Расчет h-параметров транзистора по его статическим характеристикам для схемы ОЭ

Реально измеренными величинами являются статические характеристики транзистора. Примерный вид входных и выходных характеристик исследуемого транзистора показан на рис. 1.4 и 1.5.

Рис. 1.4. Входные характеристики транзистора	Рис. 1.5. Выходные характеристики транзистора

Задаёмся режимом работы транзистора, например: , . Данному режиму на входных характеристиках соответствует точка , а на выходных – точка . Через точку проводим касательную к воображаемой характеристике при . Это выполнить несложно, так как приведенные характеристики при и почти совпадают, а кривая при должна лежать между ними. Затем произвольно проводим две прямые параллельно осям координат и получаем прямоугольный треугольник АВС. Его катеты соответственно равны:

; .

Находим Ом.

На выходных характеристиках проводим касательную через точку (касательная совпадает с характеристикой при ) и также произвольно проводим две прямые параллельно осям координат. Образуется треугольник , из которого имеем:

.

Определяем Cм.

Затем через точку проводим прямую, параллельную оси ординат, до пересечения с соседними характеристиками, построенными при и . Отрезок . Ему соответствует изменение тока базы

.

Находим .

Далее вычисляем физические параметры транзистора. Сопротивление эмиттера для выбранного режима равно:

Ом,

где и – токи коллектора и базы, соответствующие точке на выходных характеристиках транзистора (рис. 1.5).

Сопротивление базы равно:

Ом.

Сопротивление коллектора равно:

.

После расчёта физических параметров можно составить эквивалентную схему исследуемого транзистора.