Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Задание для работы в лаборатории4.1 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОБ собрать схему, приведенную на рисунке 1. Рисунок 1. Схема для исследования транзистора при включении с ОБ. Тип БТ установить в соответствии с вариантом (Приложение А.1). Этот же тип остается во всех последующих схемах. 4.2 Изменяя ток эмиттера 0,1, 1, 5 мА и т.д. снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 1. Таблица 1 - Транзистор (указать по варианту)
4.3 Снять выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ) для трех значений тока эмиттера IЭ: 1) IЭ=0, 2) IЭ=10 мА, 3) IЭ=20 мА. Результаты измерений занести в таблицу 2. Таблица 2 - Транзистор (указать по варианту)
4.4 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОЭ собрать схему, приведенную на рисунке 2. Рисунок 2. Схема для исследования транзистора при включении с ОЭ.
4.5 Снять две входные характеристики IБ=f(UБЭ) при двух значениях UКЭ: 1) UКЭ=0, 2) UКЭ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 3.
Таблица 3 - Транзистор (указать по варианту)
4.6 Снять семейство из шести выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблицу 4, включая IБ=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. в диапазоне значений UКЭ от 0В до ~ 1В. Результаты измерений занести в таблицу 4. Таблица 4 - Транзистор (указать по варианту)
4.7 Для исследования схемы усилителя на БТ, включенного с ОЭ, собрать схему, приведенную на рисунке 3. На базу транзистора подаются постоянное напряжение смещения ЕБЭ и переменное напряжение UВХ = UБЭ~. Выходным напряжением усилителя является переменная составляющая UБЭ~ = UВЫХ Рисунок 3. Схема усилителя, включенного с ОЭ.
4.8 Перед включением схемы установить следующие параметры: ЕКЭ = 15 В, UБЭ ~ = 10 мВ, f = 1 кГц, RH = 1.5 k. Для вольтметра установить режим постоянного напряжения – DC. 4.9 Подобрать напряжение источника смещения ЕБЭ такой величины, чтобы постоянное напряжение на коллекторе (показания вольтметра в режиме DC) составляло 7-8 В. 4.10 Переключить вольтметр в режим измерения переменного напряжения – АС и снова включить схему. Определить коэффициент усиления КU = UВЫХ/UBX. Зарисовать в отчет осциллограммы на входе и выходе усилителя. 4.11 Рассчитать параметры h11Э, h21Э и h22Э по соответствующим графикам. Расчет произвести в рабочей точке UКЭ = 10 В и IБ=200 мкА,
Содержание отчета Отчет должен содержать: 5.1 Схемы исследований транзистора. 5.2 Таблицы с результатами измерений 5.3 Графики входных и выходных характеристик для схем включения БТ с ОБ и ОЭ. Примеры графиков даны на рисунках 4.4-4.6. 5.4 Расчет значений h11Э, h21Э и h22Э по соответствующим графикам: 5.5 Значение KU и осциллограммы напряжений на входе и выходе усилителя. 5.6 Выводы по работе. а) схема с ОБ б) схема с ОЭ Рисунок 4. Входные характеристики БТ Рисунок 5. Выходные характеристики БТ – схема включения с ОБ
Рисунок 6 – Выходные характеристики БТ – схема включения с ОЭ
Приложение А Таблица А.1 – Варианты заданий
|