Ных считываний, чем FPM RAM. Теоретически быстродействие па-

мяти на 27 % выше, чем для FMP DRAM.

/HAS ч Выбор строки

/CAS „_ _ \

Выбор столбца

Address Уоглл/Y Уг-7

Адрес); 1 \ — Строка

DQ

Шина данных

t?c

V_^

?CAS

1 * / \

V / \ /

•Столбцы о о-

•DATA1 DATA2

! Данные

TfC

^Л,/

К.

--о (

DATA3

\_

OLJ)

D

DATA4

Рис. 2.16. Временная диаграмма EDO DRAM

Данный вид памяти является модификацией типовой FPM

RAM с небольшими отличиями во временной последовательности

/CAS и выходных данных. EDO DRAM обеспечивает более частую

Выдачу выходных данных, чем стандартная DRAM. Наибольшая

Скорость EDO RAM в циклах процессора —это 5——— для па-

кета чтения из четырех величин (байт/слово/двойное слово). Па-

мять выпускается в трех вариантах —70, 60 и 50 не. EDO RAM не

Может работать при частоте шины, превышающей 66 МГц, а этот

Предел уже достигнут.

BEDO RAM (Burst extended data out DRAM —пакетная с расши-

Ренным выходом), как это видно из названия, читает данные в виде

Пакета, что означает, что после получения адреса каждая из следую-

Щих трех единиц информации читается за один цикл таймера, а

Процессор считывает данные в виде пакета 5— —1—. Быстродейст-

вие системы на 100 % превосходит FPM и на 50 % —EDO DRAM.

Обращение к В EDO на чтение имеет два отличия от доступа к

EDO. Первое из них —это то, что в первом цикле /CAS данные не

Попадают на выходы. Преимущество такого внутреннего конвейер-

Глава 2. Архитектура и структура ВМ и систем

Ного звена состоит в том, что во втором цикле время появления

данных после выдачи переднего фронта /CAS (т. е. /CAS) будет мень-

Ше. Другое отличие состоит в том, что системы BEDO содержат

Внутренний счетчик адреса, т. е. они получают извне только первый

из четырех последовательных адресов. Первый цикл /CAS, загру-

жающий внутреннее конвейерное звено, не приводит" к задержке

При получении первого элемента данных.

Основным недостатком BEDO RAM является также невозмож-

Ность работы на частоте шины, превышающей 66 МГц.