Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Что такое диффузия и для чего она применяется? ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2 Диффузией называется перенос атомов вещества (примеси), обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, возникающий при наличии градиента концентрации данного вещества, и направленный в сторону убывания этой концентрации. С помощью диффузии можно управлять типом проводимости и концентрацией примеси в локальных областях полупроводниковой пластины, изменять тем самым электрические свойства этих областей. Диффузия является детально изученным методом легирования и наиболее широко применяется на практике. Диффузия используется для введения в полупроводник некоторого заданного количества легирующей примеси.
Примесные атомы могут располагается в кремнии в узлах кристаллической решетки, замещая основные атомы, и между основными атомами (междоузельные примеси). Соответственно и перемещение примесных атомов может происходить по двум механизмам: вдоль дефектов кристаллической решетки (вакансиям) и по междоузлиям. При высокой температуре (~1000 оС) наблюдается активация процесса диффузии. При диффузии по первому механизму после охлаждения кристалла вакансии исчезают, а примесные атомы, занимающие узлы кристаллической решетки, фиксируются. При диффузии по второму механизму после охлаждения кристалла междоузельные атомы могут вернуться в узлы, замещая основные атомы, и стать электрически активными.
Коэффициент диффузии — количественная характеристика скорости диффузии, равная количеству вещества (в массовых единицах), проходящего в единицу времени через участок единичной площади (например, 1 м²) при градиенте концентрации, равном единице (соответствующем изменению 1 моль/л → 0 моль/л на единицу длины). Коэффициент диффузии определяется свойствами среды и типом диффундирующих частиц. Коэффициент диффузии D и подвижность m связаны между собой соотношением Эйнштейна: , где k – постоянна Больцмана, T – абсолютная температура, q – заряд. Температурная зависимость коэффициента диффузии имеет вид: , где D0 – постоянная, численно равная коэффициенту диффузии при бесконечно большой температуре, см2/с; DЕ – энергия активации диффузии, эВ.
При диффузии из поверхностного источника бесконечной мощности, обеспечивающего постоянство поверхностной концентрации С0 начальное и граничные условия для решения дифференциального уравнения диффузии имеет вид: , . При этих условиях распределение концентрации примеси по глубине диффузионного слоя в момент времени t описывается выражением: . В случае двухстадийной диффузии в слаболегированный полупроводник одной и той же примеси распределение имеет вид: , где C 01,D1, t1 и C02, D2, t2 относятся соответственно к первой и второй стадиям диффузии. При одностадийной диффузии примеси в полупроводник с противоположным типом проводимости, т.е. при формировании р-n перехода, положение р-n перехода определяется точкой инверсии типа проводимости: , где СВ – концентрация примеси в исходном полупроводнике.
При диффузии из поверхностного источника ограниченной мощности, если в начальный момент процесса легирующая примесь сосредоточена на поверхности полупроводника в исчезающе тонком слое, ее концентрация равна Q, а ее приток извне отсутствует, то начальное и граничные условия можно записать следующим образом: ; ; ; . В этом случае при решении уравнения диффузии распределение концентрации примеси получается в виде функции Гаусса: ; . При диффузии примеси из поверхностного источника ограниченной мощности в полупроводник с противоположным типом проводимости, положение р-n перехода можно рассчитать по следующему выражению: . Температурная зависимость коэффициента диффузии имеет вид: , где D0 – постоянная, численно равная коэффициенту диффузии при бесконечно большой температуре, см2/с; DЕ – энергия активации диффузии, эВ. Литература
1. В.А. Никоненко. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г.Д. Кузнецова. - М: МИСиС, 2001. –48с. 2. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. – М.: Радио и связь, 1988. 3. Дьяконов В.П. Справочник по MathCAD PLUS 7.0 PRO. –М.: СК Пресс, 1998. 4. Броудай И., Меррей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. - М.: Мир, 1985. 5. Технология тонких пленок. Справочник: Пер. с англ. /Под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. -М., Сов. Радио, 1977. Т. 1. 6. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие. -2-е изд., перераб. и доп. -М.: Высш. шк., 1979. 7. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем: Учеб. пособие. -М.: Высш. шк., 1989.
|