Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Перечень принятых обозначений





 

 

I – ток

IПР, IОБР – прямой и обратный ток соответственно

IРАБ –ток в рабочей точке

IСТ –ток стабилизации

Im –амплитудное значение тока

IДР, IДИФ – дрейфовый и диффузионный токи соответственно

IОБЩ – общий ток в полупроводнике

IДРn, IДРp – электронная и дырочная составляющие дрейфового тока соответственно

IДИФn, IДИФp – электронная и дырочная составляющие диффузионного тока соответственно

In, Ip – электронный и дырочный ток соответственно

IС –ток стока полевого транзистора

IЗ –ток затвора

IЭ , IБ , IК , –ток эмиттера, базы и коллектора соответственно

IКБО – обратный ток коллекторного перехода

IКЭО – обратный коллекторный ток в схеме с общим эмиттером

IК max – максимально допустимый выходной ток биполярного транзистора

IС max – максимально допустимый выходной ток полевого транзистора

IВХ, IВЫХ – входной и выходной токи соответственно

J – плотность тока

Jn, Jр – плотность электронной и дырочной составляющих тока соответственно

q – заряд электрона

n – концентрация носителей заряда, количество, квантовое число

n0 равновесная концентрация электронов

ni собственная концентрация электронов

nn,nр концентрация электронов в полупроводнике электронного и дырочного типов соответственно

р – концентрация дырок

р0 равновесная концентрация дырок

рi равновесная концентрация дырок

рn, рр концентрация дырок в полупроводнике электронного и дырочного типов соответственно

μ – подвижность носителей заряда

μn, μр – подвижность электронов и дырок соответственно

μПТ – коэффициент усиления полевого транзистора

V – скорость движения зарядов

Vср средняя скорость движения зарядов

S – площадь; крутизна передаточной характеристики

S0 – крутизна передаточной характеристики полевого транзистора при UЗИ =0

E – напряженность электрического поля

Еg – ширина запрещенной зоны

Ее – энергетический уровень электрона

ЕF – уровень Ферми

ЕС – дно зоны проводимости – минимальное значение энергии свободного электрона

ЕV – потолок валентной зоны – максимальное значение энергии валентного электрона

ЕАК.n, ЕАК.р энергия ионизации (активации) донорной и акцепторной примесей соответственно

ЕВНУТР, ЕВНЕШ – внутренне и внешнее электрические поля соответственно

ЕКВ энергия кванта

σ – удельная электропроводность

σn, σp – удельная электропроводность полупроводника n – типа и р – типа соответственно

σi – удельная электропроводность собственного полупроводника

ρ – удельное сопротивление

Nc(T), Nν(T) – эффективные плотности состояний на краях зон проводимости (дно) и валентной (потолок) соответственно

Т – абсолютная температура

k – постоянная Больцмана

GГЕН скорость тепловой генерации

RРЕК скорость тепловой рекомбинации

γР вероятность генерации одной пары электрон-дырка в единичном объеме за одну секунду

γ Э – коэффициент инжекции эмиттера

Р(…) – вероятность

ND, NА концентрация нейтральных атомов примесей полупроводника электронного и дырочного типов соответственно

ND+, NА- концентрация ионизованных атомов донорной и акцепторной примесей соответственно

D – коэффициент диффузии

Dn, Dp коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно

DИ коэффициент прохождения

φТ тепловой потенциал

Δn, Δp – избыточная концентрация электронов и дырок соответственно

Gn, Rn тепловая скорость генерации электронов и дырок соответственно

τ – время жизни носителей заряда, постоянная времени

τn, τp – время жизни электронов и дырок соответственно

τОБ, τПОВ – объемное и поверхностное время жизни электронов и дырок соответственно

τТ – тепловая постоянная времени структуры диода

L - индуктивность

Ln, Lp - диффузионная длина электронов и дырок соответственно

ε0 диэлектрическая проницаемость вакуума

ε – относительна я диэлектрическая проницаемость материала

U – напряжение

UК контактная разность потенциалов

UПР. UОБР прямое и обратное напряжение соответственно

UБ напряжение потенциального барьера

UГ напряжение генератора

UR напряжение на нагрузке

UРАБ напряжение в рабочей точке

UВХ, UВЫХ входное и выходное напряжения соответственно

UСТ напряжение стабилизации

UП напряжение питания

UПРОБ пробивное напряжение

UН номинальное напряжение

UЗИ напряжение затвор – исток полевого транзистора

UСИ напряжение сток – исток полевого транзистора

UЗИ.отс напряжение отсечки полевого транзистора

UПОР пороговое напряжение

UБЭ напряжение база – эмиттер

UКЭ напряжение коллектор – эмиттер

UКЭmax максимально допустимое напряжение между выходными электродами для биполярного транзистора

UСИmax максимально допустимое напряжение между выходными электродами для полевого транзистора

UОСТ остаточное напряжение

d0 толщина р – n перехода

d – толщина резкого р – n перехода, толщина i – слоя p-i-n диода

dn, dp, – глубина проникновения ОПЗ в n и р области соответственно

Rp-n сопротивление р – n перехода

C – емкость

СВХ., СВЫХ входная и выходная емкости соответственно

СЭКВ. эквивалентная емкость

СБ., СДИФ барьерная и диффузионная емкость соответственно

СН. емкость нагрузки

СМ. емкость монтажа

СVD емкость варикапа

СТ –теплоемкость структуры

СЗС –проходная емкость полевого транзистора

СЗИ –входная емкость полевого транзистора

ССИ –выходная емкость полевого транзистора

QБ, QДИФ объемный и диффузионный заряд равновесных носителей соответственно

Q – добротность

QНАК накопленный заряд

QК коэффициент качества

R – сопротивление

RОГР – ограничительное сопротивление

RН – сопротивление нагрузки

RТ – тепловое сопротивление

RС – сопротивление стока полевого транзистора

RИ –сопротивление истока полевого транзистора

Ri – выходное сопротивление транзистора

Riн – динамическое сопротивление полевого транзистора

RВХ, RВЫХ – входное и выходное сопротивления соответственно

RЭ – эквивалентное сопротивление

RД – динамическое сопротивление

f – частота

fкр – критическая частота

ω – круговая частота

Р – мощность

РРАС. макс – максимальная рассеиваемая мощность

РКmax – максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом биполярного транзистора

РСmax – максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом полевого транзистора

РПОЛ – полезная мощность

РПОТ – потребляемая мощность

z 0 – волновое сопротивление линии передачи

t – время

tВКЛ – время включения

tВЫКЛ – время выключения

tЗ, tФ время задержки и длительность фронта соответственно

tР, tС время рассасывания и время спада соответственно

КПТ постоянный коэффициент, зависящий от конструкции и свойств материала полевого транзистора

К I, К U, К Р – коэффициент усиления по току, напряжению и мощности соответственно

КШ – коэффициент шума

КГ – коэффициент гармоник

КЧ – коэффициент частотных искажений

КОС – коэффициент ослабления

КСТ – коэффициент стабилизации

КНЧ, КВЧ – коэффициент низкочастотной и высокочастотной коррекций соответственно

ζ з , ζ п – потери запирания и пропускания соответственно

r+, r- – активное сопротивление при прямом и обратном смещении соответственно

l – длина

b – ширина

h – толщина; постоянная Планка

G – выходная активная проводимость канала

Y 11, Y 12, Y 21, Y 22 – входная проводимость, проводимость обратной связи, проводимость прямой передачи, выходная проводимость полевого транзистора соответсвенно

ν – частота излучения лучистой энергии

νБ коэффициент переноса носителей в базе

αи – коэффициент передачи тока эмиттера

βи – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

H 11, H 12, H 21, H 22 – входное сопротивление, коэффициент обратной связи по напряжению, коэффициент передачи тока, выходная проводимость в режиме малого сигнала соответственно (H-параметры)

H 11Э, H 12Э, H 21Э, H 22Э – H-параметры в схеме с общим эмиттером

с – скорость света

λ – длина волны

η – коэффициент полезного действия

А – затухание нелинейности

D – динамический диапазон усилителя

Tu – длительность импульса

– управляемый источник тока

– независимый источник напряжения

– управляемый источник напряжения

– независимый источник тока

 

 


Date: 2015-05-09; view: 672; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию