Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Переходные процессы в полевом транзистореИнерционность МДП-транзисторных ключей обусловлена главным образом перезарядом емкостей, входящих в состав комплексной нагрузки. Инерционность канала, характеризуемую постоянной времени tS (70), при необходимости можно учесть складывая tS с постоянной времени перезаряда емкостей. Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе показаны на рис.33. Пусть в исходном состоянии транзистор открыт и на нем падает небольшое остаточное напряжение. При поступлении запирающего напряжения ток в транзисторе уменьшается до нуля с весьма малой постоянной времени tS – практически мгновенно. После запирания транзистора емкость СН заряжается от источника питания EC через резистор RC с постоянной времени τС = RC СН. Процесс заряда описывается простейшей экспоненциальной функцией: Длительность фронта напряжения на уровне 0,9 EC составляет: tф = 2,3 RCCН (76) Заменив сопротивление RC отношением EC /IСН, можно записать (76) в более общем виде: tф = 2,3 (EC CН /IСН) (76 а) Отпирание ключа и формирование среза импульса напряжения протекает несколько сложнее. После подачи отпирающего сигнала ток IC практически мгновенно (с постоянной времени tS) достигает значения, определяемого формулой (64): . Этим током начинает разряжаться емкость СН. По мере разряда емкости напряжение на стоке UC уменьшается. До тех пор, пока оно остается больше напряжения насыщения UНАС= - UПОР, транзистор работает на пологом участке характеристики и ток сохраняет значение IC (0). Когда напряжение UC становится меньше UНАС, ток IC начинает падать, стремясь в пределе к значению IСН. Длительность среза положительного импульса оказывается значительно меньше длительности фронта. Для расчетов принята приближенная формула: tc= 1,5[ ECCН / IC (0)] (77) Постановка и содержание заданий Для того чтобы провести анализ конкретного электрического прибора или устройства, как правило, данные устройства или приборы представляются в виде эквивалентной электрической схемы замещения, состоящей из источников ЭДС, напряжений и активных и реактивных сопротивлений (индуктивностей и конденсаторов). Результаты расчетов эквивалентной электрической схемы переносят на реальные электрические приборы или устройства. Ввиду значительного объема информации по расчетам параметров электрических цепей и их элементов в настоящих методических указаниях поставлена задача помочь студентам ориентироваться в методах анализа электрических цепей, дать рекомендации по методикам и особенностям расчета параметров электрических цепей и их элементов, рассмотрен порядок их выполнения.
|