Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Задание для работы в лаборатории4.1 Собрать схему для исследования статических характеристик МДП ПТ со встроенным каналом (ВК), показанную на рисунке 3.1. Установить тип ПТ с ВК согласно варианту (Приложение А.1). UСИ = 10 В для всех вариантов. Рисунок 1. Схема для исследования статических характеристик МДП ПТ ВК. ВНИМАНИЕ!!! МДП ПТ ВК могут работать в двух режимах: - обеднение – UЗИ < 0 для n -типа и UЗИ > 0 для p -типа, - обогащение - UЗИ < 0 для p -типа и UЗИ > 0 для n -типа. 4.2 Снять характеристику прямой передачи в режиме обеднения, (т.е. при UЗИ < 0) IC=F(U3И). Определить напряжение отсечки UЗИ0, которое соответствует значению IC» 10мкА Результаты измерений занести в таблицу 1. Таблица 1 - ПТ (указать по варианту)
В разделе "Обеднение" значения UЗИ – отрицательные. 4.3 Снять три выходные (стоковые) характеристики транзистора в режиме обеднения, при значениях напряжения UЗИ 1= 0, UЗИ 2 » 0,25·UЗИ ОТС и UЗИ 3» 0,5·UЗИ ОТС. Результаты измерений занести в таблицу 2. 4.4 Снять характеристику прямой передачи в области обогащения. Для этого поменять полярность источника G1. Характеристику снимать до тех пор, значение IC не достигнет ~15 мА. Результатами измерений дополнить таблицу 1. 4.5 Снять стоковые характеристики транзистора при двух значениях UЗИ в режиме обогащения, при UЗИ 4 » 0,25·UЗИО и UЗИ5» 0,5·UЗИО. Эти значения будут положительными, т.к. UЗИО < 0. Результатами измерений дополнить в таблицу 2. Таблица 2 - ПТ (указать по варианту)
Примечание: UЗИ2 ÷ UЗИ5 – записать конкретные значения напряжений.
4.6 По результатам измерений построить: - характеристику прямой передачи, - семейство стоковых характеристик. 4.7 Собрать схему для исследования статических характеристик МДП ПТ с индуцированным каналом (ИК), показанную на рисунке 2. Установить тип ПТ с ИК согласно варианту (Приложение А). UСИ = 10 В для всех вариантов. Рисунок 2. Схема для исследования статических характеристик МДП ПТ ИК.
4.8 Снять характеристику прямой передачи для транзистора с индуцированным каналом и определить пороговое напряжение U3И ПОР, соответствующее значению IC» 10 мкА. Характеристику снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет ~15 мА. Результаты измерений занести в таблицу 3.3 аналогичную таблице 1. 4.9 Снять выходные характеристики при трех значениях напряжения на затворе UЗИ в режиме обогащения транзистора с индуцированным каналом при UЗИ 1=1,25·U3И ПОР, UЗИ 2= 1,5·U3И ПОР и UЗИ 3= 1,75·U3И ПОР. Результаты измерений внести в таблицу 4, аналогичную таблице 2. 4.10 По результатам измерений построить: - характеристику прямой передачи, - семейство стоковых характеристик. 4.11 Для измерения крутизны у МДП ПТ с ВК собрать схему, показанную на рисунке 3. Установить для всех вариантов: UСИ = 10 В, UЗИ~ - 100 мВ/1кГц, для амперметра – режим переменного тока – АС.
4.12 Исследовать зависимость крутизны от значения UЗИ для МДП ПТ с ВК. Для того же диапазона значений UЗИ, что и в таблице 1, провести измерение переменного тока стока. Результаты занести в таблицу 5. Вычислить крутизну по формуле S = IC~ / UЗИ~, [мА/В] (3.1) Таблица 5 - ПТ (указать по варианту)
4.13 Для измерения крутизны у МДП ПТ с ИК собрать схему, показанную на рисунке 4. 4.14 Провести действия аналогичные п. 4.12. Диапазон значений UЗИ такой же, как в таблице 2. Результаты занести в таблицу 6, аналогичную таблице 5. Таблица 6 - ПТ (указать по варианту)
|