Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Теоретические сведения. Порядок расчета Исходная схема:





Порядок расчета Исходная схема:

-Рисунок 4- Схема транзисторного автогенератора

Исходные данные:

1 вариант:

Выходная мощность контура Рк=45(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fр =25(МГц)

Задан тип транзистора 2Т950Б;

 

 

 

Мощность транзистора Ркмах=50(Вт);

Максимальная частота fMax==30(MГц);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40;

Напряжение коллектора ЕК=28(В);

 

Крутизна линий критического режима SKp=26(A/B)

Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B)

Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90°

Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318

2 вариант:

Выходная мощность контура Рк=35(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fp=15(MГц);

Задан тип транзистора 2Т950Б;

Мощность транзистора Ркмах=40(Вт);

Максимальная частота fMax=25(MГц);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40;

Напряжение коллектора Ек=30(В);

Крутизна линий критического режима SKp=20 (A/B);

Крутизна характеристики тока коллектора So=30(A/B);

Угол отсечки тока коллектора Ɵ=900

Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318

3 вариант:

Выходная мощность контура Рк=40(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fр=45(МГц);

Задан тип транзистора 2Т950Б;

Мощность транзистора Ркмах=35(Вт);

Максимальная частота fMax=50(MГц);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40;

Напряжение коллектора Ек=30(В);

 

Крутизна линий критического режима Skp=20(A/B);

Крутизна характеристики тока коллектора So=40(A/B);

Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90°

Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318

4 вариант:

Выходная мощность контура Рк=60(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fp=28(MГц);

Задан тип транзистора 2Т950Б;

Мощность транзистора Рkmax=50(Вт);

Максимальная частота fmax=25(MГц);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40;

Напряжение коллектораЕК=25(В);

Крутизна линий критического режима Skp=30(A/B); Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B); А Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90º Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,31

 


 

Выходная мощность контура Рк=45(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fp=30(MГц);

Задан тип транзистора 2Т950Б;

Мощность транзистора Ркмах=50(Вт);

Максимальная частота fmax=25(MГц);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40;

Напряжение коллектора ЕК=28(В);

Крутизна линий критического режима SKp=26(A/B);

Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B);

Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90°

Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318

6 вариант:

Выходная мощность контура Рк=55(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fр=35(МГц);

Задан тип транзистора 2Т950Б;

Мощность транзистора Ркмах=50(Вт);

Максимальная частота fmax=45(MГц,);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40;

Напряжение коллектора ЕК=28(В);

Крутизна линий критического режима Skp=26(A/B);

Крутизна характеристики тока коллектора $0=31(A/B);

Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90°

Коэффициент разложения импульса тока α=0,5; α=0,318

 

7 вариант:


 

Выходная мощность контура Рк=20(Вт);

Частота сигнала на выходе контура fp=35(MГц);

Задан тип транзистора 2Т950Б;

Мощность транзистора Рkшах=50(Вт);

Максимальная частота fmax=40(MГц);

Статический коэффициент передачи тока h21e=40; Напряжение коллектора ЕК=28(В);

 

Крутизна линий критического режима Skp=26(A/B);

Крутизна характеристики тока коллектора So=31(A/B);

Угол отсечки тока коллектора Ɵ=90º

Коэффициент разложения импульса тока α1=0,5; αо=0,318

Методика расчета.

Определяют: усредненное время движения носителей тока между р-п переходами транзистора

(в микросекундах)

Угол пробега носителей тока ϕпр=2πfpτ (выразить в градусах!)

Угол отсечки тока эмиттера ©э=(Ɵ-ϕпр

 

 


 

 

 



Рисунок 5-Графики зависимости коэффициента разложения от угла отсечки тока По графикам определяем коэффициенты разложения тока эмиттера и а0

Находим коэффициент использования коллекторного напряжения

ξ=1- 2Pk/E2k Skα1

Находим:

Амплитуду переменного напряжения на контуре

Ukm=ξEk

Амплитуду первой гармоники коллекторного тока

Jkm1=2Pk1

Постоянную составляющую коллекторного тока

Jko0Jkm1

Максимальное значение импульса тока коллектора

Jkmax=Jkm11

 


 

Мощность в цепи коллектора

P0=JK0Ek

Мощность рассеяния на коллекторе

Рko0 –Рk

К.П.Д. по цепи коллектора

ηk=Pk/P0

Эквивалентное резонансное сопротивление контура в цепи коллектора

RЭ0=Ukm/Jkm1

Коэффициент передачи тока в схеме с общей базой на низкой частоте

H21b=h21L/1+h21L

To же на рабочей частот

H21b=h21L/1+h21L

Амплитуда импульса тока эмиттера

Jэmax=Jkm1

 

 

Амплитуда напряжения возбуждения на базе транзистора

Uбэm=Jэmax/(1-cos Ɵ э)S0

Напряжение смещения на базе

Uбэ СМ = Ec+U63mCOSƟ3

Где Ес=0,2(В) - напряжение среза Коэффициент обратной связи

Koc=Uбэт/Ukm


 

Постоянная составляющая тока базы

 

 

Jбо=Jko/h21L


 

Ток делителя R1 и R2

Jg=5Jбо

Сопротивление

 

R2=Uбэт/Jg


Рабочая длина волны

ƛp=C/ F p=3x108/25x106

Минимальная общая емкость контруа

Сkmin ~ 2λp (в пикофарадах) Емкость

C3=Ckmin-CBH

Где Свн=11(nф)-вносимая емкость Индуктивность контура

Lk=0,282/λ2p/Ck min

где Lk - в микроГенри, ƛp - в метрах,

CKmin - в пико Фарадах, Волновое сопротивление контура

 

Β=103√Lk/Ckmin



где (β - в омах, Lk - в мкГн, Скmin- в nФ.

Добротность нагруженного контура Q1=Q(1-nk)

 

 


 

где Q=200 - добротность ненагруженного контура Сопротивление потерь

Rn= β / Q1

Сопротивление, вносимое в контур

RBH=Rnnk(1-nK)

Полное сопротивление контура

RK=Rnnk(1-nk)

Полное сопротивление контура

Rk=Rn+RBH

Амплитуда тока в нагруженном контуре

Jkm=√2П/Pk



Индуктивности

L2=KocLk

L1=Lk-L2

Резистор

R1=Ek-Uбэсм/Jg

Мощности рассеяния на резисторах

PR1=Jg2 R1; PR2=Jg2 R2 Емкость

C1=20Cэ,

где Сэ=600 nф - емкости эмиттерного перехода транзистора. Резистор

R3=Uэ/Jэо

где Uэ=1,5(В) - напряжение на Rэ Jэо=Jko

 

 

 

 

 

 


 

Емкость

 

 

С2=30x103/fpR3

 

Где С2- в микрофарадах, fp- в герцах, R3 – в килоомах

Date: 2015-10-21; view: 704; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию