Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Внимание! Следите за индикацией размерности на измерителе тока
Таблица 18.2
Задание 2. Снятие вольтфарадной характеристики (ВФХ) и определение контактной разности потенциалов в p-n –переходе. 1. Переключателем на устройстве 1 (рис.18.3) установить диод КД226. 2. Переключателем КН2 выбрать режим работы «ВФХ». 3. Переключателем КН1 выбрать режим снятия прямой характеристики. 4. Кнопками «+» и «–» установить требуемую величину напряжения (см.табл.18.3). 5. Записать в табл.18.3 соответствующую ёмкость.
Таблица 18.3
6. Устанавливая требуемые значения напряжения (см. табл.18.3) кнопками «+» и «–», записывать соответствующие значения ёмкости. 7. Нажатием кнопки КН3 установить нулевое напряжение. 8. Переключателем КН1 выбрать режим снятия обратной характеристики. 9. Повторить измерения по пунктам 4÷7 задания 2, данные записывать в табл.18.3. 12. Построить график зависимости С = f (U) – ВФХ исследуемого диода; при этом прямое напряжение считать положительным, обратное – отрицательным.
Таблица 18.4
13. Выбрав любую пару значений ёмкости при прямом и при обратном включении С пр. и С обр, по формуле (18.6) вычислите контактную разность потенциалов U к. При подстановке соответствующих значений U пр. и U обр. помните, что в формуле (18.6) используется модуль обратного напряжения. 14. Повторите вычисления U к ещё с четырьмя парами значений ёмкостей С пр. и С обр. 15. Определите среднее значение U к и оцените его погрешность Δ U к. 16. Все данные запишите в табл.18.4. 17. Сделайте выводы. Контрольные вопросы 1. Объясните формирование энергетических зон в полупроводнике. 2. Объясните различие между металлами, диэлектриками и полупроводниками с точки зрения структуры энергетических зон. 3. Что такое собственный полупроводник? Как возникает проводимость в собственном полупроводнике? Почему с ростом температуры проводимость полупроводника возрастает? 4. Что такое примесный полупроводник? Объясните механизм проводимости в донорном (n –типа) и акцепторном (р –типа) полупроводнике. 5. Что такое p-n –переход? Объясните природу образования объёмного заряда. 6. Объясните физические процессы, происходящие в p-n –переходе. Что происходит при прямом и обратном включении? 7. Запишите и объясните формулу ВАХ для прямого направления тока. 8. Как Вы понимаете «прямое» и «обратное» направление тока? 9. Применение p-n –перехода в технике.
Используемая литература [1] §§ 44.3, 44.4; [2] § 40.6; [3] § 4.54; [6] §§ 42, 43, 45; [7] §§ 249, 250.
|