Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Указания к составлению отчета5.1 Указать номер варианта, для которого проводились исследования. 5.2 Привести схемы исследуемых функциональных узлов, таблицы с результатами измерений и осциллограммы напряжений, в соответствии с заданием каждого пункта работы. 5.3 Привести сравнение результатов экспериментальных исследований с расчетными. 5.4 Сделать выводы по каждому пункту работы. Приложение А Таблица А.1- Параметры ОУ.
Лабораторная работа № 5. Исследование логических интегральных микросхем На биполярных транзисторах Цель работы Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на биполярных транзисторах (БТ), исследовать их характеристики и определить параметры.
Подготовка к работе 2.1Изучить следующие вопросы курса. 2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ. 2.1.2 Условные обозначения логических ИМС. 2.1.3 Основные параметры и характеристики логических ИМС. 2.1.4 Схемотехническая реализация логических ИМС на биполярных транзисторах. 2.1.5 Схемы для исследования характеристик и определения параметров. 2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы. 2.2.1 Назначение и применение логических ИМС. 2.2.2.Принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ. 2.2.3 Основные законы алгебры логики. 2.2.4 Дать определение ниже перечисленных параметров логических ИМС: а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице; б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице; в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу); г) среднее время задержки распространения сигнала; д) статическая помехоустойчивость; е) потребляемая мощность; ж) энергия переключения. 2.2.5 Начертить схемы электрические принципиальные базовых элементов и объяснить принцип работы ИМС следующих типов: а) диодно-транзисторная логика (ДТЛ); б) транзистор - транзисторная логика (ТТЛ); в) ТТЛ с открытым коллектором; г) ТТЛ со сложным инвертором; д) ТТЛ с тремя состояниями; е) ТТЛ с диодами Шоттки (ТТЛШ). 2.2.6 Статические характеристики исследуемых логических ИМС и определение по ним параметров. Литература 1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 231-256. 2 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 152-162. 3 Алексенко А.Г. Шагурин И.И., Микросхемотехника - Учебное пособие для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1990, с. 74-88, 99-100 4 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.258-275. 5 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 412-426. 6 Савиных В.Л. Электроника. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ, 2009.
|