Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Усилитель работает в режиме, соответствующем классу В1. Напряжение на сопротивлении нагрузки:
действующее значение UH = (PH*RH)0,5 амплитудное значение UHm = Ö2 Uн
2. Напряжение источника питания
Us = 2 Ukэm = 2(UHm + Uост)
Принимаем напряжение питания: Us = B
3. Расчетная мощность усилителя: Рн.р = кЗ*Pн где кЗ = 1,15…1,4 - коэффициент запаса
4. Амплитуда тока коллекторов оконечных транзисторов VT6, VT7:
Ik6.max = Ik7.max = U kэm / RН
5. Токи коллекторов оконечных транзисторов в режиме покоя:
I К6.2 Q = I К7.2 Q = (0,02…0,03) I К.max
6. Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе:
Pk max = US2 / 4p2RН
7. Ориентируясь на значения PКмакс, UКЕ.m.max., IК.max. и fмакс, выбираем (з запасом не меньшим, чем 20 %) составные транзисторы (рис.2) (комплементарные пары, например, типов:
VT6.1VT6.2 (n-p-n); КТ815В.и КТ315В или КТ817В и КТ3102Б;. или КТ819В и КТ503В.
VT7.1VT7.2 (p-n-p КТ814В и КТ361В; или КТ816В и КТ3107Б; или КТ818В и КТ502В;
Выписываем из справочников [8,9, 15] их параметры: , , , , h21E.
Рис.2 Составные транзисторы в предоконечной ступени усилителя
Примем сопротивления резисторов R20 = R21 = 1 кОм ± 5%
8. Ориентируясь на входные характеристики транзисторов, находим напряжение на их электродах (см. рис.2): UЭ 6.2 = US / 2 UЭ 6.1 = UБ 6.2 = UЭ 6.2 + UБЭ 6.2 UБ 6.1 = UЭ 6.1 + UБЭ 6.1 UЭ 7.2 = US / 2 UЭ 7.1 = UБ 7.2 = UЭ 7.2 – UБЭ 7.2 UБ 7.1 = UЭ 7.1 – UБЭ 6.1
9. Напряжение смещения: Uсм 6,7 = UБ 6.1 – UБ 7.1 Это смещение обеспечивается транзистором VT5 с резисторами R18 и R19.
10. Определение параметров цепи смещения. Максимальный ток базы транзисторов VT6.1 и VT7.1 IБ 6.1.мах» IБ 7.1.мах = IК.VT6.2.max / h21.6.1 h21.6.2.
Ток базы предоконечных транзисторов в режиме покоя:
IБ 6.1 Q = IБ 7.1 Q = IК 7.1 Q / h21.6.1 h21.6.2
Ориентируясь на неравенство IК5 >> IБ 6.1.мах, принимаем для дальнейших расчетов IК5 = 25 мА» const, IR18 = IR19 = 5 мА R19 = UБЭ.5 / IR18,19 Принимаем R19 = Ом (по Е24), R18 = R19(1+Uсм / UБЭ.5) Принимаем R18 = Ом (по Е24), R16 = R17 = (US – UБ 6.1) / (IК5+IR18+IБ 6.1 мах) =
Принимаем R16 = R17 = Ом (Е24)
|