Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Краткие теоретические сведения.





Усилители мощности бывают однотактными и двухтактными. Однотактные усиливают сигнал одним транзистором в течении всего периода за один такт, могут работать только в линейном режиме А и имеют невысокий уровень нелинейных искажений. Однако режим А неэкономичен, так как ток коллектора транзистора в рабочей точке должен быть достаточно большим, чтобы можно было его под действием входного сигнала как увеличивать, так и уменьшать. Для режима А характерно также равенство тока в режиме ожидания входного сигнала среднему току при появлении этого сигнала, т.е. даже теоретический кпд однотактного усилителя составляет 40% - 45%. Это ограничивает их применение.

Двухтактные усилители усиливают сигнал двумя транзисторами за два такта. В течение первого полупериода, один из транзисторов усиливает сигнал, а другой в это время тока не проводит, а в течении второго полупериода- наоборот. Рабочие точки транзисторов выбирают в самом начале входных характеристик, т.е. при отсутствии сигнала такой каскад тока не потребляет. Так работает усилитель мощности в режиме В (рис.1). В этом случае усилитель экономичен, его кпд достигает 70%, а нелинейное искажение выше, чем у однотактного.

 

Рис 1

При работе двухтактного усилителя в режиме В входной сигнал Uвход в первый полупериод, воздействуя на один из транзисторов, вызывает синусоидальный ток базы Iб1 переменный. Коллекторный этого транзистора будет также синусоидальный, но только в течении первого полупериода. Во второй полупериод входной сигнал U вход аналогично воздействует на второй транзистор. Схему сигнала выполняют так, чтобы через нагрузку проходил ток, форма которого близка к синусоидальной повторяющей форму суммарного базового тока Iб переменный (рис.2).

Рис.2

 

Для снижения нелинейных искажений при значительном уменьшении кпд используют промежуточный режим АВ. В этом режиме рабочие точки транзисторов выбирают при небольших токах их баз, т. е. при ожидании входного сигнала сема потребляет от источника питания небольшой ток. Режим АВ широко распространён, поскольку по сравнению с более экономичным режимом В при нём значительно меньше нелинейные искажения (рис.3).

 

Рис.3

 

Управления транзисторами двухтактного усилителя мощности в режиме АВ. Дополнительное напряжение Uбэ р.т подаваемое на эмиттерный переход, смещает входные характеристики относительно друг друга. При этом суммарный базовый ток схемы близок к синусоидальному току. В двухтактных каскадах усилителей мощности используют все три схемы включения транзисторов: с ОБ, ОЭ и ОК. Включения транзисторов с ОБ позволяет получить схемус незначительными нелинейными искажениями, хорошей температурной стабильностью и малым измерением параметров при замене транзисторов. Однако для управления такой схемой предварительный усилитель должен быть мощным, так как для управления транзисторами, включенными с ОБ, необходим ток эмиттера даже несколько больший, чем входной коллекторный ток.

 

Рис.4

 

При включении транзисторов с ОЭ в h2iэ раз снижается мощность сигнала управления, но несколько возрастают нелинейные искажения. Замена транзистора в такой схеме вызывает изменение режима каскада по постоянному току, поэтому требуется либо подбор пары транзисторов с одинаковыми параметрами, либо дополнительные меры по восстановлению симметрии схемы, что обязательно сопровождается снижением кпд и ростом коэффициента нелинейных искажений. При включении транзисторов с ОК схема работает с минимальными нелинейными искажениями. Сигнал управления в такой схеме велик- так его мощность близка к мощности входного сигнала каскада на транзисторах с ОБ. Для этой схемы подбирают пару одинаковых транзисторов, поскольку только так можно обеспечить малые нелинейные искажения.

В настоящее время наиболее распространенные безтрансформаторные усилители мощности звуковой частоты, выполненные на транзисторах разных типов электропроводности или одного типа (рис.5).

Рис.5

 

Для управления транзисторами разных типов электропроводности требуется один сигнал. Так, если в первый полупериод входной сигнал увеличивает ток базы транзистора VT2, одновременно уменьшается ток базы транзистора VT1. Во второй полупериод- наоборот. Таким образом, входные цепи транзисторов по отношению к источнику сигнала включены параллельно, входные по отношению к источнику питания Ек- последовательно, а по переменному току- параллельно на общую нагрузку R5.

Для управления транзисторами одного типа электропроводности требуется фазоинверсный каскад, на выходе которого действуют две одинаковых и противофазных напряжений U1 и U2. Эти напряжения и управляют транзисторами, которые поочерёдно открываются и закрываются.

Рассмотрим работу каскада усиления мощности в режиме В. В схеме используются кремневый диод VD1. При положительном полупериоде переменный составляющая коллекторного напряжения транзистора VT1 предварительного усилителя транзистор VT2 закрывается, а транзистор VT3 (усиливает сигнал) используют как источник питания, заряженный примерно до 0,5 Ек конденсатор С3. В течении этого полупериода ток проходит по цепи: правый электрод конденсатора С3, Заряженный положительно, резистор нагрузки R5, корпус, промежуток коллектор- эмиттер транзистора VT3, левый электрод конденсатора С3. Емкость конденсатора С3 должна быть настолько большой, чтобы за время самого длительного полупериода (самое низкое усиливаемая частота) он разряжался незначительно.

При отрицательном полупериоде транзистор VT3 закрывается, а транзистора VT2 открывается, усиливая сигнал. Коллекторный ток транзистора VT2 проходит по цепи: +Ек, корпус резистор нагрузки R5, конденсатора С3, промежуток эмиттер- коллектор транзистора VT2, -Ек.

Таким образом, через резистор R5, на который поочерёдно работают два транзистора, управляемые одним сигналом, проходит переменный ток усиленного сигнала- суммы переменных составляющих эмиттерных токов транзистора VT2 и VT3. Отсюда следует, что по отношению к источнику сигнала транзисторы включены по схеме с ОК, которая усиливает мощность сигнала, повторяя его напряжение.

Включение кремниевого диода VD1 увеличивает напряжение между базами транзисторов, и их рабочие точки смещаются к началу входных характеристик, т.е. каскад переходит в режим В. Этот переход становится заметнее, если используют два последовательно включенных кремневых диода.

Одновременно диод VD1 служит для температурной стабилизации базовых цепей транзисторов. При повышении температуры входная характеристика транзистора смещается влево, что означает увеличение тока базы при постоянном напряжении на эмиттерном переходе. Однако ток базы при включении диода VD1 увеличивается значительно меньше, поскольку прямое напряжение на нём при увеличении температуры так же уменьшается.

Таблица 1

Частота f,кГц 0,02 0,1 0,5      
Выходное напряжение Uвых, В, при емкости конденсаторов С2= 5 мкФ С3= 0,1 мкФ            
С2= 50 мкФ С3= 50 мкФ            

 

 

Таблица 2

Входные напряженияUвх, В            
Выходные напряженияUвых, В            

Date: 2016-07-18; view: 347; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию