Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Указания к выполнению задачи №3
Таблица №3
Формулы и выражения, которыми можно воспользоваться при выполнении задачи №3: Величина контактной разности потенциалов р-п перехода определяется выражением: , где пп, рр, рп и пр - концентрации основных и неосновных носителей тока в п и р - полупроводниках, ni - концентрация собственных носителей тока. При комнатной температуре примесные атомы обычно полностью ионизованы и, поэтому, концентрация основных носителей тока определяются числом примесных атомов. Условие электронейтральности р-п перехода определяется: , откуда следует, что в обеих областях полупроводника, примыкающих к р-п переходу, объемные заряды равны. Ширина р-п перехода в отсутствие внешнего напряжения: . Как видно из (6.32), что чем выше концентрация примесных атомов, тем меньше ширина р-п перехода. Для резко несимметричного перехода, например, при условии получим: , т.е. переход располагается, в основном, в области полупроводника с меньшей концентрацией примесей и, тем самым, в области с меньшей концентрацией носителей тока, где падает большая часть контактной разности потенциала. При приложение внешнего напряжения V изменяется высота потенциального барьера р-п перехода: и одновременно меняется также ширина р-п перехода: , где знак «-» соответствует прямому, а «+»- обратному смещению р-п перехода. Как следует из последних выражений при прямом смещении высота барьера и ширина перехода уменьшаются, а при обратном – возрастают по сравнению с равновесным состоянием. Напряжение пробоя можно рассчитать исходя из формулы , где l – ширина р-п перехода, - критическая напряженность электрического поля на переходе, которая для кремниевых р-п переходов примерно равна . С учетом выражения для ширины р-п перехода и пренебрегая значением по сравнению с имеем: . Как видно, напряжение пробоя уменьшается с ростом концентрации примесей.
|