Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Типы логических элементовБазовый элемент транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ, серия К155) Операция логического умножения (И) осуществляется многоэмиттерным транзистором V 1, инверсия – транзисторным ключем с общим эмиттером V 2, а выходной каскад на транзисторах V 3 и V 4 повышает нагрузочную способность логического элемента (рис.2.3.)
Рис. 13.1. Логический элемент И-НЕ ТТЛ-логики Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ, ИМС с токовой связью, серия К500) Самая быстродействующая серия; недостаток – высокое энергопотребление. В качестве базового элемента используется дифференциальный усилитель. Большое быстродействие ИМС ЭСЛ обусловлено тем, что в этих элементах транзисторы работают в ненасыщенном (линейном) режиме, с малым перепадом напряжений логических уровней. Комплементарная МОП (КМДП логика, серия К176) В качестве базового элемента используются ключевые схемы, построенные на комплементарных МОП-транзисторах. На рис.13.2 приведена схема логического элемента И-НЕ, выполненного по технологии КМОП. Эта схема состоит из двух групп ключей на полевых транзисторах Т 1, Т 3 и Т 2, Т 4. Каждая группа управляется одним сигналом Х1 или Х2. При подаче сигналов Х 1 =Х 2 = 1 ключи на транзисторах Т 1 и Т 2 размыкаются, а ключи на транзисторах T3 и Т4 замыкаются. В результате сигнал на выходе . Применение полевых транзисторов с изолированным затвором обеспечивает высокое входное сопротивление микросхем КМОП. Благодаря малой входной емкости и высокому сопротивлению микросхемы КМОП чувствительны к статическому электричеству. Пробой изоляции под затвором происходит при напряжении около З0 В, в результате чего транзистор повреждается. Защита входов ИМС КМОП осуществляется с помощью встроенных диодов или стабилитронов, подключенных к линиям питания ИМС. Рис. 13. 2. Логический КМОП элемент.
Применение полевых транзисторов с изолированным затвором обеспечивает высокое входное сопротивление микросхем КМОП. Является основой современных микропроцессорных устройств. Преимущества: высокое значение коэффициента использования напряжения питания Δ U вых / E ≈ 1, малая потребляемая мощность, достаточно высокое быстродействие, высокая помехозащищенность, высокое быстродействием и нагрузочная способность, однако микросхемы КМОП чувствительны к статическому электричеству, что требует специальных мер при монтаже и транспортировке.
|