Устройство, принцип работы, техническая характеристика полевых транзисторов с изолированным затвором, встроенным каналом

Основанием (подложкой) является кристалл кремния P проводимости Канал отделен от металлического затвора диэлектрической пленкой. Принцип работы связан с явлением электростатической индукции (как в индуцированных).

При положительном U на затворе, электроны будут втягиваться в канал, произойдет обогащение канала ОНЗ и электропроводность увеличится, а сопротивление уменьшится.

При отрицательном U на затворе электроны будут выталкиваться из канала, произойдет обеднение канала электронами.

Устройство, принцип работы, техническая характеристика полевых транзисторов изолированным затвором, индуцирующим каналом.

Основой является монокристалл N проводимости, в нем создаются две области повышенной концентрации P⁺ - исток и сток. Затвор представляет собой тонкую пленку алюминия.

Если приложить между З и И напряжение, минусом на З то ОНЗ

N-области – электроны, будут отталкиваться вглубь п\проводника, и компенсация отрицательного заряда на затворе будет производиться положительным зарядом электронов. В результате у поверхности образуется слой обедненный подвижными носителями заряда. При увеличении отрицательного потецниала на З в компенсации начнут принимать участие дырки.

Устройство, принцип работы, техническая характеристика тиристоров, тринисторов.

Тиристор – п\п прибор имеющий три и более PN переходов

2 устойчивых состояния:

-Открытое

-Закрытое

При Uпр, ОНЗ и эмиттеров переходят в базы, где часть рекомбинирует, о большая част захватывается полем коллекторного перехода и перебрасывается в коллекоры. При этом создается эл. Заряд, который компенсирует запирающий ток. Три перехода становятся открытыми – тиристор открыт

При Uобр два перехода закрыты, при этом перевести тиристор в открытое состояние невозможно