Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Задание. Дисциплина: Физико-химические основы микро - и нанотехнологий ТЕМА: Изучение физико-химических основ технологии
О Т Ч Е Т
ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ №1
| ДИСЦИПЛИНА: | " Физико-химические основы микро - и нанотехнологий " | |
| ТЕМА: | "Изучение физико-химических основ технологии термической диффузии " | |
| Выполнил: студент гр. РПВ. Б-41 | Тер-Погосян Р.Э._________________ |
| Проверил: | Андреев В.В. ____________________ |
| Дата сдачи (защиты) домашнего задания: | ||
| Результаты сдачи (защиты): Количество рейтинговых баллов | ||
| Оценка | ||
Калуга, 2015 г.
Порядок выполнения домашней работы.
1. Провести исследования распределения концентрации примеси в полупроводнике от времени при фиксированной температуре (построить график).
2. Провести исследования распределения концентрации примеси в полупроводнике от температуры при фиксированном времени (построить график).
3. Составить маршрутную технологию формирования p-n перехода.
Задание
Варианты заданий приведены в табл. 1.
1. Рассчитать характеристики распределения заданной примеси в кремнии при одностадийной диффузии из источника бесконечной мощности (примесь 1).
2. Определить параметры двухстадийной диффузии той же примеси в кремнии для получения p-n перехода на заданной глубине и требуемой ее поверхностной концентрации (примеси 1 и 2).
Таблица 1.
| № варианта | Примесь | Температура диффузии, оС | Время диффузии, с | Глубина p-n перехода, мкм | Поверхностная концентрация примеси, см-3 | ||
| в исход-ном кремнии | |||||||
| As | 1,5 | 1020 | 1019 | 1017 |
График распределения концентрации примеси в полупроводнике от времени при фиксированной температуре
График распределения концентрации примеси в полупроводнике от температуры при фиксированном времени
Вывод: рассчитали характеристики распределения заданной примеси в кремнии (глубина p-n перехода 1,5 мкм) при одностадийной диффузии из источника бесконечной мощности при условиях: температура Т = (273+1200) К, время t = 3850 с. Определили параметры двухстадийной диффузии той же примеси в кремнии для получения p-n перехода на заданной глубине и требуемой ее поверхностной концентрации (глубина p-n перехода 1,5 мкм, поверхностная концентрация примеси 1019 см-3) при условиях: температура Т = (273+1169) К, время t1 = 27000 с, t2 = 27,45 с. Провели исследования распределения концентрации примеси в полупроводнике от времени при фиксированной температуре (построили график). Провели исследования распределения концентрации примеси в полупроводнике от температуры при фиксированном времени (построили график). Составили маршрутную технологию формирования p-n перехода.
Контрольные вопросы
Date: 2015-07-01; view: 475; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |