Глава 2. Архитектура и структура ЕМ и систем

Подсистема памяти Rambus состоит из следующих компонентов:

•основного контроллера (RMC —Rambus Memory Controller);

•канала (RC —Rambus Channel);

•разъема для модулей (RRC —Rambus RIMM Connector);

•модуля памяти (RIMM —Rambus In-line Memory Module);

•генератора дифференциальных импульсов (DRCG —Direct

Rambus Clock Generator);.

•микросхемы памяти (RDRAM —Rambus DRAM).

Рассмотрим основные компоненты данной системы (рис. 2.18).

Direct Rambus Controller —главная шина подсистемы памяти, по-

Мещается на чипе, таком, как PC-чипсет, микропроцессор, графи-

Ческий контроллер и пр. Физически можно поместить до четырех

Контроллеров Direct Rambus на одном чипе. Контроллер представ-

Ляет собой интерфейс между чипом логики и каналом Direct

Rambus. В его обязанности входит генерирование запросов, управ-

Ление потоком данных и еще ряд функций. Direct Rambus-контрол-

лер состоит из двух отдельных функциональных блоков: Rambus

Application Specific Integrated Circuit Cell (RAC) и контроллера

Rambus. Роль RAC —обеспечить физический и электрический ин-

Терфейс контроллера с внешней шиной, а 8-разрядный контроллер

Rambus служит ядром 16-разрядного контроллера Direct Rambus.

Шина Direct Rambus Channel соединяет чипы памяти друг с другом

И модули RIMM с контроллером. Она состоит из трех независимых

шин: 16-разрядной шины данных и двух шин адреса (отдельно для

строк и для столбцов) общей ≪шириной≫ 8 битов.

RDRAMS RDRAMS

4 канала (64 бит) —6,4 Гбит/с

RDRAMS

RDRAMS

2 канала (32 бит) —3,2 Гбит/с 1 канал (16 бит) —1,6 Гбит/с

Рис. 2.18. Варианты построения RDRAM

Организация оперативной памяти 141

Direct Rambus Channel создает электрическое соединение между

Rambus-контроллером и чипами Direct RDRAM. Работа канала ос-

Нована на 30 сигналах, составляющих высокоскоростную шину. Эта