Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Полупроводниковые (п/п) диоды. Классификация, параметры. Основные типы п/п диодов, их характеристики и применение. Выпрямители
Диодом называется полупроводниковый прибор с одним p-n -переходом и 2-мя выводами, с помощью которых он соединяется с внешней электрической цепью. В основе классификации диодов лежат различные признаки: · Вид электрического перехода (точечный, плоскостной); · Физические процессы в переходе (туннельный, лавинно-пролетный); · Характер преобразования энергии сигнала (фотодиод, светодиод, магнитодиод и т.д.); · Диапазон рабочих частот (низкочастотные, высокочастотные, СВЧ диоды); · Конструктивно-технологические особенности (диффузионные, эпитаксиальные, Шотки и т.д.); В курсе изучения электроники основное внимание будем уделять изучению диодов с точки зрения: · Применяемого исходного материала для изготовления диодов: кремниевые, германиевые, селеновые и т.д.; · Использованию нелинейных свойств p-n -перехода: выпрямительные, стабилитроны, варикапы, импульсные. На электронных схемах диоды обозначаются следующим образом:
Выпрямительный
Туннельный
Обращенный
Диоды являются полупроводниковыми приборами, которые пропускают ток в одном направлении. При прикладывании к диоду прямого напряжения («+» к аноду, а «-» к катоду), резко возрастает значение прямого тока, который во много раз больше обратного I пр>>Iобр. К основным статистическим параметрам диода относят прямое падение напряжения Uпр при заданном прямом токе Iпр, и постоянный обратный ток Iобр при заданном обратном напряжении Uобр. Дифференциальное сопротивление диода rдиф характеризует динамические параметры и влияет на крутизну вольтамперной характеристики диода, т.е. само дифференциальное сопротивление зависит от приложенного напряжения и протекающего тока
Падение напряжения на отдельном диоде зависит от величины прямого тока Iпр, температуры и составляет для германиевых диодов 0.15-0.4 В, для кремневых 0.5-0.9 В. Обратный ток Iобр, протекающий через диод, сильно зависит от температуры, и при некотором значении Uобр приближается к некоторому постоянному значению (с увеличением температуры происходит увеличение обратного тока). Предельное значение температуры для германиевых диодов составляет ; кремниевых диодов . В электрических схемах диоды включаются в цепь в прямом направлении. Е – напряжение источника питания. В практических схемах в цепь диода всегда включается какая-либо нагрузка, например, резистор. Такой режим работы диода называется рабочим. Его расчет производится по известным значениям E, RН и ВАХ диода. Расчет производится по формуле. В формуле две неизвестных . Решение производится графически. На ВАХ диода накладывается прямая нагрузка, которая строится по 2-м точкам на осях координат при: , т. А на рисунке. , что соответствует т. Б. Через эти точки проводим прямую, которая и является линией нагрузки. Координаты т. Т определяют рабочий режим диода. Рабочий режим характеризуется следующими параметрами: - максимально допустимая мощность, рассеиваемая диодом; температурные параметры. Рассмотрим группу полупроводниковых диодов, особенность работы которых связана с использованием нелинейных свойств p-n -перехода. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного напряжения низкой частоты () в постоянное. Они подразделяются на диоды · малой , · средней · большой мощности. Основными параметрами, характеризующими выпрямительные диоды, являются: · Обратный ток при некотором значении обратного напряжения; · Падение напряжения на диоде при некотором значении прямого тока через диод; · Барьерная емкость диода при подаче на него обратного напряжения некоторой величины; · Диапазон частот, в котором возможна работа диода без существенного снижения выпрямленного тока; · Рабочий диапазон температур. В рабочем режиме через диод протекает ток, и в его электрическом переходе выделяется мощность, вследствие чего температура перехода повышается. В установившемся режиме подводимая к переходу мощность и отводимая от него должны быть равны и не превышать максимально допустимой мощности , рассеиваемой диодом, т.е. . В противном случае наступает тепловой пробой диода. Качество теплоотвода в диоде характеризуется параметром эксплуатационного режима – тепловым сопротивлением под которым подразумевается отношение разности температур электрического перехода и корпуса диода к мощности рассеиваемой на диоде установившемся режиме. Уменьшение позволяет при заданном значении увеличивать рабочую температуру перехода или при известном перепаде температур повышать прямые и обратные токи и напряжения диода. Это достигается применением специальных теплоотводов-радиаторов.
Стабилитроны – полупроводниковые диоды, работающие на обратной ветви ВАХ в области, где изменение напряжения электрического пробоя слабо зависит от значения обратного тока и применяется для стабилизации напряжения.
Односторонний стабилитрон Двусторонний стабилитрон
Основными параметрами стабилитронов являются: Uст - напряжение стабилизации при номинальном значении тока; Iст min - минимальный ток стабилизации, при котором возникает устойчивый пробой; Iст max максимальный ток стабилизации, при котором мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает допустимого значения; Rст - дифференциальное сопротивление, характеризующее изменение напряжения стабилизации при изменении тока: Rст =DU/DI При рассмотрении ВАХ стабилитрона видно, что в области электрического пробоя имеется участок, который может быть использован для стабилизации напряжения. Такой участок у кремниевых плоскостных диодов соответствует изменениям обратного тока в широких пределах. При этом до наступления пробоя обратный ток очень мал, а в режиме пробоя, в данном случае в режиме стабилизации, он становится такого же порядка, как и прямой ток. Стабилитроны изготавливаются исключительно из кремния, их также еще называют опорными диодами, т. к. в ряде случаев получаемое от них стабильное напряжение используется в качестве опорного. При обратном токе напряжение стабилизации меняется незначительно. Стабилитрон работает при обратном напряжении. Принцип работы поясняет схема параметрического стабилизатора напряжения. Нагрузка включена параллельно стабилитрону, поэтому в режиме стабилизации, когда напряжение на стабилитроне постоянно, такое же напряжение будет и на нагрузке. Все изменение входного напряжения будет поглощаться резистором Rогр, которое еще называют балластным. Сопротивление этого резистора должно быть определенного значения и его обычно рассчитывают для средней точки. Если входное напряжение будет изменяться, то будет изменяться ток стабилитрона, но напряжение на нем, следовательно, и на нагрузке, будет оставаться постоянным. При напряжениях меньше 7В имеет место полевой (туннельный) пробой, больше 15В - лавинный пробой, от 7 до 15В - смешанный пробой. Пробои в стабилитронах обратимы. В схемах со стабилитроном должен быть ограничивающий резистор.
Динамическое сопротивление, определяющее качество стабилитрона: (чем меньше, тем лучше)
Статическое сопротивление: Коэффициент качества: =0,01 – 0,05 Температурный коэффициент напряжения: ТКН = (0,2 – 0,4%)/°С Недостаток стабилитрона: при малых токах стабилизации <3 мА увеличивается и существенную роль играют шумы.
Фотодиодом называется фотоэлектрический прибор, имеющий один р-n -переход. В основе его работы лежит явление возрастания обратного тока р-n -перехода при его освещении, т.е. световой поток управляет обратным током фотодиода. Фотодиоды имеют структуру обычного р-n -перехода (см. рис.), где а) - условное обозначение фотодиода, б) - структура фотодиода. Вследствие оптического возбуждения в р и n областях возникает неравновесная концентрация носителей заряда. На границе перехода неосновные носители заряда под влиянием электрического поля, перебрасываются через переход в область, где они являются основными носителями. Электрический ток, созданный ими есть полный фототок. Если р-n -переход разомкнут, то перенос носителей заряда, генерируемых светом, приводит к накоплению отрицательного в n -области и положительного в р -области зарядов. Новое равновесное состояние соответствует меньшей высоте потенциального барьера, равной (U к- Е ф). ЭДС Е ф, возникающую при этих процессах, на значение которой снижается потенциальный барьер U к в р-n -переходе, называют фотоэлектродвижущей силой (фото-ЭДС) В данной ситуации фотодиод работает в режиме фотогенератора, преобразуя световую энергию в электрическую. Фотодиод может работать совместно с внешним источником (рис. в). При освещении фотодиода поток неосновных носителей заряда через р-n- переход возрастает. Увеличивается ток во внешней цепи, определяемый напряжением источника и световым потоком. Значение фототока можно найти из выражения I ф= S инт Ф, где S инт - интегральная чувствительность. Фотодиод может включаться двумя способами: · вентильный (гальванический) режим · фотодиодный режим
Вольтамперные характеристики освещенного p-n -перехода показаны на рисунке.
Энергетические характеристики, которые связывают фототок со световым потоком, являются одними из основных характеристик фотодиода. Причем фотодиод может быть включен без внешнего источника ЭДС (генераторный режим), так и с внешним источником (см. рис.) а) - генераторный режим; б) - при работе с внешним источником).
Достоинства: большое быстродействие. Недостатки: невысокая фоточувствительность.
Светодиодами называются полупроводниковые приборы, преобразующие электрические сигналы в оптическую лучистую энергию некогерентного светового излучения.
При приложении к светодиоду прямого напряжения происходит инжекция носителей заряда, которая в сочетании с рекомбинацией с неосновными носителями вызывает излучение. Основные параметры: 1.сила света (десятые доли÷единицы мКанделл); 2.яркость (десятки÷сотни Кандел на кв.см); 3.постоянное прямое напряжение ; 4.цвет свечения и длина волны, соответствующие максимальному световому потоку; 5.максимально допустимый постоянный прямой ток (десятки мА); 6.максимально допустимое постоянное обратное напряжение (единицы В).
Используются: в оптических линиях связи, индикаторных устройствах, оптопарах.
Диоды в схемах выпрямителей включаются по одно- и двухполупериодной схемам. Если взять один диод, то ток в нагрузке будет протекать за одну половину периода, поэтому такой выпрямитель называется о днополупериодным. Его недостаток – малый КПД.
Значительно чаще применяются двухполупериодные выпрямители.
В течение положительного полупериода напряжения Ua (+) диоды VD1 и VD4 открыты, а VD2 и VD3 – закрыты. Ток будет протекать по пути: верхняя ветвь (+), диод VD1, нагрузка, диод VD4, нижняя ветвь (-). В течение отрицательного полупериода напряжения Ua диоды VD1 и VD4 закрываются, а диоды VD2 и VD3 открываются. Ток будет протекать от (+), нижняя ветвь, диод VD3, нагрузка, диод VD2, верхняя ветвь (-). Поэтому ток через нагрузку будет протекать в одном и том же направлении за оба полупериода. Схема выпрямителя называется двухполупериодной. Если понижающий трансформатор имеет среднюю точку, то есть вывод от середины вторичной обмотки, то двухполупериодный выпрямитель может быть выполнен на двух диодах.
Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, основные параметры и характеристики. Схемы включения транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК), общей базой (ОБ) – характеристики и применение. Полевые транзисторы.
Транзистором называется полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Классификация транзисторов производится по следующим признакам: • По материалу полупроводника - обычно германиевые или кремниевые; • По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимостью (p-n-p - структура) или с обратной проводимостью (n-p-n - структура); • По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные); • По частотным свойствам; НЧ (<3 МГц); СрЧ (3÷30 МГц); ВЧ и СВЧ (>30 МГц); • По мощности. Маломощные транзисторы ММ (<0,3 Вт), средней мощности СрМ (0,3÷3 Вт), мощные (>3 Вт). Маркировка.
|