Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Он растет
36. Чему равен наклон зависимости lnJs от 1/Т при диффузионном доминировании тока.
Наклон зависимости lnJs от 1/Т представляет собой прямую линию и её наклон определяется шириной запрещённой зоны Eg, если не существует другого механизма доминирования обратного тока перехода.
37. Чем определяется барьерную ёмкость перехода.
Удельная барьерная емкость pn перехода определяется выражением С º dQc/dV, где Qc - приращение плотности заряда, вызванное достаточно малым приращением приложенного напряжения.
38. Как изменяется барьерная ёмкость с концентрацией примеси ассиметричного резкого перехода и с обратным напряжением на переходе.
, а в случае резкого ассиметричного pn перехода, когда Np >>Nd или pn0 >> np0 вторым слагаемым вообще можно пренебречь
Не изменяется
39. Чему равен наклон зависимости lnJs от 1/Т при генерационном доминировании тока.
(lnJ =f(1/T) для генерационного тока в два раза меньше, чем для диффузионного тока, т.е. определяется величиной Eg/2.
40. Какой тип обратного тока преобладает в кремнии и германии.
В полупроводниках с большим значением ni, таких как германий, преобладает диффузионнный ток. Если ni мало (как в кремнии), то преобладает генерационный ток. В этом случае величина обратного тока перехода резко возрастает
41. Почему идет отклонение токовой зависимости перехода от идеальной при увеличении тока через переход
При дальнейшем сильном увеличении тока концентрация инжектированных неосновных носителей сравнивается с концентрацией основных носителей и здесь необходимо учитывать не только диффузионную, но и дрейфовую составляющую тока. Это приводит к изменению наклона прямой характеристики вида
42. Чем определяется тепловой пробой, лавинный и туннельный.
При протекании большого тока в обратно -смещенном переходе выделяется тепло (это особенно характерно для материалов с малой шириной запрещенной зоны, например, германия). Увеличение температуры на переходе приводит к увеличению тока (например, как в (5.1), что опять приводит к увеличению температуры и т.д., что может привести разрушению диода (диод "горит"), если не принять мер по ограничению тока. Такоё явление называется тепловым пробоем.
Ширина такого pn перехода составляет менее 100Å. Даже маленькие напряжения на таком переходе приводят к очень большому электрическому полю ~106в/см. При небольшом обратном смещении электроны из валентной зоны п/п р- типа могут переходить на свободные места в зоне проводимости n -типа - туннелируя через потенциальный барьер. (Это явление квантовое. Оно означает, что волновая функция электрона левой части отлична от нуля в правой части, а значит электрон имеет вероятность локализации в правой части и эта вероятность отлична от нуля при конечной величине потенциального барьера близкому к Eg). Такой вид протекания тока при обратном смещении называется туннельным.
Наиболее распространённым является лавинный пробой. В основе лавинного пробоя лежит явление "размножения носителей" в сильном электрическом поле, действующем в области перехода. Электрон и дырка, ускоренные электрическим полем на длине свободного пробега, могут разорвать одну из ковалентных связей нейтрального атома полупроводника. В результате рождается новая пара электрон - дырка и процесс повторяется уже с участием новых носителей. При достаточно большой напряжённости поля, когда исходная пара порождает больше одной новой пары, ионизация приобретает лавинный характер, подобно самостоятельному разряду в газах. При этом ток будет ограничиваться только внешним сопротивлением.
43. Как связано напряжение лавинного пробоя с концентрацией примеси в переходе
Выпрямители
44. Как относятся между собой сопротивления выпрямителя.
45. Как называется простейшая схема для преобразования переменного тока в пульсирующий.
46. Какие элементы добавляют в схему диодного моста для сглаживания пульсаций.
47. Каким образом увеличивают скорость переключения диода.
48. Каков максимальный температурный диапазон работы германиевых, кремниевых и арсенид-галлиевых диодов. С чем это связано.
49. Каковы основные параметры выпрямительных диодов.
Стабилитроны
50. Какое напряжение подаётся на стабилитрон: прямое или обратное.
51. Каким образом осуществляется стабилизация напряжения с помощью стабилитрона.
52. Какие элементы включает в себя простая параметрическая стабилиронная схема.
53. Какие проблемы должна решать базовая схема стабилизации.
54. Какие приборы используют для стабилизации малых напряжений (0,3-1,9)В.
55. Каковы основные параметры стабилитрона.
Варикапы
56. Каков основной принцип работы варикапа.
57. Как связана ёмкость варикапа с концентрацией примеси и напряжением на переходе.
58. Каковы параметры варикапа.
Диоды с быстрым восстановлением
59. Каким образом достигается быстрое время переключения диода.
60. Какие проблемы возникают при введении большого количества центров рекомбинации.
62. Каковы особенности импульсных диодов.
Контакт металл-полупроводник
63. Какие процессы протекают на границе раздела при соединении полупроводника с металлом.
64. Что представляет собой работу выхода.
65. Чему равна величина потенциального барьера при контакте металла с полупроводником.
66. Что представляет собой зависимость тока от прилагаемого напряжения диода Шоттки в полулогарифмическом масштабе.
67. Какова особенность диодов Шоттки.
Туннельный диод
68. Что представляет собой туннельный диод.
69. Чем объясняется отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода.
70. Почему туннельные диоды можно использовать в СВЧ диапазоне.
71. Каковы основные параметры туннельного диода.
72. Что есть обращённый диод
Устройство и принцип работы биполярных транзисторов
73. Что представляет собой биполярный транзистор.
74. Как соотносится размер базы биполярного транзистора с длиной свободного пробега неосновных носителей заряда в базе.
75. Что представляют собой дрейфовые транзисторы.
76. Каковы режимы работы биполярного транзистора
77. Какие процессы проходят в транзисторе в активном режиме работы.
78. Почему коллекторный ток транзистора меньше эмиттерного.
79. Что есть входные и выходные ВАХ транзистора.
80. Каковы основные схемы включения биполярного транзистора.
Схема с общей базой
81. Какова особенность ВАХ транзистора при работе по схеме с общей базой (ОБ).
82. Что есть статический коэффициент передачи тока a.
83. Как связаны между собой ток коллектора и ток эмиттера.
84. Как ведёт себя обратный коллекторный ток при увеличении температуры.
85. Что означает линия допустимой мощности на выходных ВАХ транзистора.
86. Для какого типа схем характерно включение транзистора с ОБ.
87. Каковы достоинства и недостатки схемы включения с ОБ.
Схема с общим эмиттером
88. Каковы особенности ВАХ транзистора при включении по схеме с общим эмиттером (ОЭ) по сравнению с ОБ.
89. Как связаны между собой ток базы, ток коллектора и ток эмиттера.
90. Что показывает статический коэффициент передачи базового тока 
91. Каковы обычные величины a и
92. Как изменяется коэффициент при увеличении коллекторного тока.
93 Каковы достоинства и недостатки включения транзистора в схеме с ОЭ.
Схема с общим коллектором
94. Каковы особенности ВАХ транзистора при включении по схеме с общим коллектором (ОК) по сравнению с ОЭ.
95. Какое основное применение применения схемы с ОК.
96. Каковы достоинства и недостатки применения схемы включения с ОК.
Инверсное включение транзистора
97. Что представляет собой инверсное включение транзистора.
98. Чему равен статический коэффициент передачи базового тока при инверсном включении.
Физические малосигнальные модели биполярных транзисторов
99. Что означает малосигнальная модель транзистора.
100. Зачем нужна малосигнальная модель транзистора.
101. Что представляет собой модель Эберса-Молла.
102. Каким образом улучшают точность модели Эберса-Молла.
Частотные свойства транзисторов
103.Что представляет собой время задержки включения транзистора τз.
104. Чем определяется время задержки выключения транзистора.
105. Какие составляющие элементы транзистора оказывают влияние при увеличении частоты переключения транзистора.
106. Что означают собой предельные частоты для коэффициентов передачи тока для схем с ОБ и ОЭ.
107. Что означает граничная частота для транзистора с ОЭ.
Малосигнальные модели биполярного транзистора в виде активного линейного четырехполюсника
108. Что позволяет сделать представление транзистора (схемы с транзистором) в виде четырёхполюсника.
109. Какими параметрами определяется схема замещения четырёхполюсника
110. Что представляют собой уравнения линейного четырёхполюсника.
111. Как определить h- параметры четырёхполюсника для схемы с ОЭ.
Основные параметры биполярного транзистора
112. Каковы основные параметры биполярного транзистора.
113. Что есть собственные параметры транзистора.
114. Что определяет следующее обозначение транзистора: КЕ937А-2
115. Каковы типы самых распространённых транзисторов
Полевые транзисторы
116. Что называют полевым транзистором.
117. Почему полевой транзистор называют униполярным.
118. Что представляет собой полевой транзистор с управляемым pn переходом.
119. Что есть напряжение отсечки полевого транзистора с управляемым pn переходом.
120. Что есть напряжение насыщения на стоковом переходе (транзистора с n- каналом)
121. Каковы параметры полевого транзистора с управляемым переходом.
МОП структура
122. Что есть пороговое напряжение МОП структуры.
123. Когда возникает в МОП структуре инверсионный слой.
124. Чем определяется пороговое напряжение МОП структуры.
Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
125. Что означает отсечка канала. Как меняется напряжение отсечки с изменением напряжения на стоке.
126. Что такое область насыщения МОП транзистора с индуцированным каналом.
Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
127. Чем отличается полевой транзистор с встроенным каналом от полевого транзистора с индуцированным каналом.
128. Каким образом определяется напряжение отсечки на затворе транзистора с встроенным каналом.
129. Каким образом можно управлять током стока транзистора с встроенным каналом помимо изменения напряжения на затворе.
Математические модели транзистора с общим истоком
130. Как связан ток насыщения МОП транзистора с напряжением на затворе.
131. Чем определяется удельная крутизна транзистора
132. Каково входное сопротивление МОП транзистора.
Двухзатворные транзисторы
133. Какое преимущество у двухзатворных транзисторов.
134. Каким образом изменяется напряжение на плавающем затворе.
135. Сколько времени сохраняется инжектированный заряд в плавающем затворе при комнатной температуре.
Фотоэлектронные приборы
136. Привести диапазон видимого глазом света, инфракрасной и ультрафиолетовых областей.
137. Какова элементная база оптоэлектроники.
Светоизлучающий диод
138. Каков физический механизм формирования фотона светоизлучающим диодом.
139. Привести пример полупроводников, на основе которых изготавливаются диоды с механизмом излучательной и безизлучательной рекомбинации.
140. Для какой длины волны характерна максимальная чувствительность глаза человека.
141. В каком направлении (прямом или обратном) должен быть включен светодиод для получения светоизлучения.
Лазеры
142. Каков характер света, излучаемого светодиодом
143. Кто из учёных впервые создал оптический квантовый генератор
145. Что является излучающим компонентом лазера. В лазере излучают атомы вещества – рабочего тела лазера. Рабочее тело может быть твердым, жидким (редко) и газообразным. Чтобы атомы излучали, их надо прежде всего возбудить, т.е. сообщить им энергию. В твердотельных лазерах для этого служит оптический генератор накачки – импульсная лампа-вспышка большой мощности. Ее трубка расположена рядом с рабочим телом – кристаллом рубина или неодимового стекла. Твердотельные лазеры, как правило, импульсные, так как при той мощности оптического излучения, которую они генерируют (мегаватты и даже гигаватты), ни одна конструкция не выдержала бы работы более нескольких микросекунд. В газовых лазерах плотность атомов мала, поэтому они работают на малых мощностях (милливатты, ватты) в непрерывном режиме.
146. Что означают слова: "накачка лазера".
Таким образом осуществляется накачка лазера – током через pn переход.
147. Зачем лазеру необходим зеркальный резонатор.
148. Каким образом работает квантовый генератор.
149. Сколько длин волн содержит лазерное излучение.
150. Существует поляризация лазерного луча.
151. Каким образом идёт накачка лазерного диода.
152. С какой целью используется лазерный диод в компьютере.
Приемники излучения
153. Какой принцип лежит в основе работы фотоприёмников.
154. Какое напряжение (прямое или обратное) подаётся на диодный фотодетектор
155. Как работает лавинный фотоприёмник.
156. Чем объясняется высокая чувствительность фототранзистора.
157. Как работает фоторезистор.
Оптопара
158. Что представляет собой оптопару.
159. Существует ли электрическая (магнитная) связь между излучателем и фотоприёмником в оптопаре.
Применения оптоэлектроники
160. Какие преимущества оптической связи перед радиосвязью.
161. Привести примеры применения оптоэлектронных устройств.
Тиристоры
162. Что такое тиристор.
Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ).
163. Для чего применяются тиристоры
Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства.
164. Чем отличаются динисторы, тринисторы и симисторы
Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором или динистором. Такие приборы управляются напряжением, приложенным между основными электродами. Прибор с одним управляющим электродом называют триодным тиристором или тринистором
. В последнем случае соответствующие приборы называются симметричными (так как их ВАХ симметрична) и обычно имеют пятислойную структуру полупроводника. Симметричный тринистор называется также симистором
Тиристоры, имеющие управляющий электрод, делятся на запираемые и незапираемые.
165. Что означает включение тиристора.
Пробой.
166. Каким образом работает тиристор в режиме обратного запирания.
В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено напряжение, отрицательное по отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещён в прямом (см. рис. 18.4). В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из переходов J1 или J3 (в зависимости от степени легирования различных областей). Пусть это будет переход J1. В зависимости от толщины Wn1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением (толщина обеднённой области при пробое меньше Wn1) либо проколом (обеднённый слой распространяется на всю область n1, и происходит смыкание переходов J1 и J2). (область 4 на рис.18.3).
167. Каким образом работает тиристор в режиме прямого запирания.
При прямом запирании напряжение на аноде положительно по отношению к катоду и обратно смещён только переход J2. Переходы J1 и J3 смещены в прямом направлении. Большая часть приложенного напряжения падает на переходе J2. Через переходы J1 и J3 в области, примыкающие к переходу J2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода J2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через тиристор сначала растёт медленно, что соответствует участку 0-1 на ВАХ. В этом режиме тиристор можно считать запертым, так как сопротивление перехода J2 всё ещё очень велико. По мере увеличения напряжения на тиристоре снижается доля напряжения, падающего на J2, и быстрее возрастают напряжения на J1 и J3, что вызывает дальнейшее увеличение тока через тиристор и усиление инжекции неосновных носителей в область J2. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен вольт), называется напряжением переключения VBF (точка 1 на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, тиристор переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи.
168. Какие требования прилагаются к смещениям переходов на тиристоре для возникновения регенеративного процесса.
Аналогичные соотношения можно получить для n-p-n транзистора при изменении направления токов на противоположное. Из рис. 18.5 следует, что коллекторный ток n-p-n транзистора является одновременно базовым током p-n-p транзистора. Аналогично коллекторный ток p-n-p транзистора и управляющий ток Ig втекают в базу n-p-n транзистора. В результате, когда общий коэффициент усиления в замкнутой петле превысит 1, оказывается возможным регенеративный процесс.
169 Какие условия должны выполняться для коэффициентов усиления транзисторов, составляющих тиристор, чтобы возник "пробой" тиристора.
Если α1 + α2 = 1, то знаменатель дроби обращается в нуль и происходит прямой пробой (или включение тиристора).
170. Каков диапазон токов и напряжений современных тиристоров.
Современные тиристоры изготовляют на токи от 1 мА до 10 кА; на напряжения от нескольких В до нескольких кВ; скорость нарастания в них прямого тока достигает 109 А/с, напряжения — 109 В/с, время включения составляет величины от нескольких десятых долей до нескольких десятков мкс, время выключения — от нескольких единиц до нескольких сотен мкс; КПД достигает 99 %
Шумы полупроводниковых приборов
171. Что понимается под термином "шум".
172. Каковы типы шумов и их природа.
173. Привести пример проявления дробового шума в электронных устройствах.
174. Какими коэффициентами оценивается качество используемого сигнала.
175. Привести пример причин появления шума в сигнальных системах.
176. Каков уровень соотношения сигнал/шум (в децибелах) в современной аппаратуре.
Надёжность электронных устройств
177. Что понимают под термином "надёжность.
178. Что представляет собой кривая отказов.
179. Что представляет собой "интенсивность отказов".
180. С какой целью проводятся ускоренные испытания.
Приборы с зарядовой связью (ПЗС)
181. Что представляет собой ПЗС устройство.
182. Для чего используются ПЗС устройства.
183. Сколько строк у ПЗС линейки.
185 Какой чувствительный фотоэлемент используется в современных фотокамерах.
Интегральные микросхемы
186. Каковы основные этапы развития электронной промышленности.
187. Что такой "информационное общество".
188. Что является основным фактором, благодаря которому приходит эра информации.
189. Каковы черты "глобального проекта общежития".
190. Что показывает "закон Мура".
191. Сколько транзисторов составляют современные интегрированные системы.
191. До какого размера элемента способна достичь технология цифровых ИС.
192. Что такое интегральная микросхема.
193. Что представляет собой полупроводниковую ИС.
194. Какие бывают типы ИС.
Технология изготовления ИС
195. Что представляет собой планарная технология.
196. Что представляет собой маршрут изготовления ИС.
197. Что включает в себя операции фотолитографии.
198. Каковы основные блоки изготовления ИС.
199. Какие есть типы межкомпонентной изоляции. Какой тип изоляции наиболее плотноупакованный.
200. Сколько литографий требуется, чтобы создать КМОП структуру с изоляцией локальным окислом и двумя уровнями металлизации.
Работа транзисторов в режиме с нагрузкой
201. Что является простейшей нагрузкой ключа на биполярном транзисторе.
202. Почему ключ на биполярном транзисторе является инвертирующим.
203. При каких напряжениях на базе транзистор закрыт.
204. Что можно сказать о токах запертого транзистора.
205. Каковы напряжения на выходе закрытого транзистора.
206. Что представляет собой режим насыщения транзистора.
207. Что можно сказать о напряжениях на входе и выходе ключа.
Работа усилительного элемента с нагрузкой
208. На какой схеме включения построен простейший усилитель постоянного тока (низкочастотный). У него однополярное или двуполярное питание?
209. Какие постоянные составляющие сигнала задают рабочую точку транзистора.
210. Что представляют собой дифференциальные параметры усилителя.
211. Что представляет собой коэффициент усиления.
212. О чём свидетельствует знак "минус" в выражении расчёта коэффициента усиления через параметры резисторов коллектора и эмиттера.
213. Каковы обычные величины однокаскадного усилителя.
214. Как определяется входное сопротивления усилителя.
215. Как определить входное сопротивление усилителя, зная коэффициент усиления b и величину сопротивления эмиттера.
216. Как определяется выходное сопротивление усилителя.
216. Что характеризует выходное сопротивление.
Режимы работы усилительного элемента
217. Какие существуют классы усиления, чем они определяются
218. Чем характеризуется режим класса А усилителей.
219. Как соотносится выходное напряжение с напряжениям питания усилителя.
220. Чему равен КПД усилителя в режиме А.
221. Что можно сказать об искажении сигнала в режиме А
222. Где расположена рабочая точка усилителя в режиме В.
223. Что можно сказать об искажении сигнала при работе усилителя в режиме В.
224. Как определяется схема для работы усилителя в режиме В
225. Чему равен КПД схемы двухтактного усилителя.
226. Где расположена рабочая точка при работе усилителя в режиме АВ
227. Что означает, что схема двухтактного усилителя может быть сделана на комплиментарных транзисторах.
228. Что характеризует режим работы усилителя в режиме С.
229. Какова форма входного сигнала в режиме С
Электровакуумные приборы
230. Что есть электровакуумный прибор.
231. Что представляет собой термоэлектронная эмиссия.
232. Как зависит ток анода от напряжения на аноде.
233. Почему наступает насыщение тока на ВАХ электровакуумного диода.
233. Как зависит ток насыщения от работы выхода электрона из катода.
234. Какие другие виды эмиссии электронов известны.
235. Что представляет собой катод электровакуумного прибора
236. Почему электровакуумный прибор с двумя выводами представляет собой диод
236. Чем характеризуются участки ВАХ электровакуумного диода.
237. Каковы параметры электровакуумного диода.
Эле́ктрова́куумный трио́д
238. Когда был изобретён электровакуумный триод
239. В чём сущность работы электровакуумного триода.
240. Каковы недостатки электровакуумного триода
241. Что представляет собой тетрод.
242. Какова особенность ВАХ тетрода. Из-за чего наблюдается участок отрицательного дифференциального сопротивления.
243. В чем преимущество пентода по сравнению с тетродом.
Основы цифровой схемотехники
Ключ на биполярных транзисторах
244. Что представляет собой ключ.
245. Каковы режимы работы биполярного транзистора. Чем они определяются
246. Что является мерой насыщения транзистора.
247. Чем нужно руководствоваться при выборе коэффициента насыщения.
248. На какие интервалы подразделяется время включения транзистора
249. Какие процессы проходят в транзисторе на этапе задержки включения.
250. Какие процессы происходят в транзисторе на этапе формирования фронта включения.
251. Как называются ток коллектора транзистора и напряжение на транзисторе после его включения
252. На какие интервалы подразделяется время выключения транзистора
253. Что можно сказать о токах базы и коллектора после выключения транзистора
Ключ на полевых (МДП) транзисторах
254. В чём заключаются достоинства ключа на комплементарных полевых (МДП) транзисторах.
Логические элементы
255. Что такое логическая операция.
Логическая операция - это преобразование по правилам алгебры логики (или булевой алгебры) входной цифровой информации в выходную.
Простейшее в функциональном отношении логическое устройство, выполняющее одну определенную логическую операцию над входными сигналами, называют логическим элементом.
256. Сколько значений принимают логические переменные.
В алгебре логики истинность суждения или высказывания о результатах той или иной логической операции обозначают символом 1, ложность - 0. Таким образом, логические переменные в алгебре логики принимают лишь два значения: единицу и нуль. Их называют двоичными переменными. Чтобы реализовать алгебру логики на электронных элементах, необходимо значение параметров этих элементов перевести на язык алгебры логики (0 или 1). Задавать значения параметров можно уровнем напряжения или полярностью импульсов.
257. Что есть "положительная" логика.
Если сигналы подают в виде высокого (положительной или отрицательной полярности) и низкого (близкого к нулю) уровня напряжения, то такой способ подачи сигнала называют потенциальным. Если высокому уровню напряжения U1 приписывают значение "единица", а низкому U° - "нуль", то логику называют положительной (позитивной), в противном случае - отрицательной (негативной). Разность уровней единицы и нуля называют логическим перепадом Uл = U1 - U0. Он должен быть значительным, иначе нельзя будет четко отделить один уровень от другого.
258. Что означает функционально полная система.
Система логических элементов, на базе которой можно строить логическую схему любой сложности, называется функционально полной. Основными и наиболее простыми логическими элементами являются элементы, выполняющие операции отрицания (НЕ), конъюнкции (И), дизъюнкции (ИЛИ). Они составляют функционально полную систему и являются системой минимального базиса. Каждая из этих операций и логических элементов имеет и другое название
259. На основании каких логических элементов можно построить функционально полную систему.
Функционально полную систему могут обеспечить составные (комбинированные) логические элементы, выполняющие логические операции И - НЕ, ИЛИ - НЕ. Их названия, обозначения также даны в табл.
260 Что представляет собой базисную систему для большинства ИС.
Логические элементы выполняют как на дискретных приборах, так и методами интегральной технологии. Для большинства серий интегральных микросхем базисной системой являются составные логические элементы И - НЕ или ИЛИ - НЕ. Их выпускают в виде отдельных микроминиатюрных устройств в герметичном корпусе.
261. На какой элементной базе могут быть выполнены логические элементы И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.
Рассмотрим логические элементы на полупроводниковых приборах. Логические элементы И и ИЛИ могут выполняться на резисторах, диодах, биполярных и полевых транзисторах и туннельных диодах. Элемент НЕ выполняется на транзисторах.
262. Какой логический элемент можно выполнить на одном биполярном npn транзисторе.
Date: 2015-05-05; view: 360; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |