в которое входит и шум восстановления) через истоковый повторитель передается на шину столбца и запоминается на её выходе. При поступлении на плавающий затвор сигнального заряда напряжение на транзисторе VT2 понижается на величину поступившего заряда, и это напряжение также передается на выход шины столбца. В результате выходной сигнал представляет собой разность значений напряжения транзистора VT2, что и позволяет устранить шум восстановления. Недостаток схемы с фоточувствительным затвором – снижение фоточувствительности из-за меньшей, в сравнении с фотодиодом прозрачности затвора.

Основные параметры ФПЗС и КМОП – ФД приведены в таблице 7.1.

 

 

Таблица 7.1 – Основные параметры ФПЗС и КМОП – ФД

Параметр ФПЗС КМОП-ФД
Минимальный размер пиксела, мкм   3-5   6-8
Максимальный формат, пикселов   4080×4080   2000×2000
    Минимальный шум считывания на частоте 10 МГц, число электронов 8-10(Устройство для асторономических наблюдений и специального назначения), 20-25 (Устройства бытового и промышленного назначения)   20-40
Темновой ток, нА/см2 0,01-1 2-5
Фактор заполнения, FF, % 70-90 30-50
Потребляемая мощность при частоте 30 кадров/сек, мкВт/пиксел   0,03-0,1 0,6-0,9 (для однокристальной камеры)
Неоднородность чувствительности, %   2-3   3-5
Динамический диапазон, дБ 60-70 50-60 (90, при логарифмическм выходе)
Продолжение таблицы 7.1
Произвольная выборка сигналов изображения в требуемых окнах

  Отсутствует   Реализуется
Интеграция дополнительных функций на кристалле Простые аналоговые функции обрабоки Программируемые цифровые и аналоговые функции
Внешние управляющие сигналы Источник питания на 5-12 В и 3-9 фазовых импульсов Источник питания на 2,5-5 В и одного синхроимпульса
Технология производства Специальная Отлаженная КМОП технология
Реализация цифровой камеры ФПЗС, СБИС, управление и АЦП Однокристальные
Предпочтительные области применения Научные, космические, медицинские системы Однокристальные бытовые (фото- и видео камеры), автомобильные охранные системы, видеотелефоны, СТЗ

 

Date: 2015-05-09; view: 914; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию