Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Общие электрические и физические свойства полупроводниковых материалов
Собственные полупроводники – полупроводники, не содержащие донорных и акцепторных примесей. В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и дырок одинаковы: ; (7)
где NC и NV – эффективные плотности состояний электронов и дырок в зонах проводимости и валентной зоне соответственно: ; (8) ; (9) эффективная масса электронов в зоне проводимости полупроводника. эффективная масса дырок в валентной зоне полупроводника. постоянная Планка. постоянная Больцмана. DEg– ширина запрещенной зоны полупроводника.
Произведение концентраций электронов и дырок – величина постоянная для данного полупроводника при каждой конкретной температуре, это есть выражение закона действующих масс: , (10) где ni – концентрация собственных носителей в полупроводнике; Условие электронейтральности для единичного объема:
р+NД=n+NА, (11)
где слева – положительный заряд дырок и ионизированных доноров NД, а справа – отрицательный заряд электронов и ионизированных акцепторов NА. Для электронных полупроводников, не содержащих акцепторов: n=NД+р (12) Для дырочных полупроводников, не содержащих доноров: р=NА+n. (13) Плотность электронной и дырочной составляющей тока в полупроводниковом материале, во внешнем электрическом поле Е: ; (14) ; (15) где gn и gp – удельные электронная и дырочная проводимости полупроводника. ; (16) ; (17) где mn и mp – подвижность электронов и дырок соответственно. ; (18) ; (19) где Vn и Vp – средние скорости носителей в полупроводнике. Соотношение Эйнштейна: ; (20) ; (21) где Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно. ; (22) ; (23) где Ln и Lp – диффузионная длина носителей; tn и tp – время жизни носителей. Суммарная плотность тока в полупроводнике: ; (24) - удельная проводимость полупроводника. ; (25) Для собственного полупроводника, где ni = pi: ; (26) Для электронного полупроводника где n>>p: gn=enmn. (27) Для дырочного полупроводника где р>>n gp=epmp. (28)
|