Нологии IRAM заключается в размещении процессора и DRAM в

Одном чипе Это дает возможность считывания и записи данных

Длинными словами (в пределах 128—6 384 бит), обеспечивая вы-

Сокую пропускную способность памяти Раньше это было невоз-

Можно —все упиралось в неприемлемо большое число выводов

микросхемы Средняя скорость RAC/CAS равна приблизительно

Не для модулей емкостью 64—56 Мбайт IRAM При этом

Снижается энергопотребление и уменьшается место, занимаемое

Микросхемами памяти

Магнитная оперативная память. Следует отметить, что первые

Образцы ОЗУ были построены на магнитных ферритовых сердечни-

Ках, которые пронизывали адресные и информационные шины

(провода) Емкость таких ЗУ обычно не превосходила 64 Кбайт

В последующем длительный период времени устройства ОЗУ вы-

Полнялись на кремниевых полупроводниковых элементах

В 2000 г IBM и немецкая фирма по производству полупровод-

Ников Infineon Technologies AG объявили программу разработки

MRAM (Magnetic Random Access Memory) Принцип организации

Элементов памяти —магнитная среда, заключенная между металли-

Ческими пленками, образующими линии записи и чтения данных

(рис 220)

Глава 2. Архитектура и структура ВМ и систем

Запись ≪1≫

Запись ≪О≫ Чтение бита i

Битовые линии

Рис. 2.20. Принцип функционирования MRAM

А —запись данных, б —считывание

Преимущества технологии —высокая емкость и скорость, низ-

Кая стоимость, возможность применения как в форме статической,

Так и динамической памяти, более низкое энергопотребление.

Статическая память

Статическая память (SRAM) обычно применяется в качестве

Кэш-памяти второго уровня (L2) для кэширования основного объе-

Ма ОЗУ. Статическая память выполняется обычно на основе ТТЛ-,

КМОП- или БиКМОП-микросхем и по способу доступа к данным

Может быть как асинхронной, так и синхронной. Асинхронным назы-