Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Лабораторная работа №2.ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Цель работы
Изучить принцип действия биполярного транзистора (БТ) его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Исследовать БТ в режиме усиления.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство БТ, принцип действия, основные физические процессы. 2.1.2 Схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы (с точки зрения состояния переходов). 2.1.3 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы. 2.1.4 Уравнения коллекторного тока и коэффициенты передачи тока для всех схем включения. 2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения с ОБ и ОЭ. 2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик. 2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, на его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и на предельные параметры. 2.1.8 Дифференциальные параметры БТ и их определение по статическим характеристикам транзистора. 2.1.9 Работа БТ в усилительном режиме.
2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы: 2.2.1 Каково устройство плоскостного транзистора? 2.2.2 Каков принцип действия биполярного бездрейфового транзистора? 2.2.3 Какой вид имеют схемы включения транзистора с ОБ, ОЭ и ОК для структур p-n-p и n-p-n? 2.2.4 Каковы потенциальные диаграммы p-n-p и n-p-n транзисторов для различных режимов работы? 2.2.5 Из каких компонентов состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы транзистора? 2.2.6 Из каких компонентов состоит ток базы? 2.2.7 Что такое коэффициенты инжекции и переноса? 2.2.8. Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Какие причины его возникновения? 2.2.9 Каково уравнения коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ? 2.2.10 Какой вид имеют входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ? 2.2.11 Где на входных и выходных характеристиках транзистора находятся области, соответствующие активному режиму работы, режимам отсечка и насыщение? 2.2.12 Какие факторы ограничивают рабочую область выходных характеристик транзистора? 2.2.13 Чем объясняется влияние температуры на статические характеристики БТ в схемах включения с ОБ и ОЭ? 2.2.14 Как зависят значения предельных параметров БТ от температуры? 2.2.15 В чем состоит и чем объясняется влияние температуры на рабочую область БТ? 2.2.16 Какой вид имеют системы уравнений с h-параметрами в дифференциальной и комплексной формах? 2.2.17 Как определяются h-параметры по статическим характеристикам транзистора? 2.2.18 В чем состоит работа БТ в усилительном режиме.?
Литература 1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта: Наука. 2009. Стр. 87-113. 2. Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.59-69. 3. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д -М: Радио и связь, 1998. Стр. 70-81, 86-92. 4. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.140-170 (выборочно). 5. Транзисторы для широкого применения: Справочник. Под редакцией Перельмана Б. П. -М.: Радио и связь, 1981. 6. Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2008. Электронная версия.
|