Электронно-дырочный переход и процессы, в нем происходящие

Примесная проводимость. Для создания полупроводниковых приборов часто используют кристаллы с примесной проводимостью. Такие кристаллы изготавливаются с помощью внесения примесей с атомами трехвалентного или пятивалентного химического элемента.

Леги́рование (нем. legieren — «сплавлять», от лат. ligare — «связывать») — добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) физических и/илихимических свойств основного материала. Легирование является обобщающим понятием ряда технологических процедур, различают объёмное (металлургическое) и поверхностное (ионное, диффузное и др.) легирование.В разных отраслях применяются разные технологии легирования.В металлургии легирование производится в основном введением в расплав дополнительных веществ (например, в сталь — хрома, никеля, молибдена), улучшающих механические, физические и химические свойства сплава.

Электронно-дырочный переход и процессы, в нем происходящие.

P-n -перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой. Процессы Обмен зарядами.

4. Пробой перехода и его виды.

Пробоем называют резкое изменение режима работы p-n -перехода, находящегося под большим обратным напряжением. Туннельный пробой возникает при малой ширине p-n -перехода (например, при низкоомной базе), когда при большом обратном напряжении электроны проникают за барьер без преодоления самого барьера. В результате туннельного пробоя ток через переход резко возрастает и обратная ветвь ВАХ идет перпендикулярно оси напряжений вниз. Лавинный пробой возникает в том случае, если при движении до очередного соударения с нейтральным атомом кристалла электрон или дырка приобретают энергию, достаточную для ионизации этого атома, при этом рождаются новые пары электрон-дырка, происходит лавинообразное размножение носителей зарядов; здесь основную роль играют неосновные носители, они приобретают большую скорость. Лавинный пробой имеет место в переходах с большими удельными сопротивлениями базы («высокоомная база»), т.е. в p-n -переходе с широким переходом. Тепловой пробой характеризуется сильным увеличением тока в области p-n -перехода в результате недостаточного теплоотвода.

5.Принцип работы, классификация диодов. Устройство плоскостных и точечных диодов.

Диод одной стороной хорошо пропускает ток, а в обратном направлении - очень плохо. Диод используют для выпрямлении переменного тока, при помощи диодного моста. Классификация диодов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного материала (полупроводника) отображается системой условных обозначений их типов.

6)Импульсные, туннельные диоды, стабилитроны, варикапы, их отличительные особенности и применение. И́мпульсный дио́д — диод, предназначенный для работы в высокочастотных импульсных схемах. Применяют в сверхбыстродействующих импульсных ключевых схемах Туннельный диод — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором при приложении напряжения в прямом направлении, туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике. широкое применение в качествегенераторов и высокочастотных переключателейю Стабилитрон – это специальный полупроводниковый диод, при работе которого используется обратная ветвь вольт-амперной характеристики в режиме электрического пробоя. При значительных изменениях силы обратного тока через диод напряжение на нем практически не изменяется(стабильно). Варика́п (акроним от англ. vari(able) — «переменный», и cap(acity) — «ёмкость») — электронный прибор,полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n перехода от обратного напряженияю Применяются для перестройки частоты генераторов управляемых напряжением в синтезаторах частоты.

7)Полупроводниковый диод – устройство, принцип работы, схема включения, УГО.

Полупроводнико́вый дио́д — полупроводниковый прибор, в широком смысле - электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле - полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один или несколько p-n -переходов. Принцып оба контакта имеют различные характеристики. На одном наблюдается избыток электронов, в то время как другой имеет избыток отверстий. Естественно, в устройстве есть участок, в котором все электроны заполняют определенные пробелы. Это означает, что внешние заряды отсутствуют. В связи с тем, что эта область обедняется носителями заряда и известна как объединяющий участок.