Исследование частотных свойств полупроводниковых диодов

В процессе выполнения данного опыта необходимо изменять частоту генератора G1, устанавливая при этом частоты и наблюдать на экране осциллографа формы напряжений на выходе генератора и нагрузке.

Рис.3 Схема для исследования частотных характеристик на частоте 50 Гц

· Запускаем работу схемы и устанавливаем частоту генератора f = 50 Гц и снимаем осциллограммы напряжений на диодах при указанной частоте (красным лучом отображается сигнал на выходе генератора, а черным сигнал на нагрузке):

Осциллограмма диода Д223А на частоте 50 Гц:

Осциллограмма диода КД522А на частоте 50 Гц:

Запускаем работу схемы на частоте f=1000 Гц.

Рис.4. Схема для исследования частотных характеристик на частоте 1 кГц

Снимаем осциллограммы напряжений на диодах при указанной частоте (красным лучом отображается сигнал на выходе генератора, а черным сигнал на нагрузке):

Осциллограмма диода Д223А на частоте 1000 Гц (1 кГц):

Осциллограмма диода КД522А на частоте 1000 Гц (1 кГц):

· Запускаем работу схемы и устанавливаем частоту генератора f = 50000 Гц и снимаем осциллограммы напряжений на диодах при указанной частоте (красным лучом отображается сигнал на выходе генератора, а черным сигнал на нагрузке):

Осциллограмма диода Д223А на частоте 50000 Гц (50 кГц):

Осциллограмма диода КД522А на частоте 50000 Гц (50 кГц):

Вывод:

По результатам проведенных исследований выяснено, что на частотах 50 Гц и 1000 Гц оба исследуемых диода не искажают формы напряжения в цепи. На частоте 50000 Гц на диоде Д223А наблюдается искажение формы сигнала. На диоде КД522А искажений формы сигнала не происходит. Следовательно, можем сделать вывод, что диод КД522А является высокочастотным.