Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Материал для элементов памятиСтр 1 из 4Следующая ⇒ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ДОСТУПОМ И ФАЗО-ПЕРЕМЕННЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ. PRAM Принцип работы элементов фазо-переменной памяти (PCM cell) PCM (от англ. Phase-Change Memory) - один из альтернативных вариантов энергонезависимой памяти следующего поколения. В элементах памяти этого типа в качестве ключа используют резистор, материал которого может находиться либо в аморфном (высокое сопротивление) - ключ разомкнут, это состояни элемента называют Reset; либо в кристаллическом (высокая проводимость) - ключ замкнут, это состояние называют Set. Переключение из одного состояния в другое осуществляют электрическими импульсами, управляющими режимом разогрева и охлаждения резистора. Материалом активной области служит халькогенидно полупроводниковое соединение Ge2Sb2Te5 или его аналоги. Материал для элементов фазо-переменной памяти (PCM cell) На нижнем рисунке показана зависисимость халькоенидного полупроводниковог соединения, которое может стекловатьс (переходить в аморфное состояние) от температуры Из рисунка видно, что при комнатной температуре разность в проводимости аморфной и поликристаллической фаз может достигать двух - четырех порядков. Материал для элементов памяти На нижнем рисунке показана диаграмма состояния GST В таблице показаны свойства элементов, входящих в состав GST. Ниже показана структура Ge2Sb2Te5.
Если на PCM элемент, обладающий высоким сопротивлением (состояние "Reset") подать импульс с амплитудой большей порогового значения U > Uth и длительностью более 80 нс, то образец переходит в состояние с высокой проводимостью ("Set"), которое сохраняется при отключении питания. Нижний левый график иллюстрируют процесс записи бита переводом PCM элемента из Reset в Set состяние. На графиках приведены значение напряжения на образце и тока через него, измеряемого путем регистрации напряжения на измерительном сопротивлении R=кОм. Правый нижний график демонстрирует результаты считывания информации после записи бита. Подан тестовый импульс с U < Uth. Наличие тока свидетелствует о том, что PCM элемент находится в состоянии "Set" (ключ замкнут), т.е. действительно бит был записан и материал активной области перешел из аморфного в кристаллическое состояние.. Если на PCM элемент, обладающий низким сопротивлением (состояние "Set") подать короткий импульс (50нс) с амплитудой тока, достаточной для расплавления образца, то образец переходит в состояние с высоким сопротивлением ("Reset"), которое сохраняется при отключении питания. Нижний левый график иллюстрируют процесс записи бита переводом PCM элемента из Set в Reset состяние. Правый нижний график демонстрирует результаты считывания информации после записи бита. Подан тестовый импульс с U < Uth. Отсутствие тока свидетелствует о том, что PCM элемент находится в состоянии "Reset" (ключ разомкнут), т.е. действительно бит был записан и материал активной области перешел из кристаллического в аморфное состояние.. Перечислим основные процессы, происходящие при перезаписи PCM элемента, приняв в качестве исходного состояние Reset (запоминающий объем в аморфном стостоянии, ключ разомкнут):
Как правило в выключенном состоянии сопротивление PCM ключа составляе 0,5 - 1,0 Мом, во включенном состоянии на два - три порядка меньше.
|