Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Теоретические сведения. Порядок расчета Исходная схема:Порядок расчета Исходная схема: -Рисунок 4- Схема транзисторного автогенератора Исходные данные: 1 вариант: Выходная мощность контура Рк=45(Вт); Частота сигнала на выходе контура fр =25(МГц) Задан тип транзистора 2Т950Б;
Мощность транзистора Ркмах=50(Вт); Максимальная частота fMax==30(MГц); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора ЕК=28(В);
Крутизна линий критического режима SKp=26(A/B) Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B) Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90° Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318 2 вариант: Выходная мощность контура Рк=35(Вт); Частота сигнала на выходе контура fp=15(MГц); Задан тип транзистора 2Т950Б; Мощность транзистора Ркмах=40(Вт); Максимальная частота fMax=25(MГц); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора Ек=30(В); Крутизна линий критического режима SKp=20 (A/B); Крутизна характеристики тока коллектора So=30(A/B); Угол отсечки тока коллектора Ɵ=900 Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318 3 вариант: Выходная мощность контура Рк=40(Вт); Частота сигнала на выходе контура fр=45(МГц); Задан тип транзистора 2Т950Б; Мощность транзистора Ркмах=35(Вт); Максимальная частота fMax=50(MГц); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора Ек=30(В);
Крутизна линий критического режима Skp=20(A/B); Крутизна характеристики тока коллектора So=40(A/B); Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90° Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318 4 вариант: Выходная мощность контура Рк=60(Вт); Частота сигнала на выходе контура fp=28(MГц); Задан тип транзистора 2Т950Б; Мощность транзистора Рkmax=50(Вт); Максимальная частота fmax=25(MГц); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектораЕК=25(В);
Выходная мощность контура Рк=45(Вт); Частота сигнала на выходе контура fp=30(MГц); Задан тип транзистора 2Т950Б; Мощность транзистора Ркмах=50(Вт); Максимальная частота fmax=25(MГц); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора ЕК=28(В); Крутизна линий критического режима SKp=26(A/B); Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B); Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90° Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318 6 вариант: Выходная мощность контура Рк=55(Вт); Частота сигнала на выходе контура fр=35(МГц); Задан тип транзистора 2Т950Б; Мощность транзистора Ркмах=50(Вт); Максимальная частота fmax=45(MГц,); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора ЕК=28(В); Крутизна линий критического режима Skp=26(A/B); Крутизна характеристики тока коллектора $0=31(A/B); Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90° Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318
7 вариант:
Выходная мощность контура Рк=20(Вт); Частота сигнала на выходе контура fp=35(MГц); Задан тип транзистора 2Т950Б; Мощность транзистора Рkшах=50(Вт); Максимальная частота fmax=40(MГц); Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора ЕК=28(В);
Крутизна линий критического режима Skp=26(A/B); Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B); Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90º Коэффициент разложения импульса тока α1=0,5; αо=0,318 Методика расчета. Определяют: усредненное время движения носителей тока между р-п переходами транзистора (в микросекундах) Угол пробега носителей тока ϕпр=2πfpτ (выразить в градусах!) Угол отсечки тока эмиттера ©э=(Ɵ-ϕпр)°
Рисунок 5-Графики зависимости коэффициента разложения от угла отсечки тока По графикам определяем коэффициенты разложения тока эмиттера и а0 Находим коэффициент использования коллекторного напряжения ξ=1- 2Pk/E2k Skα1 Находим: Амплитуду переменного напряжения на контуре Ukm=ξEk Амплитуду первой гармоники коллекторного тока Jkm1=2Pk/α1 Постоянную составляющую коллекторного тока Jko=α0Jkm1 Максимальное значение импульса тока коллектора Jkmax=Jkm1/α1
Мощность в цепи коллектора P0=JK0Ek Мощность рассеяния на коллекторе Рko =Р0 –Рk К.П.Д. по цепи коллектора ηk=Pk/P0 Эквивалентное резонансное сопротивление контура в цепи коллектора RЭ0=Ukm/Jkm1 Коэффициент передачи тока в схеме с общей базой на низкой частоте H21b=h21L/1+h21L To же на рабочей частот H21b=h21L/1+h21L Амплитуда импульса тока эмиттера Jэmax=Jkm1/α1э
Амплитуда напряжения возбуждения на базе транзистора Uбэm=Jэmax/(1-cos Ɵ э)S0 Напряжение смещения на базе Uбэ СМ = Ec+U63mCOSƟ3 Где Ес=0,2(В) - напряжение среза Коэффициент обратной связи Koc=Uбэт/Ukm
Постоянная составляющая тока базы
Jбо=Jko/h21L Ток делителя R1 и R2 Jg=5Jбо Сопротивление
R2=Uбэт/Jg Рабочая длина волны ƛp=C/ F p=3x108/25x106 Минимальная общая емкость контруа Сkmin ~ 2λp (в пикофарадах) Емкость C3=Ckmin-CBH Где Свн=11(nф)-вносимая емкость Индуктивность контура Lk=0,282/λ2p/Ck min где Lk - в микроГенри, ƛp - в метрах, CKmin - в пико Фарадах, Волновое сопротивление контура
Β=103√Lk/Ckmin где (β - в омах, Lk - в мкГн, Скmin- в nФ. Добротность нагруженного контура Q1=Q(1-nk)
где Q=200 - добротность ненагруженного контура Сопротивление потерь Rn= β / Q1 Сопротивление, вносимое в контур RBH=Rnnk(1-nK) Полное сопротивление контура RK=Rnnk(1-nk) Полное сопротивление контура Rk=Rn+RBH Амплитуда тока в нагруженном контуре Jkm=√2П/Pk Индуктивности L2=KocLk L1=Lk-L2 Резистор R1=Ek-Uбэсм/Jg Мощности рассеяния на резисторах PR1=Jg2 R1; PR2=Jg2 R2 Емкость C1=20Cэ, где Сэ=600 nф - емкости эмиттерного перехода транзистора. Резистор R3=Uэ/Jэо где Uэ=1,5(В) - напряжение на Rэ Jэо=Jko
Емкость
С2=30x103/fpR3
Где С2- в микрофарадах, fp- в герцах, R3 – в килоомах
|