Пояснения к работе. Обычный тиристор (рис.4.1а) является силовым электронным не полностью управляемым ключом

Обычный тиристор (рис.4.1а) является силовым электронным не полностью управляемым ключом. Он имеет четырехслойную p-n-p-n структуру с тремя выводами анод (А), катод (К) и управляющий электрод (У). Структуру тиристора можно представить в виде двух соединенных трехслойных структур: p-n-p и n-p-n, эквивалентных биполярным транзисторам (рис.4.1б).

a)	б)
Рисунок 4.1 – Структура тиристора обычная (а) и в виде двух трехслойных структур (б)

На рис.4.2 представлено семейство выходных статических ВАХ при разных значениях тока управления Iу. Предельное прямое напряжение Umax, которое выдерживается тиристором без его включения, имеет максимальные значения при I_у=0. При увеличении тока I_у прямое напряжение, выдерживаемое тиристором, снижается. При превышении обратным напряжением максимально допустимого уровня начинается резкое возрастание обратного тока, связанное с пробоем тиристора.

Статические входные ВАХ, характеризующие параметры управления обычного тиристора, представлены на рис.4.3. Как видно из рисунка, характеристики цепи управления, как и следовало ожидать, напоминают прямую ветвь ВАХ диода или входные характеристики транзистора. Семейство ВАХ расположено в области, ограниченной ее значениями при максимально и минимально допустимых рабочих температурах тиристора. I_{у мин}, U_{у мин} - наименьший отпирающий ток управления и отпирающее напряжение управления, необходимые для включения тиристора при заданном анодном напряжении, U_{у макс},I_{у макс}, P_{у доп} – максимальные значения тока, напряжения и мощности на постоянном токе, превышение которых может привести к разрушению управляющего p-n перехода.

Рисунок 4.2 – Семейство выходных статических ВАХ тиристора

Рисунок 4.3 – Статическая входная ВАХ тиристора