Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
ВВЕДЕНИЕ. В последнее время произошли качественные изменения в области силовой электроники, связанные с расширением выбора силового элемента
В последнее время произошли качественные изменения в области силовой электроники, связанные с расширением выбора силового элемента. Появившиеся мощные, быстродействующие MOSFET- и IGBT-транзисторы и быстродействующие силовые диоды вытесняют тиристорные устройства. Возможность коммутации токов до 1800 А и напряжений до 4,5 кВ на частотах до десятков килогерц делает применение этих транзисторов и быстродействующих диодов наиболее привлекательным в устройствах силовой электроники. Учебное пособие соответствует содержанию дисциплины «Силовая электроника» для направления 140400.62 «Энергетика и электротехника», утвержденного Министерством образования Российской Федерации, и состоит из введения, четырех глав и списка литературы. В первой главе приводится краткое описание системы схемотехнического проектирования Multisim 8; во второй – даны характеристики и параметры быстродействующих и выпрямительных силовых диодов, приведена лабораторная работа по исследованию статических и динамических характеристик силовых диодов. В третьей главе – описание, структура, принцип действия, характеристики и параметры мощных полупроводниковых ключей на биполярных транзисторах, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах. Представлена лабораторная работа по исследованию динамических и статических характеристик силовых транзисторных ключей. Лабораторные работы подготовлены в системе схемотехнического моделирования Multisim 8, являющейся усовершенствованием программного пакета ElectronicsWorkbench и получившей в настоящее время широкое распространение. Содержание работ, формы их проведения и способы представления результатов аналогичны тем, которые используются в реальных лабораториях, но не замещают лабораторных исследований, а дополняют их. Пособие может быть использовано студентами указанного выше направления для изучения и экспериментального исследования элементной базы силовой электроники и преобразователей переменного напряжения в постоянное, для проработки лекционного материала, а также в учебно-исследовательских и научно-исследовательских работах.
|