Іонна і голографічна літографія

Технологія іонної літографії перебуває на ранній стадії впровадження, хоч перші установки з'явились ще у 1980 році. Вона дозволяє отримувати тонші лінії, ніж з допомогою відомих літографічних методів. На відміну від Х - променевих, іонні промені можуть бути легко сфокусовані, що підвищує роздільну здатність. Іонна літографія з використанням іонно-проекційних систем із сфокусованих пучків має ряд переваг. Пучки протонів значно менші, ніж електронні, і не зазнають впливу паразитних електронних полів через свою велику масу.

Метод іонної літографії аналогічний нанесенню рисунка з допомогою скануючого електронного променя і відзначається точнішим керуванням. Додатковою перевагою є створення рисунка безпосередньо на резисті.

Перевагами методу іонної літографії перед вищеописаними є: вища виділяюча здатність (до 0,03 мкм); повна сумісність його з основними операціями виготовлення ІМС і ВІС (іонним травленням, імплантацією домішок в пластину), висока продуктивність процесу за рахунок високої чутливості іонорезистів; наявність розробленого і порівняно дешевого іонно-променевого обладнання.

Голографічна літографія, яка стала застосовуватися з удосконаленням лазерної техніки для експонування рисунків, які мають періодичну чи квазіперіодичну структуру. Базується вона на принципі отримання інтерференції на пластині від двох лазерних променів, спрямованих під кутом до нормалі пластини. В результаті отримується модульована інтенсивність опромінення. Там, де більша інтенсивність, негативний резист полімеризується (зшивається), а неопромінений резист усувається травленням з поверхні пластини. Сформовані таким чином дифракційні ґратки можуть бути використані, як фокусуючі елементи для формування зображення з малими розмірами - біля 10 нм.