Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Усилитель работает в режиме, соответствующем классу В

1. Напряжение на сопротивлении нагрузки:

 

действующее значение UH = (PH*RH)0,5

амплитудное значение UHm = Ö2 Uн

 

2. Напряжение источника питания

 

Us = 2 Ukэm = 2(UHm + Uост)

 

Принимаем напряжение питания: Us = B

 

3. Расчетная мощность усилителя:

Рн.р = кЗ*Pн

где кЗ = 1,15…1,4 - коэффициент запаса

 

4. Амплитуда тока коллекторов оконечных транзисторов VT6, VT7:

 

Ik6.max = Ik7.max = U kэm / RН

 

5. Токи коллекторов оконечных транзисторов в режиме покоя:

 

I К6.2 Q = I К7.2 Q = (0,02…0,03) I К.max

 

6. Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе:

 

Pk max = US2 / 4p2RН

 

7. Ориентируясь на значения PКмакс, UКЕ.m.max., IК.max. и fмакс, выбираем (з запасом не меньшим, чем 20 %) составные транзисторы (рис.2) (комплементарные пары, например, типов:

 

VT6.1VT6.2 (n-p-n);

КТ815В.и КТ315В

или

КТ817В и КТ3102Б;.

или

КТ819В и КТ503В.

 

VT7.1VT7.2 (p-n-p

КТ814В и КТ361В;

или

КТ816В и КТ3107Б;

или

КТ818В и КТ502В;

 

Выписываем из справочников [8,9, 15] их параметры:

, , ,

, h21E.

 

 

Рис.2 Составные транзисторы

в предоконечной ступени усилителя

 

 

Примем сопротивления резисторов R20 = R21 = 1 кОм ± 5%

 

8. Ориентируясь на входные характеристики транзисторов, находим напряжение на их электродах (см. рис.2):

UЭ 6.2 = US / 2

UЭ 6.1 = UБ 6.2 = UЭ 6.2 + UБЭ 6.2

UБ 6.1 = UЭ 6.1 + UБЭ 6.1

UЭ 7.2 = US / 2

UЭ 7.1 = UБ 7.2 = UЭ 7.2 – UБЭ 7.2

UБ 7.1 = UЭ 7.1 – UБЭ 6.1

 

9. Напряжение смещения:

Uсм 6,7 = UБ 6.1 – UБ 7.1

Это смещение обеспечивается транзистором VT5 с резисторами R18 и R19.

 

10. Определение параметров цепи смещения.

Максимальный ток базы транзисторов VT6.1 и VT7.1

IБ 6.1.мах» IБ 7.1.мах = IК.VT6.2.max / h21.6.1 h21.6.2.

 

Ток базы предоконечных транзисторов в режиме покоя:

 

IБ 6.1 Q = IБ 7.1 Q = IК 7.1 Q / h21.6.1 h21.6.2

 

Ориентируясь на неравенство IК5 >> IБ 6.1.мах, принимаем для дальнейших расчетов IК5 = 25 мА» const, IR18 = IR19 = 5 мА

R19 = UБЭ.5 / IR18,19

Принимаем R19 = Ом (по Е24),

R18 = R19(1+Uсм / UБЭ.5)

Принимаем R18 = Ом (по Е24),

R16 = R17 = (US – UБ 6.1) / (IК5+IR18+IБ 6.1 мах) =

 

Принимаем R16 = R17 = Ом (Е24)

 


<== предыдущая | следующая ==>
V. Ответственность сторон | Значение наибольшей амплитуды напряжения на коллекторах транзисторов

Date: 2015-10-19; view: 205; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию