Сегнетоэлектрического конденсатора

3.1. По кривой С_cт=f(U) определить напряжение, соответствующее максимальному значению емкости, и с помощью автотрансформатора установить на конденсаторе напряжение, которое меньше найденного на 20 30 В (в процессе опыта оно остается постоянным).

3.2. Измерить вертикальное отклонение луча от центра экрана.

3.3. С помощью переключателя П4 включить электронагреватель R _эн.

3.4. Через каждые 10^оС (до 110 ^оС) записывать величину вертикального отклонения. Результаты измерений внести в табл. 1.3.

Т а б л и ц а 1.3

Содержание отчета

Отчет должен содержать:

1. Цель работы.

2. Принципиальную электрическую схему установки.

3. Основные формулы и соотношения, использованные в работе.

4. Таблицы, содержащие результаты измерений и вычислений, а также пример вычислений одной из строк каждой таблицы.

5. Графики зависимостей: Q_a = f(U) – основная кривая заряда; рисунки петли гистерезиса при разных напряжениях; C _ст = f(U), Q_r = f(U), tgδ = f(U), C _ст = f(T).

6. Технические характеристики использованного оборудования.

7. Выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. Чем активные диэлектрики отличаются от пассивных?

2. С чем связано образование доменов в кристаллах сегнетоэлектриков?

3. В чем проявляются особенности спонтанной поляризации?

4. Как меняется доменная структура сегнетоэлектриков при увеличении электрического поля?

5. Что происходит в сегнетоэлектрике при его переходе из одной кристаллической фазы в другую?

6. Как экспериментально определить температуру Кюри?

7. Как меняется спонтанная поляризация при фазовом переходе первого и второго рода?

8. Что характеризует закон Кюри–Вейсса?

9. Какие существуют виды сегнетоэлектрических кристаллов?

10. В чем заключается принцип работы схемы Сойера–Тауэра?

11. Какие закономерности спонтанной поляризации можно анализировать осциллографическим методом?

12. Что такое антисегнетоэлектрики?