Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Организация оперативного запоминающего устройства (ОЗУ)





Оперативная память организована на базе больших интегральных схем (БИС) полупроводниковых ОЗУ.

Выбор БИС осуществляют, исходя из разных критериев:

– минимизация аппаратных затрат (число корпусов);

– минимизация потребляемой мощности;

– повышение быстродействия МПС и других.

Число микросхем m оперативной памяти требуемой емкости Мт определяют по формуле

m = Mт / M1

где М1 – емкость одной выбранной микросхемы.

При наращивании разрядности организуют линейки. Количество микросхем в каждой линейке

m1 = n т / n

где n т – требуемая разрядность;

n – разрядность выбранной микросхемы.

Количество линеек mл определяют по формуле

mл = m / m1 .

Для активизации одной из двух линеек применяют логический элемент НЕ или, при большем количестве линеек, дешифратор, на входы которого подается двоичный код адреса линейки. Выходы дешифратора соединяют с входами СS (выбор кристалла) всех микросхем. При СS = 1 обращение к микросхемам в данной линейке будет заблокировано (режим хранения). При СS = 0 – обращение разрешается. При формировании сигнала СS используют незадействованные старшие разряды адресной шины.

Для обеспечения режима записи двоичных слов или их чтения в микросхемах ОЗУ предусмотрены входы RD/WR (чтение/запись). Причем, при RD/WR = 0 обеспечивается режим записи, при RD/WR = 1 – режим чтения.

В таблице 2 приведены основные параметры некоторых микросхем оперативной памяти.

Таблица 2

Тип микросхемы Емкость Время цикла (выборки), нс Потребляемая мощность, мВт Напряжение питания, В Технология
К155РУ5 256Х1   < 735   ТТЛ
КР537РУ13А 1КХ4       КМДП
КР541РУ5 1КХ8 (55) < 500   ИИЛ-ТТЛ
КР537РУ10 2КХ8       КМДП
КМ132РУ13А 2КХ8 (55)     n-МДП
К537 РУ14А 4КХ1       КМДП
КМ132РУ12А 4КХ4 (50)     n-МДП
КР132РУ6А 16КХ1       n-МДП
КМ132РУ10А 64КХ1       n-МДП

 

Исходя из минимизации аппаратных затрат выберем из таблицы 1 микросхему ОЗУ КМ132РУ10А. Она содержит 64К ячеек с разрядностью 1 бит. Для построения ОЗУ емкостью 64КХ8 потребуется 8 таких микросхем, так как

.

 

На рисунке 1 приведена схема построения такого ОЗУ. У каждой микросхемы количество адресных входов А = 16, так как 216 обеспечивает адресацию 65536 ячеек памяти разрядностью 1 бит. При организации восьми микросхем ОЗУ в одну линейку получается заданная емкость Q = 64K·8.

Рисунок 1. Схема построения ОЗУ

 

Для активизации одновременно всех восьми микросхем необходимо обеспечить подачу логического нуля на все их входы, обозначенные как CS. По входам DI (data input) идет запись, а по DO (data output) – считывание информации, записанной в микросхемы памяти.

Date: 2016-01-20; view: 543; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию