Высокочастотные провода ПВЧС и шнуры пвчи

Предназначены для монтажа высокочастотной аппаратуры связи. Токопроводящую жилу ПВЧС и шнуров ШВЧИ скручивают из медной проволоки, ПВЧС – диаметр 0,15 мм из семи проволок, а ШВЧИ – из 18 проволок диаметром 0,10 мм. На токопроводящую жилу ПВЧС накладывают ПЭ изоляцию толщиной 0,4 мм, а на ШВЧИ – 0,5 мм. Две изолированные жилы различных цветов скручивают в пару с шагом не более 12 D, поверх скрученных жил накладывают ПЭ трубку и оплетают медной проволокой диаметром 0,12-0,15 мм плотностью 96%. Поверх экрана провода ПВЧС накладывают ПЭ, а поверх шнура ШВЧИ – ПВХ болочку толщиной 0,8 мм. Сопротивление изоляции не менее 5000 , рабочая емкость не более 60 нФ/м, волновое сопротивление 135 12 Ом, коэффициент затухания не более 13,9 ДБ/км при частоте 250 кГц.

Конструкция проводов ПВЧС и шнуров ШВЧИ.

2. Классификация полупроводниковых материалов

Полупроводники представляют собой весьма многочисленный класс материалов. В него входят сотни самых разнообразных веществ – как элементов, так и химических соединений. Полупроводниковыми свойствами могут обладать неорганические и органические вещества, среди которых кристаллические и аморфные, твердые и жидкие, немагнитные и магнитные. Материалы этого класса роднит одно замечательное качество – способность сильно изменять свои электрические свойства под влиянием небольших внешних энергетических воздействий.Одна из возможных схем классификации полупроводниковых материалов приведена на рис.1. Основу современной электроники составляют неорганические кристаллические полупроводники. Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов,находящихся в средней части периодической системы Д.И. Менделеева. По совокупности электрофизических свойств, отработанности технологических процессов, количеству и номенклатуре выпускаемых приборов ведущее место занимают кремний и германий. Весьма обширна группа полупроводниковых неорганических соединений. В качестве примера можно привести InSb, Bi₂Te₃, ZnSiAs₂, CuAlS₂, CuGe₂P₃. Кристаллическая структура многих соединений характеризуется тетраэдрической координацией атомов, как это имеет место в решетке алмаза. Такие полупроводниковые соединения получили название алмазоподобных полупроводников. Среди них наибольший научный и практический интерес представляют бинарные соединения типа A^IIIB^V и A^IIB^VI, которые в настоящее время являются важнейшими материалами полупроводниковой оптоэлектроники.

Рис.1. Классификация полупроводниковых материалов по составу и свойствам