Характерные зависимости

По результатам измерений и расчетов были получены характерные зависимости КПД от частоты (рисунок 1.4) и от мощности на входе преобразователя (рисунок 1.5).

Рисунок 1.4 — Зависимость КПД от частоты, η = F(f):

1 — полевые транзисторы, Р₌ = 600 Вт; 2 — транзисторы IGBT, P₌ = 1100 Вт

Рисунок 1.5 — Зависимость КПД от мощности на входе преобразователи, η = F(Р₌)

Из рисунка 1.4 видно, что КПД полупроводникового преобразователя напряжения практически не зависит от частоты. Кривая КПД для преобразователей на транзисторах IGBT лежит выше. Это связано с внутренним сопротивлением самих транзисторов: у полевых транзисторов FQA11N90C оно на порядок выше, чем у IGBT. Следовательно, у полевых транзисторов больше потери и меньше значение КПД.

Из рисунка 1.5 видно, что с увеличением входной мощности значения КПД снижаются. Поведение кривой зависимости КПД от мощности на входе преобразователя – предмет дальнейших исследований.

Таким образом, по предложенной энергетической методике полученные результаты измерения КПД полупроводниковых преобразователей напряжения повышенной частоты составили не ниже 97% на полевых транзисторах и не ниже 98,5% на транзисторах IGBT.

2 Исследование распределения напряжения по обмотке высоковольтного
силового трансформатора повышенной частоты