Приложение А. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов

⇐ ПредыдущаяСтр 6 из 7Следующая ⇒

Таблица А1. Биполярные транзисторы структуры n-p-n

Тип БТ n-p-n	Р_К_max, мВт	U_КЭ_max, В	h_21Э	\| Н_21Э\|	f, МГц	Размер, мм
КТ307А						0,7х0,7
КТ307Б						0,7х0,7
КТ307В						0,7х0,7
КТ307Г						0,7х0,7
КТ331А						1,2х1,2
КТ331Б						1,2х1,2
КТ331В						1,2х1,2
КТ359А						0,7х0,7
КТ359Б						0,7х0,7
КТ359В						0,7х0,7
КТ369А						2х2
КТ369Б						2х2
КТ384А						2х2
КТС394А						4х4
КТС394Б						4х4
КТС395А						4х4
КТС395Б						4х4
КТ396А						1,2х1,4
КТ397А						2,2х2,2
КТС398А-1						1,5х1,5
КТС398Б-1						1,5х1,5

Таблица А2 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и каналом

n-типа

Тип ПТ	Р_С_max, мВт	U_СИ_max, В	U_ЗИ0, В	S₀, мА/В	f _S, МГц	Размер, мм
КПС 202 А-2						2,2х2,6
КПС 202 Б-2				1,5		''
КПС 202 В-2			1,5			''
КПС 202 Г-2				2,5		''
КП 202 Д-1			1,2			2,2х2,2
КП 202 Е-1						''
КП 308 А			0,8			1х1
КП 308 Б				2,4		''
КП 308 В			1,4			''
КП 308 Г						''
КП 308 Д						''

Приложение Б. Определение h параметров транзисторов с помощью программы Electronics Workbench

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 567 Следующая ⇒

Date: 2015-05-08; view: 1636; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...

mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию