Шоттки диод

Шоттки диод – полупроводниковый диод, диод с барьером Шоттки, сконструированный на базе контакта металл – полупроводник; получил свое название по имени немецкого ученого В. Шоттки, который в 1938—1939 гг. создал основы теории данных диодов. При производстве диода Шоттки на очищенную поверхность полупроводникового кристалла, изготовленного из Si, GaAs, реже Ge, методами вакуумного испарения, электролитического или химического осаждения либо катодного распыления наносят тончайший слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.). В диодах Шоттки (в приконтактной области полупроводника) так же, как и в диодах с электронно-дырочным переходом (в области такого перехода), появляется потенциальный барьер, перемена высоты которого под воздействием внешнего напряжения приводит к перемене тока, протекающего через прибор. Ток, протекающий через контакт металл – полупроводник, в отличие от тока, протекающего через электронно-дырочный переход, зависит только от основных носителей заряда.

Главные особенности диода Шоттки в сравнении с полупроводниковыми диодами других типов: шанс получать необходимую высоту потенциального барьера с помощью выбора конкретного металла; низкий уровень высокочастотных шумов; значительная нелинейность ВАХ при незначительных прямых смещениях; весьма малая инерционность; физическая совместимость с интегральными схемами; простота производства. Диоды Шоттки служат в основном СВЧ-диодами разного назначения (детекторными, лавинно-пролетными, смесительными, параметрическими, умножительными, импульсными); помимо этого, диоды Шоттки используют в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света; их применяют, в том числе, в солнечных батареях, выпрямителях тока ВЧ и т. д.