Порядок выполнения работы. В данной работе используется Вакуумный фотоэлемент с сурьмяно-цезиевым катодом, разработанным в 1936 г

В данной работе используется вакуумный фотоэлемент с сурьмяно-цезиевым катодом, разработанным в 1936 г. Это химическое соединение Сs₃Sb, обладающее отчетливо выраженными полупроводниковыми свойствами [5]. Небольшое наличие вакансий цезия в решетке сообщает полупроводнику дырочный тип электропроводности. Ширина запрещённой зоны равна примерно 1,6 эВ, а энергия электронного сродства составляет - 0,2-0,4 эВ. Некоторое снижение электронного сродства достигается слабым окислением поверхности фотокатода (сенсибилизация). В результате сенсибилизации красная граница фотоэффекта = 620-700 нм и смещается до значения = 750 нм. Благоприятное соотношение между величинами и , а именно , обеспечивает отсутствие энергетических потерь фотоэлектронов на ударную ионизацию. Это обусловливает сравнительно большую глубину выхода электронов - (1 - 2)·10^{-6 см, определяемую лишь взаимодействием электронов с фононами и рассеянием энергии на дефектах кристаллической решетки. В максимуме спектральной характеристики (при = 420 -450 нм) квантовый выход фотоэмиссии достигает величины 0,25 электрон/фотон.}