Побудова і робота променевого тетрода

Крім пентодів одержали поширення променеві тетроди. У них динатронний ефект усунений шляхом створення для вторинних електронів потенціального бар'єра між екрануючою сіткою і анодом.

У променевому тетроді збільшена відстань між екрануючою сіткою і анодом сітки мають однакове число витків, причому витки розташовані один навпроти одного. При такій конструкції електрони летять від катода до анода більш щільними пучками — «променями» (мал. 14.9). Щоб вони не летіли в напрямку тримачів сітки, є екрани Е ₁ і Е ₂, з'єднані з катодом. Крім того, поверхня катода, що знаходиться проти тримачів сітки, не покривається оксидним шаром і тому не емітує.

За рахунок більш щільних електронних потоків зростає щільність об'ємного заряду. Це викликає зниження потенціалу в просторі між анодом і екрануючою сіткою. Якщо напруга анода нижча від екрануючої сітки, то в проміжку екрануюча сітка - анод утвориться потенційний бар'єр для вторинних електронів.

Рис.14.10 Розподіл електронів (а) і потенціалу (6) у променевому тетроді

На мал.14.10 показаний розподіл електронів в електронному пучку і потенціалу в проміжку анод — екрануюча сітка при U_а < U_{g 2}. Крива 1 відповідає звичайному тетродові або променевому тетродові, якщо струм у ньому невеликий. Крива 2 для променевого тетрода з нормальним анодним струмом показує, що при U_а = 50 В и U_{g 2} = 200 В Створюється потенційний бар'єр «висотою» 30 В для вторинних електронів, вибитих з анода. На ділянці від φ_min = 20 В до анода на вторинні електрони діє гальмуюче поле, що повертає них на анод. А первинні електрони, маючи великі швидкості за рахунок напруги екрануючої сітки, переборюють цей бар'єр і попадають на анод.

У звичайних тетродах сітка, що екранує, «розбиває» електронні потоки і перехоплює багато електронів. Тому не виходять досить щільні електронні потоки і не створюється потенційний бар'єр для вторинних електронів. Перевага променевих тетродів — зменшений струм екрануючої сітки (не більш 7% анодного).